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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
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![]() | 2N3777 | 33.0450 | ![]() | 3123 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 5 w | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N3777 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 1 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2369AU/Tr | 130.2802 | ![]() | 1051 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/317 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 500 MW | U | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2369AU/Tr | 50 | 15 v | 400na | Npn | 450 mV @ 10 mA, 100 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N2222AUA | 156.9608 | ![]() | 5462 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 650 MW | Ua | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JANSP2N2222AUA | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N2907Aub | 7.2352 | ![]() | 6365 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2n2907 | 500 MW | UB | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | JANSR2N2905AL | 99.0906 | ![]() | 5773 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/290 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 600 MW | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansr2N2905al | 1 | 60 v | 600 mA | 1 µA | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
APTGF30H60T3G | - - - | ![]() | 4137 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Chassis -berg | SP3 | 140 w | Standard | SP3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 600 V | 42 a | 2,45 V @ 15V, 30a | 250 µA | Ja | 1,35 NF @ 25 V. | ||||||||||||||||||||||
Jantxv2N1715s | - - - | ![]() | 6044 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | To-39 (bis 205ad) | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 750 Ma | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | APT30M36JFll | 44.1700 | ![]() | 5033 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Power MOS 7® | Rohr | Aktiv | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | APT30M36 | MOSFET (Metalloxid) | ISOTOP® | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 300 V | 76a (TC) | 36mohm @ 38a, 10V | 5 V @ 2,5 mA | 115 NC @ 10 V | 6480 PF @ 25 V. | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N3634L | 11.5444 | ![]() | 2734 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N3634 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 1 a | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||
Jantxv2N2222a | 3.5910 | ![]() | 7328 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2222 | 500 MW | To-18 (to-206aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N6030 | 129.5850 | ![]() | 3251 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | K. Loch | To-204aa, to-3 | 200 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N6030 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 16 a | - - - | PNP | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N2605UB | - - - | ![]() | 4137 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/354 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 2n2605 | 400 MW | UB | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10na | PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 150 @ 500 µA, 5 V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N5152L | 12.3158 | ![]() | 6201 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/544 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 2N5152 | 1 w | To-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50 µA | Npn | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 30 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | 2N2920U | 49.8900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | 2n2920 | 350 MW | 6-smd | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 30 ma | 10 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 300 @ 1ma, 5v | - - - | ||||||||||||||||||||
JantX2N2906Al | 11.6907 | ![]() | 7387 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/291 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N2906 | 500 MW | To-18 (to-206aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 600 mA | 50na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 40 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N3440L | 233.7316 | ![]() | 3864 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 800 MW | To-5aa | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N3440L | 1 | 250 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N3766 | 31.8003 | ![]() | 1794 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/518 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2N3766 | 25 w | To-66 (to-213aa) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 4 a | 500 ähm | Npn | 2,5 V @ 100 Ma, 1a | 40 @ 500 mA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||
![]() | JantX2N3743U4 | - - - | ![]() | 5176 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/397 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 1 w | U4 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 200 ma | PNP | 1,2 V @ 3ma, 30 mA | 50 @ 30 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2n5005 | 287.5460 | ![]() | 7201 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-210aa, to-59-4, Stud | 2n5005 | 2 w | To-59 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 5 a | 50 µA | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | 2N5626 | 74.1300 | ![]() | 6816 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 116 w | To-204ad (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2N5626 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 10 a | - - - | Npn | 1,5 V @ 1ma, 5 mA | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | TP2104N3-G | 0,7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Tasche | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | TP2104 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | P-Kanal | 40 v | 175 Ma (TJ) | 4,5 V, 10 V. | 6OHM @ 500 mA, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 25 V | - - - | 740 MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N3585 | - - - | ![]() | 8903 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/384 | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 2,5 w | To-66 (to-213aa) | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 2 a | 5ma | Npn | 750 MV @ 125 Ma, 1a | 25 @ 1a, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N918 | 13.6990 | ![]() | 5045 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/301 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 200 MW | To-72 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 v | 50 ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 1ma, 10 mA | 20 @ 3ma, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANSM2N3439UA | - - - | ![]() | 3869 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/368 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | 800 MW | Ua | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 150-Jansm2N3439UA | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2 µA | Npn | 500mv @ 4ma, 50 mA | 40 @ 20 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
![]() | JANSH2N2222AUB/Tr | 262.0716 | ![]() | 5079 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/255 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Keine Frotung | 500 MW | UB | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-JansH2N2222AUB/Tr | 50 | 50 v | 800 mA | 50na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
Jansr2N5153 | 96.9206 | ![]() | 9648 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/545 | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 2N5153 | 1 w | To-39 (bis 205ad) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 1ma | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 5a | 70 @ 2,5a, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2n5049 | 519.0900 | ![]() | 5463 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Bolzenhalterung | To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud | 100 w | To-61 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 150-2n5049 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 10 a | - - - | Npn | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N3635L | 129.5906 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, Mil-PRF-19500/357 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205aa, bis 5-3 Metalldose | 1 w | To-5 | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 140 v | 10 µA | 10 µA | PNP | 600mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | - - - | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jantxv2N6648 | 132.2286 | ![]() | 3766 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/527 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 5 w | To-204aa (to-3) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 40 v | 10 a | 1ma (ICBO) | PNP - Darlington | 3v @ 100 mA, 10a | 1000 @ 5a, 3V | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Jan2N3766 | 25.3631 | ![]() | 5730 | 0.00000000 | Mikrochip -technologie | Militär, MIL-PRF-19500/518 | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-213aa, to-66-2 | 25 w | To-66 (to-213aa) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 v | 500 µA | 500 ähm | Npn | 2,5 V @ 100 Ma, 1a | 40 @ 500 mA, 5V | - - - |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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