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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
JANS2N3735 Microchip Technology JANS2N3735 136.9008
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/395 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 1,5 a 10 µA (ICBO) Npn 900mv @ 100 mA, 1a 20 @ 1a, 1,5 V. - - -
JANTX2N3762 Microchip Technology JantX2N3762 - - -
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/396 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3762 1 w To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 1,5 a 10 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mA, 1a 30 @ 1a, 1,5 V. - - -
2N2369AUB/TR Microchip Technology 2N2369AUB/Tr 19.6050
RFQ
 ECAD 7218 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 400 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n2369Aub/tr Ear99 8541.21.0095 100 20 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 40 @ 10 Ma, 1V - - -
2N4150 Microchip Technology 2N4150 10.1745
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N4150 1 w To-5aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 70 V 10 a 10 µA Npn 2,5 V @ 1a, 10a 50 @ 1a, 5V - - -
2N3497 Microchip Technology 2N3497 33.6900
RFQ
 ECAD 4728 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 400 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3497 Ear99 8541.21.0095 1 - - - 120 v 100 ma PNP 40 @ 50 Ma, 10 V 150 MHz - - -
JANKCCM2N3500 Microchip Technology JANKCCM2N3500 - - -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccm2N3500 100 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N3498U4/TR Microchip Technology Jantxv2N3498U4/Tr - - -
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N3498U4/Tr 50 100 v 500 mA 50na (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANSD2N3635UB/TR Microchip Technology JANSD2N3635UB/Tr 147.3102
RFQ
 ECAD 3404 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 mA, 10 V. - - -
JANKCBP2N3439 Microchip Technology Jankcbp2N3439 - - -
RFQ
 ECAD 2720 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcbp2N3439 100 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
ICPB2002-1-110I Microchip Technology ICPB2002-1-110I - - -
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 28 v Oberflächenhalterung Sterben 12GHz Gan Hemt Sterben Herunterladen 1 - - - 1a 125 Ma 12W 10 dB - - - 28 v
JANTX2N3418S Microchip Technology JantX2N3418S 18.9791
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/393 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3418 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 20 @ 1a, 2v - - -
JANTX2N6051 Microchip Technology JantX2N6051 57.8550
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/501 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6051 150 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 12 a 1ma PNP - Darlington 3v @ 120 mA, 12a 1000 @ 6a, 3v - - -
JANTX2N5794 Microchip Technology JantX2N5794 120.3406
RFQ
 ECAD 1515 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/495 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2n5794 600 MW To-78-6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 40V 600 mA 10 µA (ICBO) 2 NPN (Dual) 900mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
VN2460N3-G-P014 Microchip Technology VN2460N3-G-P014 1.2200
RFQ
 ECAD 3733 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads VN2460 MOSFET (Metalloxid) To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 600 V 160 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 20ohm @ 100 mA, 10 V. 4V @ 2MA ± 20 V 150 PF @ 25 V. - - - 1W (TA)
2N3719 Microchip Technology 2N3719 17.3698
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 6 w To-5 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 40 v 10 µA 10 µA PNP 1,5 V @ 300 Ma, 3a 25 @ 1a, 1,5 V. 60 MHz
APTM10UM02FAG Microchip Technology APTM10UM02FAG 302.6400
RFQ
 ECAD 7338 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM10 MOSFET (Metalloxid) Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 570a (TC) 10V 2,5 MOHM @ 200a, 10V 4V @ 10 mA 1360 NC @ 10 V ± 30 v 40000 PF @ 25 V. - - - 1660W (TC)
2N3501 Microchip Technology 2N3501 10.1100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3501 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N6299 Microchip Technology Jantxv2N6299 39.9532
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/540 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 64 w To-66 (to-213aa) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 500 µA 500 ähm PNP - Darlington 2v @ 80 Ma, 8a 500 @ 1a, 3V - - -
2N5010S Microchip Technology 2n5010s 21.9000
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n5010s Ear99 8541.29.0095 1 500 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 1,4 V @ 5ma, 25 mA 30 @ 25ma, 10 V. - - -
JANTXV2N2369AUA/TR Microchip Technology Jantxv2N2369AUA/Tr 39.7404
RFQ
 ECAD 1741 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 360 MW Ua - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N2369AUA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
MSCSM120AM11T3AG Microchip Technology MSCSM120AM11T3AG 310.6600
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Silziumkarbid (sic) 1.067 kW (TC) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120AM11T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n -kanal (Phasenbein) 1200 V (1,2 kV) 254a (TC) 10.4mohm @ 120a, 20V 2,8 V @ 9ma 696nc @ 20V 9060PF @ 1000V - - -
MSCSM70HM19CT3AG Microchip Technology MSCSM70HM19CT3AG 253.8800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM70 Silziumkarbid (sic) 365W (TC) SP3f Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM70HM19CT3AG Ear99 8541.29.0095 1 4 N-Kanal 700V 124a (TC) 19Mohm @ 40a, 20V 2,4 V @ 4MA 215nc @ 20V 4500PF @ 700V - - -
2N5795 Microchip Technology 2N5795 37.4794
RFQ
 ECAD 9203 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2n579 600 MW To-78-6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
APT8024LFLLG Microchip Technology APT8024lfllg 27.6400
RFQ
 ECAD 7878 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT8024 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 31a (TC) 10V 260 MOHM @ 15,5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 160 nc @ 10 v ± 30 v 4670 PF @ 25 V. - - - 565W (TC)
2N336A Microchip Technology 2n336a 65.1035
RFQ
 ECAD 6689 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N336 To-5 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
JANTXV2N3420 Microchip Technology Jantxv2N3420 21.4263
RFQ
 ECAD 3907 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/393 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3420 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 40 @ 1a, 2v - - -
JANSR2N2369AUA/TR Microchip Technology JANSR2N2369AUA/Tr 161.7712
RFQ
 ECAD 1052 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2369a 360 MW Ua - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N2369AUA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
MIC94053BC6-TR Microchip Technology MIC94053BC6-TR - - -
RFQ
 ECAD 9034 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MIC94053 MOSFET (Metalloxid) SC-70-6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 6 v 2a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 84mohm @ 100 mA, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 6v - - - 270 MW (TA)
2N6677 Microchip Technology 2N6677 130.8720
RFQ
 ECAD 8579 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 2N6677 175 w To-204aa (to-3) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 350 V 15 a 100 µA Npn 1,5 V @ 3a, 15a 8 @ 15a, 3v 3MHz
MIC94050BM4 TR Microchip Technology MIC94050BM4 TR - - -
RFQ
 ECAD 5267 0.00000000 Mikrochip -technologie Symfet ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa MIC94050 MOSFET (Metalloxid) SOT-143 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 6 v 1,8a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 160 MOHM @ 100 Ma, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 6v 600 PF @ 5,5 V. - - - 568 MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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