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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2C2432 Microchip Technology 2C2432 6.9150
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C2432 1
JAN2N2907AUA/TR Microchip Technology Jan2N2907AUA/Tr 19.0190
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW Ua - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N2907AUA/Tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N3019SP Microchip Technology 2n3019sp 27.0002
RFQ
 ECAD 8812 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n3019sp Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSL2N2369AUBC/TR Microchip Technology JANSL2N2369AUBC/Tr 252.7000
RFQ
 ECAD 4437 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 360 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N2369AUBC/Tr 50 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
JANKCB2N5416 Microchip Technology JANKCB2N5416 122.3866
RFQ
 ECAD 2657 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/485 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 750 MW To-5 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jankcb2N5416 Ear99 8541.21.0095 1 300 V 1 a 1ma PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
MNS2N2907AUBP/TR Microchip Technology MNS2N2907AUBP/Tr 12.6500
RFQ
 ECAD 3273 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150 Mns2N2907AUBP/Tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N7372 Microchip Technology 2N7372 324,9000
RFQ
 ECAD 9762 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa 4 w To-254aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N7372 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
APTGT50SK120TG Microchip Technology APTGT50SK120TG 83,4000
RFQ
 ECAD 6175 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 APTGT50 277 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 75 a 2,1 V @ 15V, 50a 250 µA Ja 3.6 NF @ 25 V
JANHCB2N2906A Microchip Technology JanHCB2N2906A 17.1570
RFQ
 ECAD 6102 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 2N2906 500 MW To-18 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JanHCB2N2906A Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N2060L Microchip Technology JantX2N2060L 67.9497
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/270 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2n2060 2.12W To-78-6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 500 mA 10 µA (ICBO) 2 NPN (Dual) 300mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 10ma, 5v - - -
2N3057A Microchip Technology 2n3057a 8.7913
RFQ
 ECAD 6685 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 2n3057 500 MW To-46-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 50 @ 500 mA, 10V - - -
2N2726 Microchip Technology 2N2726 15.9600
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N2726 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 500 mA - - - Npn 2v @ 40 mA, 200 mA - - - - - -
2N5660 Microchip Technology 2N5660 33.1702
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2N5660 2 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 200 v 2 a 200na Npn 800mv @ 400 mA, 2a 40 @ 500 mA, 5V - - -
2N3725L Microchip Technology 2N3725L 15.6541
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - - - - 2N3725 - - - - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
APT34F60B Microchip Technology APT34F60B 13.3600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT34F60 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 36a (TC) 10V 210mohm @ 17a, 10V 5v @ 1ma 165 NC @ 10 V. ± 30 v 6640 PF @ 25 V. - - - 624W (TC)
SG2821J-883B Microchip Technology SG2821J-883B - - -
RFQ
 ECAD 1561 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) K. Loch 18-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) SG2821 - - - 18-Cerdip Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-SG2821J-883B Ear99 8541.29.0095 21 95 V 500 mA - - - 8 NPN Darlington 1,6 V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350 mA, 2V - - -
JAN2N3810 Microchip Technology Jan2N3810 - - -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/336 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N3810 350 MW To-78-6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 150 @ 1ma, 5V - - -
TC7920K6-G Microchip Technology TC7920K6-G 1.8800
RFQ
 ECAD 4836 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 12-VFDFN Exposed Pad TC7920 MOSFET (Metalloxid) - - - 12-dfn (4x4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.300 2 n und 2 p-kanal 200V - - - 10ohm @ 1a, 10V 2,4 V @ 1ma - - - 52pf @ 25v - - -
JANTXV2N2221AUA/TR Microchip Technology Jantxv2N2221AUA/Tr 26.7596
RFQ
 ECAD 2307 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 650 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N2221AUA/Tr 100 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N930UB/TR Microchip Technology JANS2N930UB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 6912 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/253 Band & Rollen (TR) Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N930 UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jans2N930UB/Tr 1 45 V 30 ma - - - Npn - - - - - - - - -
2C6287-MSCL Microchip Technology 2C6287-MSCL 33.2700
RFQ
 ECAD 2170 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2C6287-MSCL 1
2N3498UB Microchip Technology 2N3498UB 27.9450
RFQ
 ECAD 7189 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3498UB Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
HS2222ATX Microchip Technology HS2222ATX 10.3474
RFQ
 ECAD 8371 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1
JAN2N6298 Microchip Technology Jan2N6298 29.8984
RFQ
 ECAD 6443 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/540 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2N6298 64 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 8 a 500 ähm PNP - Darlington 2v @ 80 Ma, 8a 750 @ 4a, 3v - - -
APTGT150A60T3AG Microchip Technology APTGT150A60T3AG 105.0300
RFQ
 ECAD 1279 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 APTGT150 600 w Standard SP3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 600 V 225 a 1,9 V @ 15V, 150a 250 µA Ja 9.2 NF @ 25 V.
APTGL475U120DAG Microchip Technology APTGL475U120DAG 246.7920
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 Aptgl475 2307 w Standard Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Einzel TRABENFELD STOPP 1200 V 610 a 2,2 V @ 15V, 400a 4 ma NEIN 24.6 NF @ 25 V.
JANSR2N7591U3 Microchip Technology Jansr2N7591U3 - - -
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv - - - Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung MOSFET (Metalloxid) U3 (SMD-0,5) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N7591U3 1 N-Kanal 200 v 16a - - - - - - - - - - - - - - - - - -
2N6560 Microchip Technology 2N6560 148.1850
RFQ
 ECAD 2009 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 125 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N6560 Ear99 8541.29.0095 1 450 V 10 a - - - Npn - - - - - - - - -
JANSH2N2369AUB/TR Microchip Technology JANSH2N2369AUB/Tr 357.8820
RFQ
 ECAD 1823 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/317 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 400 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansH2N2369AUB/Tr 50 20 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 40 @ 10 Ma, 1V - - -
JANTX2N5796U Microchip Technology JantX2N5796U - - -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/496 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-smd, Keine Frotung 2N5796 600 MW 6-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 10NA (ICBO) 2 PNP (Dual) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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