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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET DATENBLATT ROHS -STATUS Feuchtigitesempfindlich (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
2N3499U4 Microchip Technology 2N3499U4 136.4100
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3499U4 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 50na (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N918UB Microchip Technology JantX2N918UB 27.0389
RFQ
 ECAD 9820 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/301 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N918 200 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 50 ma 1 µA (ICBO) Npn 400mv @ 1ma, 10 mA 20 @ 3ma, 1V - - -
JANTX2N3743U4 Microchip Technology JantX2N3743U4 - - -
RFQ
 ECAD 5176 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/397 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 200 ma PNP 1,2 V @ 3ma, 30 mA 50 @ 30 mA, 10V - - -
2N5005 Microchip Technology 2n5005 287.5460
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 ECAD 7201 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-210aa, to-59-4, Stud 2n5005 2 w To-59 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 70 @ 2,5a, 5V - - -
2N5626 Microchip Technology 2N5626 74.1300
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 116 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5626 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a - - - Npn 1,5 V @ 1ma, 5 mA - - - - - -
JANTXV2N918 Microchip Technology Jantxv2N918 13.6990
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 ECAD 5045 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/301 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206af, bis 72-4 Metall Kann 200 MW To-72 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 15 v 50 ma 1 µA (ICBO) Npn 400mv @ 1ma, 10 mA 20 @ 3ma, 1V - - -
JANSM2N3439UA Microchip Technology JANSM2N3439UA - - -
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 ECAD 3869 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/368 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 800 MW Ua - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N3439UA Ear99 8541.21.0095 1 350 V 1 a 2 µA Npn 500mv @ 4ma, 50 mA 40 @ 20 mA, 10V - - -
JANSH2N2222AUB/TR Microchip Technology JANSH2N2222AUB/Tr 262.0716
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 ECAD 5079 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansH2N2222AUB/Tr 50 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N5049 Microchip Technology 2n5049 519.0900
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 ECAD 5463 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 100 w To-61 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2n5049 Ear99 8541.29.0095 1 50 v 10 a - - - Npn - - - - - - - - -
JANTXV2N6648 Microchip Technology Jantxv2N6648 132.2286
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 ECAD 3766 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/527 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 5 w To-204aa (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 10 a 1ma (ICBO) PNP - Darlington 3v @ 100 mA, 10a 1000 @ 5a, 3V - - -
JAN2N3766 Microchip Technology Jan2N3766 25.3631
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 ECAD 5730 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/518 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 25 w To-66 (to-213aa) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 500 µA 500 ähm Npn 2,5 V @ 100 Ma, 1a 40 @ 500 mA, 5V - - -
JANTX2N6678 Microchip Technology JantX2N6678 154.0672
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 ECAD 6930 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/538 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 6 w To-3 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V 1 Ma 1ma Npn 1v @ 3a, 15a 15 @ 1a, 3v - - -
APT25GN120BG Microchip Technology APT25GN120BG 6.7700
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 ECAD 7601 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT25GN120 Standard 272 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 800 V, 25a, 1ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 1200 V 67 a 75 a 2,1 V @ 15V, 25a 2,15 µj (AUS) 155 NC 22ns/280ns
JANSL2N2219 Microchip Technology JANSL2N2219 114.6304
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 ECAD 5908 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/251 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N2219 1 50 v 800 mA 10na Npn 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N2904AL Microchip Technology Jan2n2904al 10.6533
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 ECAD 5350 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/290 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2n2904 600 MW To-5aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 1 µA PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 500 mA, 10 V. - - -
APTM20DUM05G Microchip Technology APTM20DUM05G 263.7920
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 ECAD 4824 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 APTM20 MOSFET (Metalloxid) 1136W Sp6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 200V 317a 6mohm @ 158,5a, 10V 5v @ 10 mA 448nc @ 10v 27400pf @ 25v - - -
JANTXV2N3725A Microchip Technology Jantxv2N3725a - - -
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 ECAD 7875 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1
2N4908 Microchip Technology 2N4908 58.6200
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 ECAD 5897 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 150 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N4908 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 10 a - - - PNP - - - - - - - - -
JANTX2N3019SP Microchip Technology JantX2N3019sp 15.0822
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 ECAD 6901 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/391 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 800 MW To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantx2n3019sp 1 80 v 1 a 10na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
MSR2N2907AUA/TR Microchip Technology MSR2N2907AUA/Tr 163.0048
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 ECAD 3483 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 500 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen 150-MSR2N2907AUA/Tr 100 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANS2N4150 Microchip Technology JANS2N4150 - - -
RFQ
 ECAD 4413 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/394 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 70 V 10 a 10 µA Npn 2,5 V @ 1a, 10a 40 @ 5a, 5V - - -
JAN2N5416 Microchip Technology Jan2N5416 - - -
RFQ
 ECAD 9073 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/485 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 750 MW To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 300 V 1 a 1ma PNP 2v @ 5ma, 50 mA 30 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANSD2N2369AUBC Microchip Technology JANSD2N2369AUBC 252.5510
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 ECAD 1882 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 360 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JansD2N2369AUBC 1 15 v 400na Npn 450 mV @ 10 mA, 100 mA 20 @ 100 mA, 1V - - -
APT75F50L Microchip Technology APT75F50L 16.2800
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 ECAD 1132 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT75F50 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 75a (TC) 10V 75mohm @ 37a, 10V 5 V @ 2,5 mA 290 nc @ 10 v ± 30 v 11600 PF @ 25 V. - - - 1040W (TC)
APT8024LFLLG Microchip Technology APT8024lfllg 27.6400
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 ECAD 7878 0.00000000 Mikrochip -technologie Power MOS 7® Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa APT8024 MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 31a (TC) 10V 260 MOHM @ 15,5a, 10V 5 V @ 2,5 mA 160 nc @ 10 v ± 30 v 4670 PF @ 25 V. - - - 565W (TC)
JANTXV2N3420 Microchip Technology Jantxv2N3420 21.4263
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 ECAD 3907 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/393 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3420 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 40 @ 1a, 2v - - -
JANTXV2N3498U4/TR Microchip Technology Jantxv2N3498U4/Tr - - -
RFQ
 ECAD 6539 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jantxv2N3498U4/Tr 50 100 v 500 mA 50na (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
MSCSM120AM11T3AG Microchip Technology MSCSM120AM11T3AG 310.6600
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 ECAD 6814 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Modul MSCSM120 Silziumkarbid (sic) 1.067 kW (TC) - - - Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSCSM120AM11T3AG Ear99 8541.29.0095 1 2 n -kanal (Phasenbein) 1200 V (1,2 kV) 254a (TC) 10.4mohm @ 120a, 20V 2,8 V @ 9ma 696nc @ 20V 9060PF @ 1000V - - -
2N4150 Microchip Technology 2N4150 10.1745
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 ECAD 7141 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N4150 1 w To-5aa Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 70 V 10 a 10 µA Npn 2,5 V @ 1a, 10a 50 @ 1a, 5V - - -
JANTX2N3418S Microchip Technology JantX2N3418S 18.9791
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/393 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3418 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 20 @ 1a, 2v - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

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