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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
APT37F50B Microchip Technology APT37F50B 6.8300
RFQ
 ECAD 4394 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT37F50 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 37a (TC) 10V 150Mohm @ 18a, 10V 5v @ 1ma 145 NC @ 10 V. ± 30 v 5710 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
2N5956 Microchip Technology 2N5956 44.9673
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N5956 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
VRF152MP Microchip Technology Vrf152mp - - -
RFQ
 ECAD 5629 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Veraltet 130 v M174 VRF152 175MHz Mosfet M174 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 50 µA 250 Ma 150W 14db - - - 50 v
JAN2N3879 Microchip Technology Jan2N3879 - - -
RFQ
 ECAD 7997 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/526 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 35 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 75 V 7 a 25 mA (ICBO) Npn 1,2 V @ 400 mA, 4a 20 @ 4a, 5V - - -
JANTXV2N4399 Microchip Technology Jantxv2N4399 - - -
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/433 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 5 w To-3 (to-204aa) - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 30 a 100 µA PNP 750 mv @ 1a, 10a 15 @ 15a, 2v - - -
APT84M50B2 Microchip Technology APT84M50B2 18.6700
RFQ
 ECAD 2548 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante APT84M50 MOSFET (Metalloxid) T-Max ™ [B2] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 84a (TC) 10V 65mohm @ 42a, 10V 5 V @ 2,5 mA 340 nc @ 10 v ± 30 v 13500 PF @ 25 V. - - - 1135W (TC)
2N5966 Microchip Technology 2n5966 613.4700
RFQ
 ECAD 9207 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211mb, to-63-4, Stud 220 w To-63 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5966 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 40 a - - - PNP - - - - - - - - -
90024-03TX Microchip Technology 90024-03TX - - -
RFQ
 ECAD 5472 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa, to-3 To-3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1 - - - - - - - - - - - - - - -
2N5552 Microchip Technology 2N5552 63.8100
RFQ
 ECAD 6667 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 15 w To-5aa - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5552 Ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a - - - PNP 500 mV @ 500 µA, 5 mA - - - - - -
JANSM2N2221AUB/TR Microchip Technology JANSM2N2221AUB/Tr 139.3710
RFQ
 ECAD 5390 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UB - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N2221AUB/Tr 50 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
2N4910 Microchip Technology 2N4910 19.9101
RFQ
 ECAD 1201 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N4910 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
JANTXV2N2222AUA Microchip Technology Jantxv2N2222AUA 31.5875
RFQ
 ECAD 7565 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2N2222 650 MW 4-smd Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N3506 Microchip Technology Jan2N3506 12.1695
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/349 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3506 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 3 a - - - Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 40 @ 1,5a, 2V - - -
JANSP2N2221AUA Microchip Technology JANSP2N2221AUA 150.2006
RFQ
 ECAD 7767 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 650 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2221AUA 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTX2N5663 Microchip Technology JantX2N5663 - - -
RFQ
 ECAD 4895 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/454 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N5663 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 2 a 200na Npn 800mv @ 400 mA, 2a 25 @ 500 mA, 5V - - -
2N3740U4 Microchip Technology 2N3740U4 88.5300
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 25 w U4 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3740U4 Ear99 8541.29.0095 1 60 v 4 a 10 µA PNP 600mv @ 125 mA, 1a 40 @ 100 mA, 1V - - -
JANS2N4150S Microchip Technology JANS2N4150S 107.2206
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/394 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 70 V 10 µA 10 µA Npn 2,5 V @ 1a, 10a 40 @ 5a, 5V - - -
JAN2N2604 Microchip Technology Jan2n2604 109.5654
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/354 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206ab, bis 46-3 Metall Kann 2n2604 400 MW To-46 (to-206ab) - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 30 ma 10na PNP 300 mV @ 500 µA, 10 mA 60 @ 500 µA, 5V - - -
JANKCCM2N5151 Microchip Technology JANKCCM2N5151 - - -
RFQ
 ECAD 4439 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/545 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccm2N5151 100 80 v 2 a 50 µA PNP 1,5 V @ 500 mA, 5a 30 @ 2,5a, 5V - - -
JANSL2N2906AUA Microchip Technology JANSL2N2906AUA 152.8908
RFQ
 ECAD 7881 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 500 MW Ua - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansl2N2906AUA 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANKCCL2N3500 Microchip Technology JANKCCL2N3500 - - -
RFQ
 ECAD 4323 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jankccl2N3500 100 150 v 300 ma 10 µA (ICBO) Npn 400mv @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
APT30M60J Microchip Technology APT30M60J 26.7200
RFQ
 ECAD 5724 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT30M60 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 31a (TC) 10V 150MOHM @ 21A, 10V 5 V @ 2,5 mA 215 NC @ 10 V ± 30 v 5890 PF @ 25 V. - - - 355W (TC)
MSC035SMA170B4 Microchip Technology MSC035SMA170B4 41.8000
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 150-MSC035SMA170B4 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1700 v 68a (TC) 20V 45mohm @ 30a, 20V 3,25 V @ 2,5 mA (Typ) 178 NC @ 20 V +23 V, -10 V 3300 PF @ 1000 V - - - 370W (TC)
JANSR2N7593U3 Microchip Technology Jansr2N7593U3 497.9520
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Tablett Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung MOSFET (Metalloxid) U3 (SMD-0,5) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N7593U3 Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 250 V 12,4a (TC) 12V 210mohm @ 7.8a, 12V 4v @ 1ma 50 nc @ 12 V ± 20 V - - - 75W (TC)
APT5010JLLU2 Microchip Technology APT5010JLLU2 29.8300
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT5010 MOSFET (Metalloxid) SOT-227 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 41a (TC) 10V 100mohm @ 23a, 10V 5 V @ 2,5 mA 96 NC @ 10 V ± 30 v 4360 PF @ 25 V. - - - 378W (TC)
2N760A Microchip Technology 2N760A 30.5700
RFQ
 ECAD 9898 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N760A 1
JANSD2N3636UB Microchip Technology JANSD2N3636UB - - -
RFQ
 ECAD 5750 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANTX2N3499L Microchip Technology JantX2N3499L 14.4704
RFQ
 ECAD 8292 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3499 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 1,4 V @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N2218A Microchip Technology 2n2218a 8.8312
RFQ
 ECAD 4746 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N2218 800 MW To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen 2N2218AMS Ear99 8541.21.0095 1 30 v 800 mA 10na Npn 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
JANTXV2N5666 Microchip Technology Jantxv2N5666 - - -
RFQ
 ECAD 4147 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/455 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N5666 1,2 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 200 v 5 a 200na Npn 1v @ 1a, 5a 40 @ 1a, 5V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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