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Transistoren (5714)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
JANSM2N2907AUBC/TR Microchip Technology JANSM2N2907AUBC/Tr 306.0614
RFQ
 ECAD 1673 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 500 MW UBC - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N2907AUBC/Tr 50 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSR2N2484UB/TR Microchip Technology JANSR2N2484UB/Tr 69.8904
RFQ
 ECAD 7844 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - - - - - - - 2N2484 - - - - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jansr2N2484UB/Tr 1 - - - - - - - - - - - - - - -
JAN2N2432UB/TR Microchip Technology Jan2N2432UB/Tr - - -
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-Jan2N2432UB/Tr Ear99 8541.21.0095 1 30 v 100 ma - - - Npn - - - - - - - - -
2N5285 Microchip Technology 2N5285 287.8650
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv - - - Bolzenhalterung To-210aa, to-59-4, Stud 50 w To-59 - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N5285 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 5 a - - - PNP - - - - - - - - -
2N6987 Microchip Technology 2N6987 59.8766
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch 14 DIP (0,300 ", 7,62 mm) 2N698 1,5W To-116 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 600 mA 10 µA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
TC2320TG-G Microchip Technology TC2320TG-G 1.9300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) TC2320 MOSFET (Metalloxid) - - - 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.300 N und p-kanal 200V - - - 7ohm @ 1a, 10V 2V @ 1ma - - - 110pf @ 25v - - -
2N3725A Microchip Technology 2N3725a 16.4250
RFQ
 ECAD 4757 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N3725a Ear99 8541.29.0095 1 50 v 500 mA - - - Npn - - - - - - - - -
JANTXV2N5664 Microchip Technology Jantxv2N5664 - - -
RFQ
 ECAD 1373 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/455 Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-213aa, to-66-2 2N5664 2,5 w To-66 (to-213aa) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 200 v 5 a 200na Npn 1v @ 1a, 5a 40 @ 1a, 5V - - -
APT30GN60BG Microchip Technology APT30GN60BG 3.2585
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT30GN60 Standard 203 w To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 400 V, 30a, 4,3 Ohm, 15 V. TRABENFELD STOPP 600 V 63 a 90 a 1,9 V @ 15V, 30a 525 µJ (EIN), 700 µJ (AUS) 165 NC 12ns/155ns
2N2907AUA Microchip Technology 2N2907AUA - - -
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW Ua Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2N2907AUAMS Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JANSP2N2222A Microchip Technology JANSP2N2222A 98.5200
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-206aa, to-18-3 Metalldose 500 MW To-18 (to-206aa) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2222A 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
2N4231 Microchip Technology 2N4231 27.4645
RFQ
 ECAD 2744 0.00000000 Mikrochip -technologie * Schüttgut Aktiv 2N4231 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1
TP5335K1-G Microchip Technology TP5335K1-G 0,6300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 TP5335 MOSFET (Metalloxid) To-236ab (SOT23) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 350 V 85 Ma (TJ) 4,5 V, 10 V. 30ohm @ 200 mA, 10V 2,4 V @ 1ma ± 20 V 110 PF @ 25 V. - - - 360 MW (TA)
JANTX2N5681 Microchip Technology JantX2N5681 25.2301
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 Mikrochip -technologie MIL-PRF-19500/583 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N5681 1 w To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 1 a 10 µA Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 250 mA, 2V - - -
JANSP2N2907AUB/TR Microchip Technology JANSP2N2907AUB/Tr 101.4500
RFQ
 ECAD 4042 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/291 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C. Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2n2907 500 MW UB - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 150-JANSP2N2907AUB/Tr Ear99 8541.21.0095 1 60 v 600 mA 50na PNP 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA 100 @ 150 mA, 10V - - -
JAN2N3771 Microchip Technology Jan2N3771 207.4800
RFQ
 ECAD 6904 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/518 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 6 w To-3 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 40 v 5 Ma 5ma Npn 4v @ 6a, 30a 15 @ 15a, 4V - - -
APT60N60BCSG Microchip Technology APT60N60BCSG 20.2700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 APT60N60 MOSFET (Metalloxid) To-247 [b] Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 60a (TC) 10V 45mohm @ 44a, 10V 3,9 V @ 3ma 190 nc @ 10 v ± 30 v 7200 PF @ 25 V. - - - 431W (TC)
2N3419S Microchip Technology 2N3419s 17.7422
RFQ
 ECAD 8221 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3419 1 w To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 3 a 5 ähm Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 20 @ 1a, 2v - - -
JANSD2N3634UB Microchip Technology JANSD2N3634UB - - -
RFQ
 ECAD 4443 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 50 @ 50 Ma, 10 V - - -
JANTX2N3507AL Microchip Technology JantX2N3507Al 14.1113
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/349 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2N3507 1 w To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 50 v 3 a - - - Npn 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 30 @ 1,5a, 2v - - -
JANSR2N3635UB/TR Microchip Technology JANSR2N3635UB/Tr 147.3102
RFQ
 ECAD 1525 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/357 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-smd, Keine Frotung 1,5 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10 µA PNP 600mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 mA, 10 V. - - -
JAN2N3868U4 Microchip Technology Jan2N3868U4 145.2360
RFQ
 ECAD 2889 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/350 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w UB - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 3 ma 100 µA (ICBO) PNP 1,5 V @ 250 mA, 2,5a 30 @ 1,5a, 2v - - -
2N1488 Microchip Technology 2N1488 58.8900
RFQ
 ECAD 9972 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 75 w To-204ad (to-3) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-2N1488 Ear99 8541.29.0095 1 55 v 6 a 25 µA (ICBO) Npn 3v @ 300 mA, 1,5a 15 @ 1,5a, 4V - - -
APT1201R6BVRG Microchip Technology APT1201R6BVRG 12.3800
RFQ
 ECAD 7324 0.00000000 Mikrochip -technologie * Rohr Aktiv APT1201 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Q10778829 Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N6691 Microchip Technology JantX2N6691 - - -
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, Mil-PRF-19500/538 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Bolzenhalterung To-211ma, to-211ac, to-61-4, Stud 3 w To-61 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 300 V 15 a 1ma (ICBO) Npn 1v @ 3a, 15a 15 @ 1a, 3v - - -
ICPB1010-1-110I Microchip Technology ICPB1010-1-110i - - -
RFQ
 ECAD 3591 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Kasten Aktiv 28 v Oberflächenhalterung Sterben 14GHz Gan Hemt Sterben Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 - - - 4a 500 mA 50W 6.1db - - - 28 v
APT58F50J Microchip Technology APT58F50J 33.5100
RFQ
 ECAD 8532 0.00000000 Mikrochip -technologie Power Mos 8 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc APT58F50 MOSFET (Metalloxid) ISOTOP® Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 58a (TC) 10V 65mohm @ 42a, 10V 5 V @ 2,5 mA 340 nc @ 10 v ± 30 v 13500 PF @ 25 V. - - - 540W (TC)
JANTX2N3763U4 Microchip Technology JantX2N3763U4 - - -
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/396 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 1 w U4 - - - Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 60 v 1,5 a 10 µA (ICBO) PNP 900mv @ 100 mA, 1a 20 @ 1a, 1,5 V. - - -
2N6350 Microchip Technology 2N6350 30.2442
RFQ
 ECAD 3265 0.00000000 Mikrochip -technologie - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 205AC, bis 33-4 Metall Kann 2N6350 1 w To-33 Herunterladen Rohs Nick Konform UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a 1 µA NPN - Darlington 2,5 V @ 10ma, 5a 2000 @ 5a, 5V - - -
JANSM2N3498 Microchip Technology Jansm2N3498 41.5800
RFQ
 ECAD 7582 0.00000000 Mikrochip -technologie Militär, MIL-PRF-19500/366 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-39 (bis 205ad) - - - UnberÜHrt Ereichen 150-Jansm2N3498 1 100 v 500 mA 10 µA (ICBO) Npn 600mv @ 30 mA, 300 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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