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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTC044EUBTL | 0,3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC044 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HP8K24TB | 1.6600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | HP8K24 | MOSFET (Metalloxid) | 3W (TA) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 15a (ta), 27a (TC), 26a (TA), 80A (TC) | 8,8 MOHM @ 15a, 10V, 3MOHM @ 26A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 10nc @ 10v, 36nc @ 10v | 590PF @ 15V, 2410pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | Dtd143ect116 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 47 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3838KT146N | 0,3600 | ![]() | 508 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC3838 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 11 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 10 mA | 56 @ 5MA, 10 V. | 3,2 GHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6ME5TCR | 0,6500 | ![]() | 2501 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | N und p-kanal | 100V | 2a (ta), 1a (ta) | 207Mohm @ 2a, 10V, 840Mohm @ 1a, 10 V. | 2,5 V @ 1ma | 2,8nc @ 10v, 6,7nc @ 10v | 90PF @ 50V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6050JNZ4C13 | 17.8700 | ![]() | 547 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6050 | MOSFET (Metalloxid) | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6050JNZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 50a (TC) | 15 v | 83mohm @ 25a, 15V | 7v @ 5ma | 120 NC @ 15 V | ± 30 v | 4500 PF @ 100 V | - - - | 615W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | Rj1p12bbdtll | 5.3200 | ![]() | 994 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RJ1P12 | MOSFET (Metalloxid) | Lptl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 6 V, 10V | 5.8mohm @ 50a, 10V | 4v @ 2,5 mA | 80 nc @ 10 v | ± 20 V | 4170 PF @ 50 V | - - - | 178W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JUAT106 | 0,2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ES6U2T2R | - - - | ![]() | 6493 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | ES6U2 | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 1,8 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 110 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | R6055VNXC7G | 8.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6055VN | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-R6055VNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 23a (TC) | 10V, 15 V | 71Mohm @ 16a, 15V | 6,5 V @ 1,5 mA | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 3700 PF @ 100 V | - - - | 100 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGWX5TS65GC11 | 6.7700 | ![]() | 4802 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWX5TS65 | Standard | 348 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWX5TS65GC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 132 a | 300 a | 1,9 V @ 15V, 75A | - - - | 213 NC | 64ns/229ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RAL025P01TCR | 0,1195 | ![]() | 8207 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | Ral025 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2,5a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 62mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 16 NC @ 4,5 V | -8v | 2000 PF @ 6 V | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | SH8K1TB1 | 0,4101 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K1 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5a | 51mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5,5nc @ 5v | 230pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||
![]() | Fmg9at248 | - - - | ![]() | 6436 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fmg9 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR572D3TL1 | 0,8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SAR572 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 30 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 500 Ma, 3V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC024EUBTL | 0,3000 | ![]() | 196 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC024 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UMH2NFHATN | 0,4800 | ![]() | 780 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH2 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-umh2nfhatntr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | RSR025N03TL | 0,6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RSR025 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2,5a (TA) | 4 V, 10V | 70 MOHM @ 2,5a, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 4.1 NC @ 5 V. | 20V | 165 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | RCX450N20 | 3.0300 | ![]() | 137 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX450 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 45a (TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a, 10V | 5v @ 1ma | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 4200 PF @ 25 V. | - - - | 2,23W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||
SP8K5TB | - - - | ![]() | 4828 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K5 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,5nc @ 5v | 140pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143XU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta143 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC044EEBEBTL | 0,1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC044 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX17T116 | 0,3900 | ![]() | 5772 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCX17 | 425 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 620 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143TUAT106 | 0,0536 | ![]() | 6960 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143t | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta143 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB123YCT116 | 0,3700 | ![]() | 333 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RTR025P02Hzgtl | 0,7900 | ![]() | 505 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RTR025 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 95mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 630 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | SCT3080ALGC11 | 12.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT3080 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 30a (TC) | 18V | 104mohm @ 10a, 18V | 5,6 V @ 5ma | 48 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 571 PF @ 500 V | - - - | 134W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Rv3c002unt2cl | 0,4900 | ![]() | 197 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | RV3C002 | MOSFET (Metalloxid) | VML0604 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 20 v | 150 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 2OHM @ 150 mA, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | ± 10 V | 12 PF @ 10 V | - - - | 100 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SST2222AHZGT116 | 0,2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST2222 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1709TL | 0,1890 | ![]() | 6836 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 2SB1709 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 12 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 200mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 200 Ma, 2V | 400 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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