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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RD3H200SNTL1 | 1.5700 |  | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3H200 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 20a (ta) | 4 V, 10V | 28mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 12 NC @ 5 V | ± 20 V | 950 PF @ 10 V | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | R6015anx | 6.2100 | | 189 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6015 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 15a (ta) | 10V | 300MOHM @ 7.5A, 10V | 4,5 V @ 1ma | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | RGPR30NS40HRTL | 1.9400 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RGPR30 | Standard | 125 w | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 300 V, 8a, 100 Ohm, 5 V | - - - | 430 v | 30 a | 2,0 V @ 5v, 10a | - - - | 22 NC | 500 ns/4 µs | ||||||||||||||||||||||
 | Rq3e120gntb | 0,5200 | | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E120 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8,8 MOHM @ 12A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 590 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 16W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | DTC015EEBEBTL | 0,1900 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC015 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 20 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 100 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||
 | SH8J66TB1 | 2.5500 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8J66 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 9a | 18,5 MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 35nc @ 5v | 3000PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||
| R5009fnx | 2.3862 | | 1889 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R5009 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 9a (TC) | 10V | 840MOHM @ 4,5a, 10V | 4v @ 1ma | 18 NC @ 10 V. | ± 30 v | 630 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | R6004endtl | 1.4600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 980 MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SH8K4TB1 | 1.9600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K4 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9a | 17mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 21nc @ 5v | 1190pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||
 | RUF015N02TL | 0,4900 | | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | RUF015 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 2,5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 110 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | RSS125N03FU6TB | - - - | | 9211 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS125 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12,5a (TA) | 4 V, 10V | 8,9mohm @ 12,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 28 NC @ 5 V | 20V | 1670 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | DTA143EUBTL | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | Dta143 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||
 | DTC643TKT146 | 0,4300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC643 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 600 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 820 @ 50 Ma, 5V | 150 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
| SP8K24FU6TB | - - - | | 5207 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K24 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 45 V | 6a | 25mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 21.6nc @ 5v | 1400PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||
 | RZR020P01TL | 0,5300 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RZR020 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 6,5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 770 PF @ 6 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | HP8K24TB | 1.6600 | | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | HP8K24 | MOSFET (Metalloxid) | 3W (TA) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch | 30V | 15a (ta), 27a (TC), 26a (TA), 80A (TC) | 8,8 MOHM @ 15a, 10V, 3MOHM @ 26A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 10nc @ 10v, 36nc @ 10v | 590PF @ 15V, 2410pf @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||
| DTC044EUBTL | 0,3000 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC044 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||
 | 2SD1468stps | - - - | | 1704 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 15 v | 1 a | 500NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Rw1c015unt2r | - - - | | 2132 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RW1C015 | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 1,8 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 110 PF @ 10 V. | - - - | 400 MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | RUQ050N02TR | 0,8200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | Ruq050 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 12 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 900 PF @ 10 V | - - - | 1,25W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | R6020anjtl | 4.1079 | | 3428 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 20a (ta) | 10V | 250 MOHM @ 10a, 10V | 4,5 V @ 1ma | 65 NC @ 10 V | ± 30 v | 2040 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | ||||||||||||||||||||
| R6004end3tl1 | 1.5800 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 980 MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 59W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | EMH1T2R | 0,1084 | | 6183 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH1T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||
 | BSS84WT106 | 0,3900 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Optimos® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MOSFET (Metalloxid) | Umt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 210 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 5.3OHM @ 210 mA, 10V | 2,5 V bei 200 µA | ± 20 V | 34 PF @ 30 V | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | R6050JNZ4C13 | 17.8700 | | 547 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6050 | MOSFET (Metalloxid) | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6050JNZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 50a (TC) | 15 v | 83mohm @ 25a, 15V | 7v @ 5ma | 120 NC @ 15 V | ± 30 v | 4500 PF @ 100 V | - - - | 615W (TC) | |||||||||||||||||||
| RCX450N20 | 3.0300 | | 137 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX450 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 45a (TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a, 10V | 5v @ 1ma | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 4200 PF @ 25 V. | - - - | 2,23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SP8K5TB | - - - | | 4828 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K5 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,5nc @ 5v | 140pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||
 | Dtd143ect116 | 0,3800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 47 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||
 | UMH2NFHATN | 0,4800 | | 780 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH2 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-umh2nfhatntr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||
 | UT6ME5TCR | 0,6500 | | 2501 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | N und p-kanal | 100V | 2a (ta), 1a (ta) | 207Mohm @ 2a, 10V, 840Mohm @ 1a, 10 V. | 2,5 V @ 1ma | 2,8nc @ 10v, 6,7nc @ 10v | 90PF @ 50V | Standard |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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