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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SCR375P5T100R | 0,6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR375 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 80 mA, 800 mA | 180 @ 200 Ma, 5V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | FMW1T148 | - - - | ![]() | 5146 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | FMW1 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH59T2R | 0,0801 | ![]() | 1426 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH59 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta114tetl | 0,0678 | ![]() | 4855 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR554PHZGT100 | 0,6900 | ![]() | 175 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 25 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMD6AT108 | 0,1119 | ![]() | 5347 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMD6 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 1 PNP Voreingensmen, 1 NPN | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT50TM65DGC9 | 3.5200 | ![]() | 9904 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RGT50 | Standard | 47 w | To-220nfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 21 a | 75 a | 2,1 V @ 15V, 25a | - - - | 49 NC | 27ns/88ns | |||||||||||||||||||||
![]() | R6020Knxc7g | 4.9000 | ![]() | 775 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6020Knxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 20a (ta) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1550 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XE3HZGTL | 0,4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTC124XE3HZGTLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Rp1h065sptr | - - - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RP1H065 | MOSFET (Metalloxid) | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 45 V | 6,5a (ta) | 4 V, 10V | 31mohm @ 6.5a, 10V | 3V @ 1ma | 28 NC @ 5 V | ± 20 V | 3200 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | R8008anx | 3.3082 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R8008 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 800 V | 8a (ta) | 10V | 1,03OHM @ 4a, 10V | 5v @ 1ma | 39 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1080 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | R6530Knxc7g | 6.6700 | ![]() | 894 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6530 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6530Knxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 30a (ta) | 10V | 140MOHM @ 14.5A, 10V | 5 V @ 960 ua | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2350 PF @ 25 V. | - - - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | R6004Rnd3tl1 | 1.1900 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 15 v | 1,73ohm @ 2a, 15 V | 7v @ 450 ähm | 10.5 NC @ 15 V | ± 30 v | 230 PF @ 100 V | - - - | 60 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RW1A020ZPT2R | - - - | ![]() | 5174 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RW1A020 | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | P-Kanal | 12 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 6,5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 770 PF @ 6 V | - - - | 400 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | RSJ250P10TL | 2.8700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ250 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 25a (ta) | 4 V, 10V | 63mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 60 NC @ 5 V | ± 20 V | 8000 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Rw4e045attcl1 | 0,8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerufdfn | Rw4e045 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1616-7T | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 48mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 485 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | RD3P07BBHTL1 | 3.0100 | ![]() | 8402 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P07 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 80A (TA), 70A (TC) | 6 V, 10V | 7.7MOHM @ 70A, 10V | 4v @ 1ma | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 2410 PF @ 50 V | - - - | 89W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dta144vcat116 | 0,3500 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta144 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1038STPR | - - - | ![]() | 6789 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 2SA1038 | 300 MW | Spt | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SA1038STPRTB | 5.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 500 mA, 2V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6009end3tl1 | 2.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6009 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 9a (TC) | 10V | 535mohm @ 2,8a, 10V | 4v @ 1ma | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 430 PF @ 25 V. | - - - | 94W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E030RPTL | 0,5900 | ![]() | 7057 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5E030 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5.2 NC @ 5 V | ± 20 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | RF4L070BGTCR | 1.0900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | RF4L070 | MOSFET (Metalloxid) | DFN2020-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 27mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 460 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | RCX510N25 | 3.0468 | ![]() | 1817 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RCX510N25 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 51a (ta) | 10V | - - - | - - - | ± 30 v | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2029FHAT2LR | 0,3900 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SA2029 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SA2029FHAT2LRTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | EMZ2T2R | 0,1084 | ![]() | 9358 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMZ2T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JE3TL | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB723YETL | 0,1049 | ![]() | 3457 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTB723 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 200 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RRR030P03TL | 0,6000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RRR030 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5.2 NC @ 5 V | ± 20 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | Rf4e110gntr | 0,5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | RF4E110 | MOSFET (Metalloxid) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11.3mohm @ 11a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 7.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 504 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | R6015fnx | 4.2704 | ![]() | 2546 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6015 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6015FNX | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 15a (ta) | 10V | 350MOHM @ 7.5A, 10V | 5v @ 1ma | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1660 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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