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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Rhu002n06frat106 | 0,4200 |  | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Rhu002 | MOSFET (Metalloxid) | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 200 Ma (TA) | 4 V, 10V | 2,4OHM @ 200 Ma, 10V | 2,5 V @ 1ma | 4.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 15 PF @ 10 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | R6022Synxc7g | 4.4600 | | 6907 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6022 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-R6022YNXC7G | 50 | N-Kanal | 600 V | 13a (TC) | 10V, 12V | 165mohm @ 6.5a, 12V | 6 V @ 1,8 mA | 33 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1400 PF @ 100 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
 | RQ6E030SPTR | 0,6800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6E030 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 80Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6 NC @ 5 V. | ± 20 V | 440 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | R6015Knjtl | 2.8900 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6015 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5a, 10V | 5v @ 1ma | 37,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1050 PF @ 25 V. | - - - | 184W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | RQ5C025TPTL | 0,6300 | | 5947 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5C025 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 95mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 630 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
| DTD143ESTP | - - - | | 4676 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | DTD143 | 300 MW | Spt | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTD143ESTPTR | 5.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 47 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | HP8S36TB | 0,7100 | | 5783 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | HP8S36 | - - - | 29W | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 27a, 80a | 2,4 MOHM @ 32A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 47nc @ 4,5V | 6100PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| RCJ050N25TL | 0,4772 | | 9153 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ050 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 5a (TC) | 10V | 1,36OHM @ 2,5a, 10V | 5,5 V @ 1ma | 8,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | R6046FNZ1C9 | 11.4400 | | 278 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6046FNZ1C9 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 600 V | 46a (TC) | 10V | 98mohm @ 23a, 10V | 5v @ 1ma | 150 NC @ 10 V. | ± 30 v | 6230 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| DTA123YE3HZGTL | 0,4100 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta123 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTA123ye3HZgtlct | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
| R6012anjtl | 2.3167 | | 6973 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6012 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (ta) | 10V | 420mohm @ 6a, 10V | 4,5 V @ 1ma | 35 NC @ 10 V | ± 30 v | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | R6014YNXC7G | 3.4200 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6014 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6014YNXC7G | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 9a (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12V | 6v @ 1,4 mA | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 890 PF @ 100 V | - - - | 54W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Dta015euBtl | 0,0536 | | 3872 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA015E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA015 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | EM6K7T2CR | 0,4200 | | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EM6K7 | MOSFET (Metalloxid) | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 200 Ma (TA) | 1,2OHM @ 200 Ma, 2,5 V. | 1v @ 1ma | - - - | 25pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | SP8M10FU6TB | - - - | | 7224 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M10 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 7a, 4,5a | 24MOHM @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 11.8nc @ 5v | 600PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
| DTC143XE3TL | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC114Y | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | QS5Y1TR | 0,7400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QS5Y1 | 1.25W | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30V | 3a | 1 µA (ICBO) | NPN, PNP (Emitter Gekoppelt) | 400mv @ 50 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 300 MHz, 270 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | QH8K22TCR | 0,7100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8K22 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W (TA) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6,5a (ta) | 46mohm @ 6.5a, 10V | 2,5 V @ 10 ähm | 2.6nc @ 10v | 195pf @ 20V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| QH8KA2TCR | 0,7600 | | 394 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8KA2 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W (TA) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 4,5a (TA) | 35mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8.4nc @ 10v | 365PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| RTR025N03HZgtl | 0,6500 | | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RTR025 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 92mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 4,6 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 220 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | Dtb543eee3tl | 0,4000 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTB543 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-DTB543EEEE3TLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 115 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
| SP8J3FU6TB | - - - | | 1945 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8J3 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 3.5a | 90 MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5,5nc @ 5v | 490pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SCR586Jgtll | 1.8700 | | 889 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | 40 w | To-263ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 100 mA, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
| DTB543ZE3TL | 0,4000 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTB543 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | RCD100N20TL | 0,7590 | | 4074 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RCD100 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 10a (TC) | 10V | 182mohm @ 5a, 10V | 5.25V @ 1ma | 25 NC @ 10 V | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | US6K2TR | 0,6600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | US6K2 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 1.4a | 240 MOHM @ 1,4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 2nc @ 5v | 70pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
| RQ6A045APTCR | 0,6900 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6A045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4,5a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 40 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 4200 PF @ 6 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | RGCL60TK60DGC11 | 5.6200 | | 74 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | RGCL60 | Standard | 54 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 600 V | 30 a | 120 a | 1,8 V @ 15V, 30a | 770 µJ (EIN), 1,11mj (AUS) | 68 NC | 44ns/186ns | ||||||||||||||||||||||
| SP8K3FRATB | 1.5300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K3 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 7a (ta) | 24MOHM @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 11.8nc @ 5v | 600PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| Emb3t2r | 0,0801 | | 8237 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb3t2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 2,5 mA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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