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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RH6P040BHTB1 | 1.8400 |  | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RH6P040BHTB1CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 6 V, 10V | 15,6 MOHM @ 40A, 10V | 4v @ 1ma | 16.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1080 PF @ 50 V | - - - | 59W (TC) | ||||||||||||||
 | DTC114TU3T106 | 0,3100 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||
 | R8011Knxc7g | 5.0300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R8011 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 11a (ta) | 10V | 450MOHM @ 5.5A, 10V | 4,5 V @ 5,5 mA | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 100 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||
 | RSQ045N03TR | 0,8000 | | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4 V, 10V | 38mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 9,5 NC @ 5 V. | ± 20 V | 520 PF @ 10 V | - - - | 600 MW (TA) | |||||||||||||
 | DTA123JKAT246 | 0,0360 | | 9353 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-346 | Dta123 | 200 MW | SOT-346 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | 2SCR513PHZGT100 | 0,5800 | | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 360 MHz | ||||||||||||||||||
 | DTC114EEEE3HZGTL | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
 | HS8MA2TCR1 | 1.0600 | | 750 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | HS8MA2 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | DFN3333-9DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N und p-kanal | 30V | 5a (ta), 7a (ta) | 80MOHM @ 5,5A, 10V, 35MOHM @ 7A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 7,8nc @ 10v, 8,4nc @ 10v | 320pf @ 10v, 365PF @ 10v | - - - | |||||||||||||||
 | SCT3060ArHRC15 | 15.2000 | | 6091 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT3060 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-4l | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT3060ArHRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 650 V | 39a (TC) | 18V | 78mohm @ 13a, 18 V. | 5,6 V @ 6.67 Ma | 58 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 852 PF @ 500 V | - - - | 165W | |||||||||||||
| 2SCR502U3T106 | 0,4200 | | 70 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SCR502 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 200na (ICBO) | Npn | 300mV @ 10ma, 200 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 360 MHz | |||||||||||||||||
 | RUR040N02HZgtl | 0,8000 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | Rur040 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 35mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 8 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 680 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||
 | DTC123TCAT116 | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||
 | RP1E050RPTR | 0,9000 | | 95 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| R5013anxfu6 | - - - | | 8121 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 13a (ta) | 10V | 380MOHM @ 6.5a, 10V | 4,5 V @ 1ma | 35 NC @ 10 V | ± 30 v | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||
 | SP8K1FRATB | 1.3400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K1 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5a (ta) | 51mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5,5nc @ 5v | 230pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||
 | SCT3040KW7TL | 38.8000 | | 8346 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | SCT3040 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 1200 V | 56a (TC) | 52mohm @ 20a, 18V | 5,6 V @ 10 Ma | 107 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 1337 PF @ 800 V | - - - | 267W | ||||||||||||||
 | RCD075N20TL | 0,6045 | | 4169 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RCD075 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 7.5a (TC) | 10V | 325mohm @ 3.75a, 10V | 5.25V @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 755 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||
| SP8K31HZGTB | 1.4900 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K31 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-sp8k31hzgtbtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3,5a (TA) | 120 MOHM @ 3,5A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 5.2nc @ 5v | 250pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||
| R6014ynd3tl1 | 2.9100 | | 7545 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6014 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 14a (TC) | 10V, 12V | 260mohm @ 5a, 12V | 6v @ 1,4 mA | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 890 PF @ 100 V | - - - | 132W (TC) | |||||||||||||||||
 | UT6KC5TCR | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | UT6KC5 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | DFN2020-8D | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3,5a (TA) | 95mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3.1nc @ 10v | 135PF @ 30V | - - - | |||||||||||||||
 | Um6j1ntn | 0,4800 | | 19 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UM6J1 | MOSFET (Metalloxid) | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 200 ma | 1,4OHM @ 200 Ma, 10V | 2,5 V @ 1ma | - - - | 30pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | 2SAR523MT2L | 0,3500 | | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SAR523 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 300 MHz | |||||||||||||||||
 | R6507KND3TL1 | 1.7200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6507 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 665Mohm @ 2,4a, 10V | 5 V @ 200 ähm | 14,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 470 PF @ 25 V. | - - - | 78W (TC) | |||||||||||||
| R6030ex | 5.8900 | | 2756 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6030 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10V | 4v @ 1ma | 85 NC @ 10 V | ± 30 v | 2100 PF @ 25 V | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||
 | RRL035P03TR | 0,4500 | | 936 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RRL035 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4 V, 10V | 50 MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8 NC @ 5 V | ± 20 V | 800 PF @ 10 V | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||
| Dta124ecahzgt116 | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta124 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
| 2SA1579U3T106S | 0,4900 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA1579 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SA1579U3T106str | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||
| 2SAR583D3FRATL | 2.5500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 50 v | 7 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400 MV @ 150 mA, 3a | 180 @ 1ma, 3v | 230 MHz | ||||||||||||||||||
| RJU003N03FRAT106 | 0,4100 | | 32 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Rju003 | MOSFET (Metalloxid) | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 300 mA (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 1,1OHM @ 300 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | ± 12 V | 24 PF @ 10 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||
 | R6524ENZC17 | 6.3700 | | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6524 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6524ZC17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10V | 4v @ 750 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1650 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) |
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