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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC3906KT146R | 0,4200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC3906 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TK65DGVC11 | 6.5700 | ![]() | 440 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | RGW80 | Standard | 81 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 92 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 39 a | 160 a | 1,9 V @ 15V, 40a | 760 µJ (EIN), 720 µJ (AUS) | 110 NC | 44ns/143ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Emb2t2r | 0,3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb2t2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMF6T2R | 0,1814 | ![]() | 1630 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 12 V PNP, 30 V n-Kanal | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMF6T2 | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 500 mA PNP, 100 Ma n-Kanal | PNP, N-Kanal | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR573D3TL1 | 0,8500 | ![]() | 338 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SAR573 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 1a | 180 @ 100 Ma, 3V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124TKAT146 | 0,2600 | ![]() | 430 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta124 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EETL | 0,3700 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 50 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114TKAT146 | 0,3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta114 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1963T100R | 0,2849 | ![]() | 5302 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD1963 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 20 v | 3 a | 500NA (ICBO) | Npn | 450 MV @ 150 Ma, 1,5a | 180 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fmg6at148 | 0,1011 | ![]() | 1095 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fmg6 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5L015SPTL | 0,4900 | ![]() | 8767 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5L015 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1,5a (ta) | 4 V, 10V | 280 MOHM @ 1,5A, 10V | 3V @ 1ma | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 500 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Umh9ntn | 0,4700 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMH9 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1768STPR | - - - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 80 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 20 mA, 500 mA | 120 @ 500 mA, 3V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
SP8K22Hzgtb | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K22 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 45 V | 4,5a (TA) | 46mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 9.6nc @ 5v | 550pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR512PT100 | 0,1982 | ![]() | 5974 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR512 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4403T93 | - - - | ![]() | 7046 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N4403 | 625 MW | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tt8j21tr | 0,9600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | TT8J21 | MOSFET (Metalloxid) | 650 MW | 8-TSST | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 2.5a | 68 MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 12nc @ 4,5V | 1270pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMD2FHAT2R | 0,3800 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD2FHAT2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | - - - | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC6114T2LR | - - - | ![]() | 4238 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-72 Foreded Leads | 150 MW | Vmn3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 2,5 mA, 25 mA | 180 @ 2ma, 6v | 130 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1695TL | 0,4700 | ![]() | 860 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 2SB1695 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 370mv @ 50 Ma, 1a | 270 @ 100 mA, 2V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA113TKAT146 | 0,3100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta113 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2652T106 | 0,4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SD2652 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 200 Ma, 2V | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1781KT146Q | 0,4100 | ![]() | 554 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SD1781 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 800 mA | 500NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH50TS65GC11 | - - - | ![]() | 4782 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTH50 | Standard | 174 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 50 a | 100 a | 2,1 V @ 15V, 25a | - - - | 49 NC | 27ns/94ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858BT116 | 0,0848 | ![]() | 2963 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 350 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 210 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2226KT146V | 0,4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SD2226 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 300NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 820 @ 1ma, 5V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Fma5at148 | 0,5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fma5 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHP030N03T100 | 0,6900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | RHP030 | MOSFET (Metalloxid) | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 30 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 120Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 160 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSTA56T146 | 0,4100 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMSTA56 | 350 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 1 µA | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta023jubtl | 0,3000 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA023 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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