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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SH8KA4TB | 0,9500 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Sh8ka4 | - - - | 3W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9a | 21.4mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 15.5nc @ 10v | 640PF @ 15V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3L050SNTL1 | 1.2900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3L050 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 109mohm @ 5a, 10V | 3V @ 1ma | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 290 PF @ 10 V. | - - - | 15W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3u041aafratl | 1.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Rd3u041 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 250 V | 4a (TC) | 10V | 1,3OHM @ 2a, 10V | 5,5 V @ 1ma | 8,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 29W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc144ecahzgt116 | 0,1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC144 | 350 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD221N06TL | 0,6497 | ![]() | 4495 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD221 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 22a (TC) | 4 V, 10V | 26mohm @ 22a, 10V | 3V @ 1ma | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1500 PF @ 10 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
RSS100N03TB | - - - | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4 V, 10V | 13mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 14 NC @ 5 V | 20V | 1070 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | R6020EnX | 3.4900 | ![]() | 57 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 10a, 10V | 4v @ 1ma | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UMD22NTR | 0,3800 | ![]() | 9105 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umd22 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2705stp | - - - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 20 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 100 mv @ 3ma, 30 mA | 820 @ 4ma, 2v | 35 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA013ZUBTL | 0,0488 | ![]() | 2525 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA013Z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA013 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 30 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Fma1at148 | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | FMA1 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC043XUBTL | 0,2300 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC043 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ1A060ZPTR | 0,9600 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | RQ1A060 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 6a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 23mohm @ 6a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 34 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 2800 PF @ 6 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RF4L055GNTCR | 0,9000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | RF4L055 | MOSFET (Metalloxid) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 5.5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 43mohm @ 5,5a, 10V | 2,7 V @ 1ma | 7,8 NC @ 10 V | ± 20 V | 400 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P200SNTL1 | 2.1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P200 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 20a (ta) | 4 V, 10V | 46mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fmy6t148 | 0,2087 | ![]() | 7045 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Fmy6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMG8T2R | 0,3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | EMG8T2 | 150 MW | EMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
RSS100N03FRATB | 0,9400 | ![]() | 166 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4 V, 10V | 13,3 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | 1070 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
SH8K52GZETB | 1.2600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K52 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 3a (ta) | 170Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8,5nc @ 5v | 610pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT16NS65DGC9 | 2.7900 | ![]() | 663 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | RGT16 | Standard | 94 w | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 8a, 10ohm, 15 V. | 42 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 16 a | 24 a | 2,1 V @ 15V, 8a | - - - | 21 NC | 13ns/33ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143EU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC143 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
RSS130N03HZGTB | 2.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS130 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4 V, 10V | 8.3mohm @ 13a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 35 NC @ 5 V. | ± 20 V | 2000 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC124 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM300D12P4G101 | 965.0400 | ![]() | 5353 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Kasten | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BSM300 | Silziumkarbid (sic) | 925W (TC) | Modul | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-BSM300D12P4G101 | 4 | 2 N-Kanal | 1200V | 291a (TC) | - - - | 4,8 V @ 145.6 Ma | - - - | 30000PF @ 10V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HP8M51TB1 | 2.3200 | ![]() | 8642 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | HP8M51 | MOSFET (Metalloxid) | 3W (TA) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 100V | 4,5a (TA) | 170MOHM @ 4,5A, 10V, 290 MOHM @ 4,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 15nc @ 10v, 26.2nc @ 10v | 600pf @ 50V, 1430pf @ 50V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Rv2e014ajt2cl | 0,5500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 30 v | 700 mA (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 290MOHM @ 1,4a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | ± 12 V | 105 PF @ 15 V | - - - | 400 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3S100CNTL1 | 2.2500 | ![]() | 85 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3S100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 190 v | 10a (TC) | 4 V, 10V | 182mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RP1A090ZPTR | - - - | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RP1A090 | MOSFET (Metalloxid) | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 12 v | 9a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 12mohm @ 9a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 59 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 7400 PF @ 6 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC3838KT146p | 0,3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC3838 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 11 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 10 mA | 56 @ 5MA, 10 V. | 3,2 GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3030ArHRC15 | 27.0600 | ![]() | 9354 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT3030 | MOSFET (Metalloxid) | To-247-4l | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT3030ArHRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 650 V | 70a (TC) | 18V | 39mohm @ 27a, 18V | 5,6 V @ 13,3 mA | 104 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 1526 PF @ 500 V | - - - | 262W |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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