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Transistoren (3592)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Anwendungen	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
EMD53T2R	0,4700	RFQ	5678	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv				Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	EMD53			150 MW	EMT6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	8.000																	50V	100 ma						500NA	1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual)	150 mV @ 500 µA, 5 mA	35 @ 5ma, 10 V.	250 MHz	10kohm	10kohm
RGTH40TS65GC11	- - -	RFQ	9653	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Nicht für Designs		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		K. Loch	To-247-3	RGTH40	Standard		144 w	To-247n	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30				400 V, 20A, 10OHM, 15 V.												TRABENFELD STOPP	650 V	40 a	80 a	2,1 V @ 15V, 20a	- - -	40 NC	22ns/73ns
RSS065N03TB1	- - -	RFQ	3569	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		150 ° C.		Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)			MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)		846-RSS065N03TB1TR	Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal			30 v	6,5a (ta)	4 V, 10V	27mohm @ 6.5a, 10V	2,5 V @ 1ma	8,6 NC @ 5 V.	± 20 V	430 PF @ 10 V.	- - -	2W (TA)
DTA124XEBTL	0,3700	RFQ	1	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv				Oberflächenhalterung	SC-89, SOT-490	Dta124			150 MW	EMT3F (SOT-416FL)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																	50 v	100 ma						500NA	PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5ma, 5v	250 MHz	22 Kohms	47 Kohms
2SC2389stpr	- - -	RFQ	4292	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Box (TB)	Aktiv		150 ° C (TJ)		K. Loch	SC-72 Foreded Leads	2SC2389			300 MW	Spt	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	846-2SC2389stprtb			5.000																	120 v	50 ma						500NA	Npn	300mv @ 5ma, 50 mA	820 @ 1ma, 5V
Dta143ze3tl	0,3700	RFQ	3	Rohm Semiconductor	DTC143Z	Band & Rollen (TR)	Aktiv				Oberflächenhalterung	SC-75, SOT-416	Dta143			150 MW	Emt3	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)			Ear99	8541.21.0075	3.000																	50 v	100 ma						500NA (ICBO)	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 250 ua, 5 mA	82 @ 5MA, 5V	250 MHz	100 Kohms	100 Kohms
RS3L110ATTB1	2.4800	RFQ	5	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	RS3L		MOSFET (Metalloxid)		8-Sop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-RS3L110AATTB1TR	Ear99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal			60 v	11a (ta)	4,5 V, 10 V.	12,8 MOHM @ 11A, 10V	2,5 V @ 1ma	115 NC @ 10 V	± 20 V	6300 PF @ 30 V	- - -	1.4W (TA)
R6020ENZ4C13	5.7900	RFQ	600	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)		K. Loch	To-247-3	R6020		MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-R6020ENZ4C13	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal			600 V	20A (TC)	10V	196mohm @ 9.5a, 10V	4v @ 1ma	60 nc @ 10 v	± 20 V	1400 PF @ 25 V.	- - -	231W (TC)
UT6JA3TCR	0,8300	RFQ	3	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	6-Powerudfn	UT6JA3		MOSFET (Metalloxid)	2W (TA)	Huml2020l8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000	2 p-kanal (dual)				20V	5a (ta)		59mohm @ 5a, 4,5 V.	1,5 V @ 1ma	6,5nc @ 4,5V		460PF @ 10V	- - -
RGT20TM65DGC9	2.7900	RFQ	6314	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Aktiv		-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)		K. Loch	To-220-3 Full Pack	RGT20	Standard		25 w	To-220nfm	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-RGT20TM65DGC9	Ear99	8541.29.0095	50				400 V, 10a, 10ohm, 15 V.											42 ns	TRABENFELD STOPP	650 V	10 a	30 a	2,1 V @ 15V, 10a	- - -	22 NC	12ns/32ns
DTC113ZU3HZGT106	0,3800	RFQ	45	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv				Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	DTC113			200 MW	Umt3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																	50 v	100 ma						500NA	NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	33 @ 5ma, 5v	250 MHz	1 Kohms	10 Kohms
DTC143TKT146	- - -	RFQ	7251	Rohm Semiconductor	DTC143T	Band & Rollen (TR)	Veraltet				Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DTC143			200 MW	SMT3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM			846-DTC143TKT146TR	Veraltet		3.000																	50 v	100 ma						500NA (ICBO)	NPN - VORGEPANNT	150 mV @ 250 ua, 5 mA	100 @ 1ma, 5V	250 MHz	4.7 Kohms
RAQ045P01TCR	0,4800	RFQ	8	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6	Raq045		MOSFET (Metalloxid)		TSMT6 (SC-95)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000		P-Kanal			12 v	4,5a (TA)	1,5 V, 4,5 V.	30mohm @ 4,5a, 4,5 V.	1v @ 1ma	40 NC @ 4,5 V.	-8v	4200 PF @ 6 V	- - -	600 MW (TA)
EMF6T2R	0,1814	RFQ	1630	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	12 V PNP, 30 V n-Kanal		Allgemein Zweck	Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	EMF6T2				EMT6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	8.000			500 mA PNP, 100 Ma n-Kanal																						PNP, N-Kanal
RQ5A040ZPTL	0,8100	RFQ	8	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	SC-96	RQ5A040		MOSFET (Metalloxid)		Tsmt3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000		P-Kanal			12 v	4a (ta)	1,5 V, 4,5 V.	30mohm @ 4a, 4,5 V.	1v @ 1ma	30 NC @ 4,5 V.	± 10 V	2350 PF @ 6 V.	- - -	700 MW (TA)
R6535KNX3C16	6.8600	RFQ	165	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)		K. Loch	To-220-3	R6535		MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-R6535KNX3C16	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal			650 V	35a (TC)	10V	115mohm @ 18.1a, 10V	5v @ 1,3 mA	72 NC @ 10 V	± 20 V	3000 PF @ 25 V.	- - -	370W (TC)
UT6K3TCR1	1.0000	RFQ	2	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	8-Powerudfn	UT6K3		MOSFET (Metalloxid)	2W (TA)	Huml2020l8	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	3.000	2 n-kanal (dual)				30V	5.5a (TA)		42mohm @ 5a, 4,5 V.	1,5 V @ 1ma	4nc @ 4,5V		450pf @ 15V	- - -
BSS138WT106	0,5000	RFQ	2	Rohm Semiconductor	Optimos®	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323			MOSFET (Metalloxid)		Umt3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal			60 v	310 mA (TA)	2,5 V, 10 V.	2,4OHM @ 310 mA, 10V	2,3 V @ 1ma		± 20 V	15 PF @ 30 V	- - -	200 MW (TA)
BSM180C12P3C202	590.4000	RFQ	11	Rohm Semiconductor	- - -	Schüttgut	Aktiv		-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Chassis -berg	Modul	BSM180		Sicfet (Silziumkarbid)		Modul	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-BSM180C12P3C202	Ear99	8541.29.0095	12		N-Kanal			1200 V	180a (TC)	- - -	- - -	5,6 V @ 50 Ma		+22V, -4 v	9000 PF @ 10 V	- - -	880W (TC)
RSJ151P10TL	1.5500	RFQ	1	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	RSJ151		MOSFET (Metalloxid)		Lpts	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		P-Kanal			100 v	15a (TC)	4 V, 10V	120MOHM @ 15a, 10V	2,5 V @ 1ma	64 NC @ 10 V	± 20 V	3800 PF @ 25 V.	- - -	1,35W (TA), 50W (TC)
2SAR293PHZGT100	0,5600	RFQ	1	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-243aa				500 MW	SOT-89	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	1.000																	30 v	1 a						100NA (ICBO)	PNP	350 MV @ 25ma, 500 mA	270 @ 100 mA, 2V	320 MHz
R6024KNZ4C13	6.7200	RFQ	600	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)		K. Loch	To-247-3	R6024		MOSFET (Metalloxid)		To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	846-R6024Knz4c13	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal			600 V	24a (TC)	10V	165mohm @ 11.3a, 10V	5v @ 1ma	45 nc @ 10 v	± 20 V	2000 PF @ 25 V.	- - -	245W (TC)
2SAR642PHZGT100	0,9100	RFQ	810	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-243aa				500 MW	SOT-89	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	1.000																	30 v	3 a						1 µA (ICBO)	PNP	400mv @ 100 mA, 2a	200 @ 500 Ma, 2V	240 MHz
R6004Knjtl	1.0688	RFQ	1007	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	R6004		MOSFET (Metalloxid)		Lpts	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal			600 V	4a (TC)	10V	980 MOHM @ 1,5A, 10V	5v @ 1ma	10.2 NC @ 10 V	± 20 V	280 PF @ 25 V.	- - -	58W (TC)
EMH60T2R	0,4700	RFQ	32	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv				Oberflächenhalterung	SOT-563, SOT-666	EMH60			150 MW	EMT6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	8.000																	50V	100 ma						500NA	2 NPN - Voresingenben (Dual)	150 mV @ 500 µA, 5 mA	80 @ 5ma, 10V	250 MHz	2.2ko	47kohm
R6007Jnjgtl	2.8200	RFQ	1	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	R6007		MOSFET (Metalloxid)		Lpts	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal			600 V	7a (TC)	15 v	780 MOHM @ 3,5A, 15 V	7v @ 1ma	17,5 NC @ 15 V	± 30 v	475 PF @ 100 V	- - -	96W (TC)
DTA124EUBTL	0,2000	RFQ	2	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs				Oberflächenhalterung	SC-85	Dta124			200 MW	Umt3f	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																	50 v	30 ma						500NA	PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	56 @ 5ma, 5V	250 MHz	22 Kohms	22 Kohms
US6T8TR	0,5800	RFQ	2	Rohm Semiconductor	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		150 ° C (TJ)		Oberflächenhalterung	6-smd, Flache Leitungen	US6T8			400 MW	Tumt6	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	3.000																	12V	1,5a						100NA (ICBO)	2 PNP (Dual)	200mv @ 25ma, 500 mA	270 @ 200 Ma, 2V	400 MHz
SCT3030AlHRC11	53.3200	RFQ	478	Rohm Semiconductor	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Aktiv		175 ° C (TJ)		K. Loch	To-247-3	SCT3030		Sicfet (Silziumkarbid)		To-247n	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal			650 V	70a (TC)	18V	39mohm @ 27a, 18V	5,6 V @ 13,3 mA	104 NC @ 18 V	+22V, -4 v	1526 PF @ 500 V	- - -	262W
R6022YNX3C16	3.0400	RFQ	1970	Rohm Semiconductor	- - -	Rohr	Aktiv		150 ° C (TJ)		K. Loch	To-220-3			MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		846-R6022YNX3C16	Ear99	8541.29.0095	1.000		N-Kanal			600 V	22a (TC)	10V, 12V	165mohm @ 6.5a, 12V	6 V @ 1,8 mA	33 NC @ 10 V.	± 30 v	1400 PF @ 100 V	- - -	205W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3592)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²