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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6515Knzc8 | - - - | ![]() | 9464 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6515 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6515Knzc8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10V | 5 V @ 430 ähm | 27,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1050 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR544P5T100 | 0,6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR544 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 2,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 100 mA, 3V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3022KLHRC11 | 132.6100 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT3022 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 95a (TC) | 18V | 28,6 Mohm @ 36a, 18 V | 5,6 V @ 18,2 Ma | 178 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 2879 PF @ 800 V | - - - | 427W | ||||||||||||||||||||||
![]() | SP8M3FD5TB1 | - - - | ![]() | 8104 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | SP8M3 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-SP8M3FD5TB1TR | Veraltet | 2.500 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143XEFRATL | 0,2300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SP8M24MB4TB1 | - - - | ![]() | 1017 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | SP8M24 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-SP8M24MB4TB1TR | Veraltet | 2.500 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3060AW7TL | 18.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | SCT3060 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 38a (TC) | 78mohm @ 13a, 18 V. | 5,6 V @ 6.67 Ma | 58 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 852 PF @ 500 V | - - - | 159W | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC013ZMT2L | 0,3000 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC013 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 30 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta143eefratl | 0,0683 | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta143 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EUBTL | 0,2000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC124 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc124eubhzgtl | 0,2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC124 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E160ADTB | 0,7800 | ![]() | 9130 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E160 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 16a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 16A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 51 NC @ 10 V | ± 20 V | 2550 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6504end3tl1 | 1.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6504 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 4a (TC) | 10V | 1,05OHM @ 1,5a, 10 V. | 4V @ 130 ähm | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 220 PF @ 25 V. | - - - | 58W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR544PHZGT100 | 0,6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SCR544PHZGT100CT | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 100 mA, 3V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
R6024Knzc17 | 6.3700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6024 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6024Knzc17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10V | 5v @ 1ma | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RTL035N03FRATR | 0,4200 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RTL035 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 56mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 6,4 NC @ 4,5 V. | 350 PF @ 10 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4026DEHRC11 | 22.7600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4026DEHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 750 V | 56a (TC) | 18V | 34mohm @ 29a, 18V | 4,8 V @ 15,4 mA | 94 NC @ 18 V | +21V, -4v | 2320 PF @ 500 V | - - - | 176W | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1260T100P | 0,2832 | ![]() | 1988 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB1260 | 2 w | Mpt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 82 @ 100 mA, 3V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR533P5T100 | 0,4700 | ![]() | 736 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR533 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 180 @ 50 Ma, 3V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGPR20NL43HRTL | 2.8100 | ![]() | 3244 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RGPR20 | Standard | 107 w | To-263l | - - - | 1 (unbegrenzt) | 1.000 | 300 V, 8a, 100 Ohm, 5 V | - - - | 460 V | 20 a | 2v @ 5v, 10a | - - - | 14 NC | 170 ns/1,3 µs | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6KB5TCR | 0,9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | UT6KB5 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5a (ta) | 48mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,5nc @ 10v | 150pf @ 20V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144EU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC144 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA023EEBEBTL | 0,1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA023 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 10V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1197KT146R | 0,4200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SB1197 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 v | 800 mA | 500NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 Ma, 3V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMT52T2R | 0,3900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMT52 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT40TS65DGC13 | 9.3200 | ![]() | 7249 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGT40 | Standard | 144 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGT40TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 40 a | 60 a | 2,1 V @ 15V, 20a | - - - | 40 NC | 22ns/75ns | |||||||||||||||||||||
![]() | MMSTA64T146 | 0,4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMSTA64 | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | PNP - Darlington | - - - | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6E045RPTR | 0,9800 | ![]() | 9903 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6E045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4 V, 10V | 35mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 14 NC @ 5 V | ± 20 V | 1350 PF @ 10 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J1TR | 1.1600 | ![]() | 208 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QS8J1 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4,5a | 29mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 31nc @ 4,5V | 2450pf @ 6v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | EMT51T2R | 0,4700 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMT51 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 20V | 200 ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 6v | 350 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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