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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2Sc5868tlq | 0,4100 |  | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 2SC5868 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 500 mA | 1 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 50 Ma, 2V | 300 MHz | |||||||||||||||||
 | RRH140P03GZETB | 2.5600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RRH140 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 14a (ta) | 4 V, 10V | 7mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 150 NC @ 10 V. | ± 20 V | 8000 PF @ 10 V | - - - | 650 MW (TA) | |||||||||||||
 | RSJ451N04FRATL | 2.5800 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ451 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 40 v | 45a (TC) | 10V | 13,5 MOHM @ 25a, 10V | 3V @ 1ma | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||
| RCJ200N20TL | 2.7300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ200 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 20A (TC) | 10V | 130mohm @ 10a, 10V | 5v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 106W (TC) | |||||||||||||
 | RQ3E130BNTB | 0,5800 | | 5095 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E130 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 13a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
 | RSQ030N08HZGTR | 0,8300 | | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ030 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 80 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 131mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6,5 NC @ 5 V. | ± 20 V | 550 PF @ 10 V | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||
 | DTC143ZKAT246 | - - - | | 1786 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | RF4E070BNTR | 1.0000 | | 780 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | RF4E070 | MOSFET (Metalloxid) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 28,6 MOHM @ 7A, 10V | 2v @ 250 ähm | 8,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 410 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
 | SH8J62TB1 | 1.3700 | | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8J62 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 4,5a | 56mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8nc @ 5v | 800PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | UM2222AU3HZGT106 | 0,4100 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | UM2222 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-uM2222AU3HZGT106TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | ||||||||||||||||||
| DTB122JKT146 | 0,1069 | | 9276 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB122 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 10 µA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 47 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 220 Ohm | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
| RSS095N05FU6TB | 0,9270 | | 2362 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS095 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 9,5a (TA) | 4 V, 10V | 16mohm @ 9.5a, 10V | - - - | 26,5 NC @ 5 V. | 20V | 1830 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
 | US5U1TR | 0,2512 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | US5U1 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 240 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 2,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 80 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1W (TA) | |||||||||||||
| Dta114guat106 | 0,2600 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||
| SH8MA2GZETB | 0,7400 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8MA2 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 4,5a (TA) | 80MOHM @ 4,5A, 10V, 82MOHM @ 4,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3nc @ 4,5V, 6,7nc @ 4,5 V. | 125PF @ 15V, 305PF @ 15V | - - - | |||||||||||||||
 | Dta114ycahzgt116 | 0,2100 | | 2625 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta114 | 350 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
 | VT6M1T2CR | 0,4100 | | 66 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | VT6M1 | MOSFET (Metalloxid) | 120 MW | VMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N und p-kanal | 20V | 100 ma | 3,5 Ohm @ 100 Ma, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | - - - | 7.1pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 1,2 V Auftwerk | |||||||||||||||
 | Dtc143xmfhat2l | 0,2600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC143 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
 | R6515Exc7g | 3.8300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6515 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6515Exc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 15a (ta) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10V | 4v @ 430 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 910 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||||||||
| DTA123YU3T106 | 0,2000 | | 410 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
 | R6030ENZ1C9 | - - - | | 6421 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10V | 4v @ 1ma | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||||
| QS6K1TR | 0,6800 | | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QS6K1 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 1a | 238mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 2.4nc @ 4.5V | 77pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | 2SCR512PT100 | 0,1982 | | 5974 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR512 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 320 MHz | |||||||||||||||||
| RCX051N25 | 1.3000 | | 49 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX051 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 5a (TC) | 10V | 1,36OHM @ 2,5a, 10V | 5,5 V @ 1ma | 8,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 350 PF @ 25 V. | - - - | 2,23W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||
 | 2SAR512RHZgtl | 0,8400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SAR512RHZGTLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 430 MHz | |||||||||||||||||
| RQ5L020SNTL | 0,6100 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5L020 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 2a (ta) | 4 V, 10V | 170Mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 2,7 NC @ 5 V. | ± 20 V | 180 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||
 | Dta114tebl | 0,0488 | | 6236 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||
| RTQ030P02TR | 0,2409 | | 9435 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ030 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 80MOHM @ 3a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 9 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 800 PF @ 10 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||||||||||
 | MP6K12TCR | - - - | | 9271 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MP6K12 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 5a | 42mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 4nc @ 5v | 250pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
 | Umb3ntn | 0,0848 | | 9570 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umb3 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - |
2000+
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30.000.000
Standardprodukteinheit
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