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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EMF18T2R | - - - | ![]() | 2510 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMF18 | 150 MW | EMT6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-emf18t2rtr | 8.000 | 50V | 100 mA, 150 mA | 500NA, 100NA (ICBO) | 1 NPN - VoreInensmen, 1 PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 500 mV @ 5 mA, 50 mA | 68 @ 5ma, 5v / 180 @ 1ma, 6v | 250 MHz, 140 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RT1E050RPTR | 0,2295 | ![]() | 6630 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | RT1E050 | MOSFET (Metalloxid) | 8-TSST | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 36mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 13 NC @ 5 V | ± 20 V | 1300 PF @ 10 V | - - - | 1,25W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTB114GCHZGT116 | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB114 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3L090GNTB | 1.4800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3L090 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 9A (TA), 30a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13,9 MOHM @ 9A, 10V | 2,7 V @ 300 ähm | 24,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1260 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
SH8K25GZ0TB1 | 1.2100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K25 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5.2a (TA) | 85mohm @ 5.2a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 1,7nc @ 5v | 100pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS00TS65DHRC11 | 5.4900 | ![]() | 8290 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGS00 | Standard | 326 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | 103 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 88 a | 150 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 1,46MJ (EIN), 1,29 MJ (AUS) | 58 NC | 36ns/115ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RE1C001ZPTL | 0,2900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | RE1C001 | MOSFET (Metalloxid) | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 100 mA (ta) | 1,2 V, 4,5 V. | 3,8OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | ± 10 V | 15 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA115EEEE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta115 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-dta115ee3HZgtldkr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2029T2LR | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SA2029 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RV5L030GNTCR1 | - - - | ![]() | 3827 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RV5L030GNTCR1TR | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Qst9tr | 0,6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | Qst9 | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30V | 1a | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
R6030Knzc17 | 7.5400 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6030 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6030Knzc17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10V | 5v @ 1ma | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2350 PF @ 25 V. | - - - | 86W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E180BNTB1 | 2.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E180 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18A (TA), 39a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 Mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 72 NC @ 10 V | ± 20 V | 3500 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
R6055vnzc17 | 10.7100 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6055VN | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-R6055vnzc17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 23a (TC) | 10V, 15 V | 71Mohm @ 16a, 15V | 6,5 V @ 1,5 mA | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 3700 PF @ 100 V | - - - | 99W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RZQ045P01TR | 0,7500 | ![]() | 355 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | Rzq045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 4,5a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 35mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 31 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 2450 PF @ 6 V | - - - | 1,25W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtd543eee3tl | 0,4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTD543 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 115 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5585e3tl | 0,4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SC5585 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10ma, 200 mA | 270 @ 10ma, 2v | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB143EKFRAT146 | 0,3489 | ![]() | 4548 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB143 | 200 MW | SMT3 | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 47 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6M11tr | 0,6700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | US6M11 | MOSFET (Metalloxid) | 1W | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 20V, 12V | 1,5a, 1,3a | 180 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 1,8nc @ 4,5V | 110pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Emb2fhat2r | 0,3600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb2fhat2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RU1J002YNTCL | 0,2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | Ru1j002 | MOSFET (Metalloxid) | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 0,9 V, 4,5 V. | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 800 mV @ 1ma | ± 8 v | 26 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH80TK65DGC11 | 6.3700 | ![]() | 446 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | RGTH80 | Standard | 66 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 31 a | 160 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 79 NC | 34ns/120ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | UMD25NTR | 0,4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UMD25 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2ko | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6E045TNTR | 0,6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6E045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 43mohm @ 4,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 10.7 NC @ 4.5 V. | ± 12 V | 540 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc144emfhat2l | 0,0668 | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC144 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115TKAT146 | 0,0488 | ![]() | 4055 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC115T | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC115 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST6427T116 | 0,1417 | ![]() | 1013 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST6427 | Smd3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 40 v | 50na (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 500 µA, 500 mA | 10000 @ 10ma, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
R6024ZM12C8 | - - - | ![]() | 7292 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6024 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6024ZM12C8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10V | 4v @ 1ma | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1650 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6C050Untr | 0,5200 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6C050 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 30mohm @ 5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 12 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 900 PF @ 10 V | - - - | 1,25W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1760TLQ | 0,3105 | ![]() | 2178 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD1760 | 15 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | 90 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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