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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SH8JC5TB1 | 2.3400 |  | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8JC5 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 7.5a (ta) | 32mohm @ 7,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 50nc @ 10v | 2630pf @ 30v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| SP8M2FU6TB | - - - | | 6469 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M2 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,5nc @ 5v | 140pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | EMD22T2R | 0,4400 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD22 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
 | RCD051N20TL | 0,2730 | | 3583 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RCD051 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 5a (TC) | 10V | 760 MOHM @ 2,5A, 10V | 5.25V @ 1ma | 8.3 NC @ 10 V | ± 30 v | 330 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | 2SC4617ebhzgtlr | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | 2SC4617 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | RSJ301N10TL | 2.9100 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ301 | MOSFET (Metalloxid) | To-263s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 30a (ta) | 4 V, 10V | 46mohm @ 15a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 50W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | DTA114TE3TL | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta114e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | DTA123JCAT116 | 0,3800 | | 285 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | R6030JNZC17 | 7.5600 | | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Tasche | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6030 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6030JNZC17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 300 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 15 v | 143mohm @ 15a, 15V | 7v @ 5,5 mA | 74 NC @ 15 V | ± 30 v | 2500 PF @ 100 V | - - - | 93W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | 2SD1781KT146R | 0,4100 | | 44 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SD1781 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 800 mA | 500NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 Ma, 3V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | DTC143XUBTL | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC143 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
| RU1E002SPTCL | 0,3600 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | Ru1e002 | MOSFET (Metalloxid) | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 250 mA (TA) | 4 V, 10V | 1,4OHM @ 250 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 30 PF @ 10 V | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
| RK3055tl | - - - | | 6917 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RK3055 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 8a (ta) | 10V | 150 MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 520 PF @ 10 V | - - - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||
| FMW4T148 | 0,2136 | | 2533 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | FMW4T148 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Sh8je5tb1 | 2.4200 | | 6852 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Sh8je5 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 2.500 | 2 P-Kanal | 100V | 4,5a (TA) | 9,1mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 52nc @ 10v | 2100pf @ 50V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DTD713ZMT2L | 0,3700 | | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTD713 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 30 v | 200 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | BSS64AT116 | 0,3500 | | 401 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS64 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 30 @ 25ma, 1V | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| RYC002N05T316 | 0,3800 | | 54 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ryc002 | MOSFET (Metalloxid) | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 4,5 v | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 800 mV @ 1ma | ± 8 v | 26 PF @ 10 V | - - - | 350 MW (TC) | |||||||||||||||||||||||
| RCJ100N25TL | 0,8404 | | 9128 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ100 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 10a (TC) | 10V | 320mohm @ 5a, 10V | 5v @ 1ma | 26,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1440 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| DTA123YE3TL | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta114t | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta123 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
 | R5011anx | - - - | | 5279 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R5011 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 11a (ta) | 10V | 500MOHM @ 5.5A, 10V | 4,5 V @ 1ma | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 1000 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| EMH52T2R | 0,3900 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH52 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
 | RGT8NL65DGTL | 2.0700 | | 972 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RGT8NL65 | Standard | 65 w | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 4a, 50 Ohm, 15 V | 40 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 8 a | 12 a | 2,1 V @ 15V, 4a | - - - | 13.5 NC | 17ns/69ns | ||||||||||||||||||||||
| DTC013ZBTL | 0,2600 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC013 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 30 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | DTA124EEEE3HZGTL | 0,4100 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-dta124ee3HZgtlct | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | QH8MA4TCR | 0,9000 | | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8MA4 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 9a, 8a | 16mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 15.5nc @ 10v | 640PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| SP8M51Hzgtb | 1.6600 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M51 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 100V | 3a (ta), 2,5a (ta) | 170MOHM @ 3a, 10V, 290MOHM @ 2,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8,5nc @ 5v, 12,5nc @ 5v | 610pf @ 25v, 1550pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| QS8J5TR | 1.6000 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QS8J5 | MOSFET (Metalloxid) | 600 MW | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 5a | 39mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 19nc @ 10v | 1100PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
| DTA144WCAT116 | 0,3700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta144 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
| DTC143TKAT146 | 0,2700 | | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms |
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