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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HP8KA1TB | 1.2200 | ![]() | 2273 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | HP8KA1 | MOSFET (Metalloxid) | 3W | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 14a | 5mohm @ 14a, 10V | 2,5 V @ 10 mA | 24nc @ 4,5 V | 2550pf @ 15V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||
![]() | RD3G07BBGTL1 | 3.0600 | ![]() | 4006 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3G07 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 150a (TA), 70A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 70A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 3540 PF @ 20 V | - - - | 89W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | DTC143ZU3T106 | 0,2000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC143 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | RD3P200SNFRATL | 2.9900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P200 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 20a (ta) | 4 V, 10V | 46mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | Rq3e180ajtb | 1.1600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E180 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18a (TA), 30a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 4,5 MOHM @ 18A, 4,5 V. | 1,5 V @ 11 Ma | 39 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 4290 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | DTD113EKFRAT146 | 0,1594 | ![]() | 3903 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD113 | 200 MW | SMT3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | 2SAR502E3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SAR502 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 200na (ICBO) | PNP | 400mv @ 10ma, 200 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 520 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | UT6J3TCR | 0,7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | UT6J3 | - - - | 2W | Huml2020l8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3a | 85mohm @ 3a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 8,5nc @ 4,5V | 2000pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | 2SCR544PT100 | 0,7100 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR544 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 2,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 100 mA, 3V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR375P5T100R | 0,6600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR375 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 320 MV @ 80 Ma, 800 mA | 120 @ 200 Ma, 5V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||
RSS070N05FU6TB | - - - | ![]() | 6236 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS070 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 7a (ta) | 4 V, 10V | 25mohm @ 7a, 10V | - - - | 16,8 NC @ 5 V. | 20V | 1000 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||
R6020Knzc8 | - - - | ![]() | 6105 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1550 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||
![]() | RQ5L015SPTL | 0,4900 | ![]() | 8767 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5L015 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 1,5a (ta) | 4 V, 10V | 280 MOHM @ 1,5A, 10V | 3V @ 1ma | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 500 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DTC114YCAT116 | 0,2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC114 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||
SP8K2FU6TB | - - - | ![]() | 5030 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K2 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 30mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 10.1nc @ 5v | 520pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||
![]() | EMF9T2R | 0,1998 | ![]() | 1638 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 12 V NPN, 30 V N-Kanal | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMF9T2 | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 500 Ma npn, 100 ma n-kanal | NPN, N-Kanal | |||||||||||||||||||||||||
SP8K3FU6TB | - - - | ![]() | 1237 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K3 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 7a | 24MOHM @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 11.8nc @ 5v | 600PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||
![]() | DTA014TUBTL | 0,0536 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta014t | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA014 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1774E3TLQ | 0,3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SA1774 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | R6086YNZ4C13 | 11.2000 | ![]() | 3657 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6086 | MOSFET (Metalloxid) | To-247g | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-R6086YNZ4C13 | 30 | N-Kanal | 600 V | 86a (TC) | 10V, 12V | 44mohm @ 17a, 12V | 6v @ 4.6 mA | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 5100 PF @ 100 V | - - - | 781W (TC) | |||||||||||||||||||
RRS100P03HZgtb | 2.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RRS100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12,6 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 39 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3600 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||
![]() | DTC015TUBTL | 0,0536 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC015 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EEEE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTC124EEEE3HZGTLDKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | MMST5087T146 | - - - | ![]() | 1650 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MMST5087 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-MMST5087T146TR | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
R6020ANZ8U7C8 | - - - | ![]() | 8153 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C. | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6020ANZ8U7C8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 20a (ta) | 10V | 220mohm @ 10a, 10V | 4.15 V @ 1ma | 65 NC @ 10 V | ± 30 v | 2040 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | EM6K34T2CR | 0,3900 | ![]() | 322 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EM6K34 | MOSFET (Metalloxid) | 120 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 200 ma | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 800 mV @ 1ma | - - - | 26pf @ 10v | Logikpegel Gate, 0,9 V. | ||||||||||||||||||
![]() | RS1E280BNTB | 0,9400 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 28a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 28a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 94 NC @ 10 V | ± 20 V | 5100 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 30W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | DTC144EEBEBTL | 0,2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC144 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | R6047enz1c9 | - - - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 25.8a, 10V | 4v @ 1ma | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3850 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | RQ1E070RPHZGTR | 0,5800 | ![]() | 9534 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | Tsmt8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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