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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DTA014TUBTL | 0,0536 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta014t | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA014 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
RRS100P03HZgtb | 2.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RRS100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 12,6 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 39 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3600 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC015TUBTL | 0,0536 | ![]() | 9228 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC015 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EEEE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTC124EEEE3HZGTLDKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | MMST5087T146 | - - - | ![]() | 1650 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MMST5087 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-MMST5087T146TR | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P200SNFRATL | 2.9900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P200 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 20a (ta) | 4 V, 10V | 46mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | UT6J3TCR | 0,7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | UT6J3 | - - - | 2W | Huml2020l8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 3a | 85mohm @ 3a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 8,5nc @ 4,5V | 2000pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | R6035VNX3C16 | 6.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | R6035 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6035VNX3C16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 35a (TC) | 10V, 15 V | 114mohm @ 8a, 15V | 6,5 V @ 1,1 Ma | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 2400 PF @ 100 V | - - - | 347W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | QSX8TR | 0,6300 | ![]() | 340 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QSX8 | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30V | 1a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1774E3TLQ | 0,3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SA1774 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6086YNZ4C13 | 11.2000 | ![]() | 3657 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6086 | MOSFET (Metalloxid) | To-247g | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-R6086YNZ4C13 | 30 | N-Kanal | 600 V | 86a (TC) | 10V, 12V | 44mohm @ 17a, 12V | 6v @ 4.6 mA | 110 nc @ 10 v | ± 30 v | 5100 PF @ 100 V | - - - | 781W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
R6020ANZ8U7C8 | - - - | ![]() | 8153 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C. | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6020ANZ8U7C8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 20a (ta) | 10V | 220mohm @ 10a, 10V | 4.15 V @ 1ma | 65 NC @ 10 V | ± 30 v | 2040 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | R6011Knd3tl1 | 3.0400 | ![]() | 8143 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6011 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390MOHM @ 3,8a, 10V | 5v @ 1ma | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 740 PF @ 25 V. | - - - | 124W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RS1E280BNTB | 0,9400 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 28a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,3 MOHM @ 28a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 94 NC @ 10 V | ± 20 V | 5100 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | EM6K34T2CR | 0,3900 | ![]() | 322 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EM6K34 | MOSFET (Metalloxid) | 120 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 200 ma | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 800 mV @ 1ma | - - - | 26pf @ 10v | Logikpegel Gate, 0,9 V. | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144EEBEBTL | 0,2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC144 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
RRS075P03FRATB | 0,6390 | ![]() | 1578 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RRS075 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 7.5a (ta) | 4 V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 21 NC @ 5 V | ± 20 V | 1900 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RHU003N03FRAT106 | 0,0630 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Rhu003 | MOSFET (Metalloxid) | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 300 mA (TA) | 4 V, 10V | 1,2OHM @ 300 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 20 PF @ 10 V | - - - | 200 MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rq7e110ajtcr | 0,9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | RQ7E110 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (TC) | 4,5 v | 9mohm @ 4,5a, 11V | 1,5 V @ 10 Ma | 22 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 2410 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | Fmy4at148 | 0,1452 | ![]() | 4463 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fmy4 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V, 60 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz, 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4102U3HZGT106S | 0,4200 | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4102 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 270 @ 2MA, 6V | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTV80TK65GVC11 | 6.3700 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | Standard | 85 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 39 a | 160 a | 1,9 V @ 15V, 40a | 1,02MJ (EIN), 710 µJ (AUS) | 81 NC | 39ns/113ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR502E3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SAR502 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 200na (ICBO) | PNP | 400mv @ 10ma, 200 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 520 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD113EKFRAT146 | 0,1594 | ![]() | 3903 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD113 | 200 MW | SMT3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR544PT100 | 0,7100 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR544 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 2,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 100 mA, 3V | 280 MHz | |||||||||||||||||||||||||
RRS110N03TB1 | - - - | ![]() | 5244 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RRS110 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4 V, 10V | 12,6 MOHM @ 11A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 33 NC @ 5 V. | ± 20 V | 2000 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSM080D12P2C008 | 382.4800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Tablett | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BSM080 | Silziumkarbid (sic) | 600W | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 2 n-kanal (dual) | 1200 V (1,2 kV) | 80A (TC) | - - - | 4v @ 13.2 mA | - - - | 800PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | RSD130P10TL | 0,8604 | ![]() | 5849 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD130 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 13a (ta) | 4 V, 10V | - - - | - - - | ± 20 V | - - - | 20W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | EMG2T2R | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | EMG2T2 | 150 MW | EMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4018KW7TL | 38.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 1200 V | 75a (TJ) | 18V | 23.4mohm @ 42a, 18V | 4,8 V @ 22,2 mA | 170 NC @ 18 V. | +21V, -4v | 4532 PF @ 800 V | - - - | 267W |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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