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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SD1768STPR | - - - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 80 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 20 mA, 500 mA | 120 @ 500 mA, 3V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD543EETL | 0,4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTD543 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 115 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124EEEE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-dta124ee3HZgtlct | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB113ECHZGT116 | 0,4100 | ![]() | 903 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB113 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA1444EEE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta144 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
R6524Knzc17 | 6.3700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6524 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6524Knzc17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10V | 5 V @ 750 ähm | 45 nc @ 10 v | ± 20 V | 1850 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143TCAT116 | 0,2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ035P03HZGTR | 0,8100 | ![]() | 146 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ035 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4 V, 10V | 65mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 9.2 NC @ 5 V. | ± 20 V | 780 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6E080AJTCR | 0,8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6E080 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 8a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 16,5 MOHM @ 8A, 4,5 V. | 1,5 V @ 2MA | 16,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 1810 PF @ 15 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | QH8MA4TCR | 0,9000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8MA4 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 9a, 8a | 16mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 15.5nc @ 10v | 640PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RH6P030BG | - - - | ![]() | 8209 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | RH6P030 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RH6P030BGTR | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6507enxc7g | 2.9400 | ![]() | 998 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6507 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6507Exc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 7a (ta) | 10V | 665Mohm @ 2,4a, 10V | 4 V @ 200 µA | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 46W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4061KT146N | 0,4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC4061 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 300 V | 100 ma | 500NA (ICBO) | Npn | 2v @ 5ma, 50 mA | 56 @ 10 mA, 10V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ510N25TL | 5.0100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ510 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 51a (TC) | 10V | 65mohm @ 25.5a, 10V | 5v @ 1ma | 120 nc @ 10 v | ± 30 v | 7000 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
RS3E095BNGZETB | 0,8800 | ![]() | 8492 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RS3E | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9,5a (TA) | 10V | 14,6 MOHM @ 9,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 680 PF @ 15 V | - - - | 2W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR514PHZGT100 | 0,5800 | ![]() | 179 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | PNP | 400 mV @ 15ma, 300 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 380 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EU3T106 | 0,2000 | ![]() | 3308 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC124 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta123je3tl | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC123J | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta123 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2450KEHRC11 | 12.0300 | ![]() | 8108 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT2450 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT2450KEHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 1200 V | 10a (TC) | 18V | 585mohm @ 3a, 18 V. | 4 V @ 900 ähm | 27 NC @ 18 V | +22V, -6 v | 463 PF @ 800 V | - - - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC923TUBTL | 0,0784 | ![]() | 3118 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC923 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 20 v | 400 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 3ma, 30 mA | 820 @ 10ma, 5V | 35 MHz | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtd743emt2l | 0,1134 | ![]() | 5803 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTD743 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 30 v | 200 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 115 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6524ENZ4C13 | 5.9900 | ![]() | 475 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6524 | MOSFET (Metalloxid) | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6524ENZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10V | 4v @ 750 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1650 PF @ 25 V. | - - - | 245W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RF4C050APTR | 0,6900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | RF4C050 | MOSFET (Metalloxid) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 10a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 26mohm @ 5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 55 NC @ 4,5 V | -8v | 5500 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW50TS65DGC11 | 5.6600 | ![]() | 446 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 156 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 50 a | 100 a | 1,9 V @ 15V, 25a | 390 µJ (EIN), 430 µJ (AUS) | 73 NC | 35ns/102ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW00TS65CHRC11 | 13.7800 | ![]() | 6826 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW00 | Standard | 254 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW00TS65CHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | 33 ns | - - - | 650 V | 96 a | 200 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 180 µJ (EIN), 420 µJ (AUS) | 141 NC | 49ns/180ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGTH40TK65GC11 | 5.3300 | ![]() | 322 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | RGTH40 | Standard | 56 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 23 a | 80 a | 2,1 V @ 15V, 20a | - - - | 40 NC | 22ns/73ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5C020TPTL | 0,5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5C020 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 135mohm @ 2a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 4,9 NC @ 2,5 V. | ± 12 V | 430 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGS50TSX2HRC11 | 8.9200 | ![]() | 440 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGS50 | Standard | 395 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGS50TSX2HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 25a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 50 a | 75 a | 2,1 V @ 15V, 25a | 1,4mj (Ein), 1,65 MJ (AUS) | 67 NC | 37ns/140ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | US5U38TR | 0,1644 | ![]() | 2048 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | US5U38 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTQ035P02HZGTR | 0,9200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ035 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 10,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 1200 PF @ 10 V | - - - | 950 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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