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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC4617E3TLQ | 0,3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SC4617 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ160N20TL | 1.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ160 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 16a (TC) | 10V | 180mohm @ 8a, 10V | 5.25V @ 1ma | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 1370 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4018KEC11 | 38.7800 | ![]() | 457 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4018KEC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 81a (TJ) | 18V | 23.4mohm @ 42a, 18V | 4,8 V @ 22,2 mA | 170 NC @ 18 V. | +21V, -4v | 4532 PF @ 800 V | - - - | 312W | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGSX5TS65EHRC11 | 11.7500 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGSX5TS65 | Standard | 404 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGSX5TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75A, 10OHM, 15 V. | 116 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 114 a | 225 a | 2,15 V @ 15V, 75A | 3,44 MJ (EIN), 1,9mj (AUS) | 79 NC | 43ns/113ns | |||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XEFRATL | 0,2300 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc114ye3tl | 0,3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta144e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSR020P05Hzgtl | 0,6500 | ![]() | 4719 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RSR020 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 45 V | 2a (ta) | 4 V, 10V | 190mohm @ 2a, 10V | 3V @ 1ma | 4,5 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 500 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | EMD52T2R | 0,3900 | ![]() | 3621 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD52T | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J2TR | 0,9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QS8J2 | MOSFET (Metalloxid) | 550 MW | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 4a | 36mohm @ 4a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 20nc @ 4,5 V | 1940pf @ 6v | Logikpegel -Tor, 1,5 V Aufsatz | ||||||||||||||||||||||||
Sh8m13gzetb | 0,4645 | ![]() | 8959 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8M13 | - - - | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 6a, 7a | 29mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 18nc @ 5v | 1200PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2504TL | - - - | ![]() | 4485 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SK2504 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 220mohm @ 2,5a, 10 V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 520 PF @ 10 V | - - - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGW40TS65DGC11 | 5.4500 | ![]() | 445 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 136 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 40 a | 80 a | 1,9 V @ 15V, 20a | 330 µJ (EIN), 300 µJ (AUS) | 59 NC | 33ns/76ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124EEBEBTL | 0,2600 | ![]() | 781 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500NA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6A050ZPTR | 0,9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6A050 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 5a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 26mohm @ 5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 35 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 2850 PF @ 6 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RUC002N05T116 | 0,3200 | ![]() | 672 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Ruc002 | MOSFET (Metalloxid) | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1v @ 1ma | ± 8 v | 25 PF @ 10 V | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc143eee3tl | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC143E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umg3ntr | 0,4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Umg3 | 150 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR572DGTL | 0,4425 | ![]() | 2385 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SAR572 | 10 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 30 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 100 mA, 2a | 200 @ 500 Ma, 3V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR586D3FRATL | 1.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SAR586 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | 320mv @ 100 mA, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC113ZBTL | 0,2600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC113 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IMX2T108 | 0,0916 | ![]() | 9058 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMX2 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR513PHZGT100 | 0,5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 1 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 360 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRL035P03TR | 0,4500 | ![]() | 936 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RRL035 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4 V, 10V | 50 MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8 NC @ 5 V | ± 20 V | 800 PF @ 10 V | - - - | 320 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | IMT1AT108 | 0,5000 | ![]() | 314 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMT1 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtb113estp | - - - | ![]() | 3800 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | DTB113 | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DEC11 | 14.8500 | ![]() | 430 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT4045 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4045DEC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 750 V | 34a (TC) | 18V | 59mohm @ 17a, 18 V. | 4,8 V @ 8.89 Ma | 63 NC @ 18 V | +21V, -4v | 14600 PF @ 500 V | - - - | 115W | |||||||||||||||||||||
![]() | DTB123YUT106 | 0,4300 | ![]() | 369 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTB123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD523YE3TL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTD523 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-DTD523ye3tltr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rum001L02T2CL | 0,4000 | ![]() | 842 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Rum001 | MOSFET (Metalloxid) | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 20 v | 100 mA (ta) | 1,2 V, 4,5 V. | 3,5 Ohm @ 100 Ma, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | ± 8 v | 7.1 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RSD200N05TL | 0,4542 | ![]() | 9711 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD200 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 20a (ta) | 4 V, 10V | 28mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 12 NC @ 5 V | ± 20 V | 950 PF @ 10 V | - - - | 20W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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