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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SAR552PFRAT100 | 0,5700 | ![]() | 858 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR552 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 330 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SAR340PT100Q | 0,6600 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR340 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 400 V | 100 ma | 10 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 2MA, 20 mA | 82 @ 10 mA, 10 V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | RSL020P03TR | 0,2246 | ![]() | 5040 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RSL020 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2a (ta) | 4 V, 10V | 120Mohm @ 2a, 10V | - - - | 3,9 NC @ 5 V. | ± 20 V | 350 PF @ 10 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
![]() | EMH61T2R | 0,4700 | ![]() | 319 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH61 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 50 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||
![]() | SCT3080KRC15 | 15.2000 | ![]() | 7686 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT3080 | Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) | To-247-4l | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT3080KRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 1200 V | 31a (TJ) | 18V | 104mohm @ 10a, 18V | 5,6 V @ 5ma | 60 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 785 PF @ 800 V | - - - | 165W | |||||||||||||
![]() | DTC144TETL | 0,0707 | ![]() | 6994 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC144T | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC144 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTC024EMT2L | 0,2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC024 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 30 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SD2150T100R | 0,2271 | ![]() | 5612 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD2150 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 20 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 2a | 180 @ 100 Ma, 2V | 290 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTC114YUAT106 | 0,2600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 70 Ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DTB723YMT2L | 0,1035 | ![]() | 4214 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTB723 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 30 v | 200 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
RRS090N03FU7TB1 | - - - | ![]() | 8919 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RRS090N03FU7TB1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4 V, 10V | 19Mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 18 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1450 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||
![]() | BSS64AHZGT116 | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS64 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 30 @ 25ma, 1V | 140 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SA1576U3HZGT106Q | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA1576 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SD1383KT146B | 0,4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SD1383 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 32 v | 300 ma | 1 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 400 µA, 200 Ma | 5000 @ 100 mA, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||
![]() | 2SC4102U3T106R | 0,1126 | ![]() | 4822 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4102 | 200 MW | Umt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SC4102U3T106RTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 390 @ 500 mA, 6V | ||||||||||||||||||
![]() | RS1P090ATTB1 | 2.9100 | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1P090 | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 9A (TA), 33A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 34mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 125 NC @ 10 V | ± 20 V | 5650 PF @ 50 V | - - - | 3W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||
![]() | RSQ035N03HZGTR | 0,6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ035 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4 V, 10V | 62mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.4 NC @ 5 V. | ± 20 V | 290 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | R6009ex | 3.5500 | ![]() | 397 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6009 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 9a (TC) | 10V | 535mohm @ 2,8a, 10V | 4v @ 1ma | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 430 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||
![]() | DTC114YE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTC114ye3HZgtlct | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | Uma8ntr | 0,0848 | ![]() | 4722 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Uma8 | 300 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | - - - | 10kohm | 47kohm | ||||||||||||||||
![]() | RSQ015P10HZGTR | 0,8100 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ015 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 1,5a (ta) | 4 V, 10V | 470MOHM @ 1,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 17 NC @ 5 V | ± 20 V | 950 PF @ 25 V. | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | RSD080N06TL | 0,5586 | ![]() | 4806 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD080 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 8a (ta) | 4 V, 10V | 80Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 9.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 380 PF @ 10 V. | - - - | 15W (TC) | |||||||||||||
![]() | Umd2nfhatr | 0,4800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umd2 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-umd2nfhatr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||
![]() | R8011Knxc7g | 5.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R8011 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 11a (ta) | 10V | 450MOHM @ 5.5A, 10V | 4,5 V @ 5,5 mA | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1200 PF @ 100 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||
![]() | R6012Jnjgtl | 3.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6012 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 12a (TC) | 15 v | 390Mohm @ 6a, 15V | 7v @ 2,5 mA | 28 NC @ 15 V | ± 30 v | 900 PF @ 100 V | - - - | 160W (TC) | |||||||||||||
![]() | SP8M4TB | 1.1385 | ![]() | 7853 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M4 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-SP8M4TBTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - - - | 30V | 9a, 7a | 18Mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 21nc @ 5v | 1190pf @ 10v | Standard | |||||||||||||||
![]() | Emb75T2R | 0,4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb75 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | ||||||||||||||||
![]() | Dta143zcahzgt116 | 0,3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | VT6J1T2CR | 0,0832 | ![]() | 1938 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | VT6J1 | MOSFET (Metalloxid) | 120 MW | VMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 100 ma | 3,8OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | - - - | 15pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 1,2 V Auftwerk | |||||||||||||||
![]() | RRR015P03TL | 0,5200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RRR015 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 4 V, 10V | 160 MOHM @ 1,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 230 PF @ 10 V. | - - - | 540 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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