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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RSQ015P10HZGTR | 0,8100 |  | 28 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ015 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 1,5a (ta) | 4 V, 10V | 470MOHM @ 1,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 17 NC @ 5 V | ± 20 V | 950 PF @ 25 V. | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | R6030ENZM12C8 | - - - | | 1373 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6030 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6030ENZM12C8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 130mohm @ 14.5a, 10V | 4v @ 1ma | 85 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||||||||
 | RV8L002SNHZGG2CR | 0,5800 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | RV8L002 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1010-3W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 8.000 | N-Kanal | 60 v | 250 mA (TA) | 2,4OHM @ 250 mA, 10V | 2,3 V @ 1ma | ± 20 V | 15 PF @ 25 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | RQ5A020ZPTL | 0,5200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5A020 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 6,5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 770 PF @ 6 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||
| Rq6e040xntcr | 0,5700 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6E040 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4 V, 10V | 50mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,3 NC @ 5 V. | ± 20 V | 180 PF @ 10 V. | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | RS1E350GNTB | 2.6800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 35A (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 68 NC @ 10 V. | ± 20 V | 4060 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | |||||||||||||||||||
 | R6076KNZ4C13 | 20.3900 | | 9926 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6076 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6076Knz4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 76a (TC) | 10V | 42mohm @ 44.4a, 10V | 5v @ 1ma | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7400 PF @ 25 V. | - - - | 735W (TC) | ||||||||||||||||||
| RGW50TS65GC11 | 4.7400 | | 8799 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Standard | 156 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 50 a | 100 a | 1,9 V @ 15V, 25a | 390 µJ (EIN), 430 µJ (AUS) | 73 NC | 35ns/102ns | |||||||||||||||||||||
 | SCT3080ARC15 | 11.8400 | | 9965 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT3080 | Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) | To-247-4l | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT3080ARC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 650 V | 30a (TJ) | 18V | 104mohm @ 10a, 18V | 5,6 V @ 5ma | 48 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 571 PF @ 500 V | - - - | 134W | |||||||||||||||||||
 | RV4C020ZPHZGTCR1 | 0,7200 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 6-Powerwfdfn | RV4C020 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1616-6W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 260 MOHM @ 2A, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 2 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 80 PF @ 10 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||||||
 | R6524enjtl | 6.6500 | | 94 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6524 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10V | 4v @ 750 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1650 PF @ 25 V. | - - - | 245W (TC) | |||||||||||||||||||
 | 2SAR567F3TR | 1.2100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 1 w | Huml2020l3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SAR567F3TRCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 120 v | 2,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 200mv @ 80 mA, 800 mA | 120 @ 100 mA, 5V | 220 MHz | |||||||||||||||||||||||
| R6004Jnjgtl | 2.2300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 15 v | 1,43ohm @ 2a, 15 V | 7v @ 450 ähm | 10.5 NC @ 15 V | ± 30 v | 260 PF @ 100 V | - - - | 60 W (TC) | |||||||||||||||||||
 | SCT4026DRC15 | 22.1000 | | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT4026 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4026DRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 750 V | 56a (TC) | 18V | 34mohm @ 29a, 18V | 4,8 V @ 15,4 mA | 94 NC @ 18 V | +21V, -4v | 2320 PF @ 500 V | - - - | 176W | ||||||||||||||||||
| R6020Jnjgtl | 4.8900 | | 940 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6020 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 15 v | 234mohm @ 10a, 15V | 7v @ 3,5 mA | 45 NC @ 15 V | ± 30 v | 1500 PF @ 100 V | - - - | 252W (TC) | |||||||||||||||||||
| RRQ045P03TR | 0,8900 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RRQ045 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4 V, 10V | 35mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 14 NC @ 5 V | ± 20 V | 1350 PF @ 10 V | - - - | 600 MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | RE1E002SPTCL | 0,3600 | | 12 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | RE1E002 | MOSFET (Metalloxid) | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 250 mA (TA) | 4 V, 10V | 1,4OHM @ 250 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 30 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | UT6MA2TCR | 0,6500 | | 33 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | UT6MA2 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 4a (ta) | 46MOHM @ 4A, 10V, 70MOHM @ 4A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 4,3nc @ 10v, 6,7nc @ 10v | 180pf @ 15V, 305pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||||||||
 | 2SA1576U3HZGT106Q | 0,3800 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SA1576 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||
| R8005anjfrgtl | 3.2100 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R8005 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5a (TC) | 10V | 2,1OHM @ 2,5a, 10 V. | 5v @ 1ma | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 500 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||
 | RW1A030APT2CR | - - - | | 3626 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RW1A030 | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | P-Kanal | 12 v | 3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 42mohm @ 3a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 22 NC @ 4,5 V. | -8v | 2700 PF @ 6 V | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||
 | SCT4026DEC11 | 22.3100 | | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT4026 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4026DEC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 750 V | 56a (TC) | 18V | 34mohm @ 29a, 18V | 4,8 V @ 15,4 mA | 94 NC @ 18 V | +21V, -4v | 2320 PF @ 500 V | - - - | 176W | ||||||||||||||||||
| RSS070N05FW4TB1 | - - - | | 5107 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-RSS070N05FW4TB1TR | Veraltet | 2.500 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RSM002N06T2L | 0,4300 | | 25 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RSM002 | MOSFET (Metalloxid) | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 60 v | 250 mA (TA) | 2,5 V, 10 V. | 2,4OHM @ 250 mA, 10V | 2,3 V @ 1ma | ± 20 V | 15 PF @ 25 V | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||||||||
| R6015enjtl | 4.0000 | | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6015 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5a, 10V | 4v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 910 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||
 | MP6K31TCR | - - - | | 3293 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | MP6K31 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 2a | 290MOHM @ 2a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 2nc @ 5v | 110pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 4V Laufwerk | |||||||||||||||||||||
 | RRS040P03FRATB | 0,3489 | | 2760 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RRS040 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4 V, 10V | 75mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5.2 NC @ 5 V | ± 20 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | RCX100N25 | 2.2500 | | 466 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX100 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 10a (ta) | 10V | - - - | - - - | ± 30 v | - - - | 40W (TC) | |||||||||||||||||||||
| RGTV60TS65GC11 | 5.1400 | | 168 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTV60 | Standard | 194 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 60 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 570 µJ (EIN), 500 µJ (AUS) | 64 NC | 33ns/105ns | ||||||||||||||||||||
 | SCT3030AW7TL | 39.5900 | | 437 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | SCT3030 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 70a (TC) | 39mohm @ 27a, 18V | 5,6 V @ 13,3 mA | 104 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 1526 PF @ 500 V | - - - | 267W |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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