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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGTH80TS65DGC11 | 2.9139 | ![]() | 3193 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTH80 | Standard | 234 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 160 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 79 NC | 34ns/120ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RSL020P03TR | 0,2246 | ![]() | 5040 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RSL020 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 2a (ta) | 4 V, 10V | 120Mohm @ 2a, 10V | - - - | 3,9 NC @ 5 V. | ± 20 V | 350 PF @ 10 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114YE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTC114ye3HZgtlct | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR375P5T100Q | 0,6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR375 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 80 mA, 800 mA | 120 @ 200 Ma, 5V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J11TCR | 0,2327 | ![]() | 8818 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QS8J11 | MOSFET (Metalloxid) | 550 MW | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 12V | 3.5a | 43mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 22nc @ 4,5V | 2600pf @ 6v | Logikpegel -Tor, 1,5 V Aufsatz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | QST2TR | 0,7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QST2 | 1,25 w | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 6 a | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 60 mA, 3a | 270 @ 500 mA, 2V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSTA06HZGT116 | 0,2600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SSTA06 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
RS3E130ATTB1 | 2.0500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RS3E | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 13a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 13a, 10V | 2,5 V @ 2MA | 83 NC @ 10 V | ± 20 V | 3730 PF @ 15 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC014YMT2L | 0,2400 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC014 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 70 Ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ120N20TL | 1.3000 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ120 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 12a (TC) | 10V | 325mohm @ 6a, 10V | 5.25V @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 30 v | 740 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSS4130AT116 | 0,4400 | ![]() | 418 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS4130 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC5001TLR | 1.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SC5001 | 10 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 10 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 250mv @ 50 Ma, 4a | 120 @ 500 mA, 2V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
SP8K41HZGTB | 2.0600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K41 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SP8K41HZgtbtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 3.4a (TA) | 130MOHM @ 3.4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6.6nc @ 5v | 600PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR512PT100 | 0,1982 | ![]() | 7332 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR512 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 430 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rj1g12bgntll | 4.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RJ1G12 | MOSFET (Metalloxid) | Lptl | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 1,86 MOHM @ 50A, 10V | 2,5 V @ 2MA | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 12500 PF @ 20 V | - - - | 178W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Emb75T2R | 0,4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | Emb75 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3L050SNFRATL | 1.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3L050 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 109mohm @ 5a, 10V | 3V @ 1ma | 8 NC @ 10 V | ± 20 V | 290 PF @ 10 V. | - - - | 15W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fma8at148 | 0,1172 | ![]() | 8529 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fma8 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | - - - | 10kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMA2T2R | 0,1084 | ![]() | 6248 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | EMA2T2 | 150 MW | EMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UM6K33NN | 0,3800 | ![]() | 887 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | UM6K33 | MOSFET (Metalloxid) | 120 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 50V | 200 ma | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1v @ 1ma | - - - | 25pf @ 10v | Logikpegel -Tor, 1,2 V Auftwerk | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR552PFRAT100 | 0,5700 | ![]() | 858 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR552 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 330 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1237TV2P | - - - | ![]() | 5812 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 v | 1 a | 500NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 82 @ 100 mA, 3V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847CHZGT116 | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4726TLP | 0,5000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SC4726 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 11 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 5ma, 10 mA | 56 @ 5MA, 10 V. | 3,2 GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR372PFRAT100Q | 0,3494 | ![]() | 5937 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR372 | 500 MW | Mpt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 5V | 220 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ecahzgt116 | 0,1900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 350 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1184TLP | 0,3151 | ![]() | 3924 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SB1184 | 1 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 200 Ma, 2a | 82 @ 500 mA, 3V | 70 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD123YCT116 | 0,3700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR553PFRAT100 | 0,5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR553 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 35 mA, 700 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 360 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RP1E090RPTR | - - - | ![]() | 5209 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RP1E090 | MOSFET (Metalloxid) | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4 V, 10V | 16,9 MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 30 NC @ 5 V | ± 20 V | 3000 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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