Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA043ZMT2L | 0,3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTA043 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1949T106R | 0,3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SD1949 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 15ma, 150 mA | 180 @ 10ma, 3V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
R6015Knzc8 | - - - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6015 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 15a (TC) | 10V | 290MOHM @ 6.5a, 10V | 5v @ 1ma | 27,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1050 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR533PT100 | 0,6000 | ![]() | 416 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR533 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 180 @ 50 Ma, 3V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR512P5T100 | 0,4200 | ![]() | 975 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR512 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umt1nfhatn | 0,4800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umt1 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umf8ntr | 0,1329 | ![]() | 1047 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umf8 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 15 V | 100 mA, 500 mA | 500NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 NPN | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 10 mA, 200 mA | 68 @ 5MA, 5V / 270 @ 10ma, 2V | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6076KNZ4C13 | 20.3900 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6076 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6076Knz4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 76a (TC) | 10V | 42mohm @ 44.4a, 10V | 5v @ 1ma | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7400 PF @ 25 V. | - - - | 735W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RGT16BM65DTL | 2.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RGT16 | Standard | 94 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 8a, 10ohm, 15 V. | 42 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 16 a | 24 a | 2,1 V @ 15V, 8a | - - - | 21 NC | 13ns/33ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2654TLV | 0,4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SD2654 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 300NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 820 @ 1ma, 5V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RW1A020ZPT2R | - - - | ![]() | 5174 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RW1A020 | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | P-Kanal | 12 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 6,5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 770 PF @ 6 V | - - - | 400 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGT30TM65DGC9 | 2.8400 | ![]() | 944 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RGT30 | Standard | 32 w | To-220nfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 55 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 14 a | 45 a | 2,1 V @ 15V, 15a | - - - | 32 NC | 18ns/64ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW50TK65GVC11 | 5.5100 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-3Pfm, SC-93-3 | Standard | 67 w | To-3Pfm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 30 a | 100 a | 1,9 V @ 15V, 25a | 390 µJ (EIN), 430 µJ (AUS) | 73 NC | 35ns/102ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8M3TB1 | 1.0500 | ![]() | 594 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Sh8m3 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 5a, 4,5a | 51mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,9nc @ 5v | 230pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HS8MA2TCR1 | 1.0600 | ![]() | 750 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | HS8MA2 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | DFN3333-9DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N und p-kanal | 30V | 5a (ta), 7a (ta) | 80MOHM @ 5,5A, 10V, 35MOHM @ 7A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 7,8nc @ 10v, 8,4nc @ 10v | 320pf @ 10v, 365PF @ 10v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3040KRC14 | 54.0100 | ![]() | 917 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT3040 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 55a (TC) | 18V | 52mohm @ 20a, 18V | 5,6 V @ 10 Ma | 107 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 1337 PF @ 800 V | - - - | 262W | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dtc113ze3Hzgtl | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC113 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSJ250P10TL | 2.8700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ250 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 25a (ta) | 4 V, 10V | 63mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 60 NC @ 5 V | ± 20 V | 8000 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
SH8K26GZ0TB1 | 1.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K26 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 6a (ta) | 38mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 2,9nc @ 5v | 280pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA115EU3HZGT106 | 0,3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta115 | 200 MW | Umt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Uml2ntr | 0,4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Uml2 | 150 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN + Diode (Isolier) | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2167T100P | - - - | ![]() | 6660 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD2167 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 31 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 200 Ma, 2a | 82 @ 500 mA, 3V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Emt18t2r | 0,1462 | ![]() | 5716 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMT18 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 12V | 500 mA | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 250mv @ 10ma, 200 mA | 270 @ 10ma, 2v | 260 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DEC11 | 14.8500 | ![]() | 430 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT4045 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4045DEC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 750 V | 34a (TC) | 18V | 59mohm @ 17a, 18 V. | 4,8 V @ 8.89 Ma | 63 NC @ 18 V | +21V, -4v | 14600 PF @ 500 V | - - - | 115W | |||||||||||||||||||||
![]() | SCT3160KW7HRTL | 10.7900 | ![]() | 5086 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | SCT3160 | Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) | To-263-7l | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 1200 V | 17a (TC) | 18V | 208mohm @ 5a, 18V | 5,6 V @ 2,5 mA | 42 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 398 PF @ 800 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | RTQ025P02TR | 0,2451 | ![]() | 1205 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ025 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 6,4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 580 PF @ 10 V | - - - | 1,25W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA023YMT2L | 0,2400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTA023 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR554PFRAT100 | 0,4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR554 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 25 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 340 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2696T2L | 0,4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SD2696 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 30 v | 400 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 2MA, 100 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR514PFRAT100 | 0,5000 | ![]() | 156 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR514 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | PNP | 400 mV @ 15ma, 300 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 380 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus