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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA044EEBEBETL | 0,1900 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA044 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRS075P03TB1 | - - - | ![]() | 6724 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 7.5a (ta) | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2654TLW | 0,4800 | ![]() | 308 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SD2654 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 300NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 1200 @ 1ma, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
SH8K41GZETB | 0,9000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K41 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 80V | 3.4a | 130MOHM @ 3.4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6.6nc @ 5v | 600PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SH8K15TB1 | 0,5880 | ![]() | 7763 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K15 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9a | 21mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8,5nc @ 5v | 630pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2702TL | 0,4200 | ![]() | 3526 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | 2SD2702 | 800 MW | Tumt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 200 Ma, 2V | 400 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4018KRC15 | 42.7500 | ![]() | 5665 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT4018 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4018KRC15 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 1200 V | 81a (TC) | 18V | 23.4mohm @ 42a, 18V | 4,8 V @ 22,2 mA | 170 NC @ 18 V. | +21V, -4v | 4532 PF @ 800 V | - - - | 312W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RRR015P03TL | 0,5200 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RRR015 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 4 V, 10V | 160 MOHM @ 1,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 230 PF @ 10 V. | - - - | 540 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143XUBTL | 0,2000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | Dta143 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT80TS65DGC11 | 4.6900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGT80 | Standard | 234 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 120 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 79 NC | 34ns/119ns | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RSJ450N04TL | 1.2439 | ![]() | 7358 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ450 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 40 v | 45a (ta) | 10V | 13,5 MOHM @ 25a, 10V | 3V @ 1ma | 43 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD513ZMgt2L | 0,4600 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTD513 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3l08bgntl | 2.6600 | ![]() | 7127 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3L08 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 80A, 10V | 2,5 V @ 100 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 3620 PF @ 30 V | - - - | 119W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RCX300N20 | 1,9000 | ![]() | 305 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX300 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 30a (TC) | 10V | 80MOHM @ 15a, 10V | 5v @ 1ma | 60 nc @ 10 v | ± 30 v | 3200 PF @ 25 V. | - - - | 2,23W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4081U3HZgt106Q | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4081 | 200 MW | Umt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR372PT100Q | 0,3426 | ![]() | 9583 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR372 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 120 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 5V | 220 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EMF33T2R | - - - | ![]() | 6432 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 12 V PNP, 30 V n-Kanal | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMF33 | EMT6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-emf33t2rtr | 8.000 | 500 mA PNP, 100 Ma n-Kanal | PNP, N-Kanal | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1576ubtlr | 0,2300 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SA1576 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD200N05TL | 0,4542 | ![]() | 9711 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD200 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 20a (ta) | 4 V, 10V | 28mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 12 NC @ 5 V | ± 20 V | 950 PF @ 10 V | - - - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD113ECHZGT116 | 0,2400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD113 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 500 mA | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ120N25TL | 0,9561 | ![]() | 3173 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ120 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 12a (TC) | 10V | 235mohm @ 6a, 10V | 5v @ 1ma | 35 NC @ 10 V | ± 30 v | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XUAT106 | 0,3000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC124 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 50 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCD075N19TL | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RCD075 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 190 v | 7.5a (TC) | 4 V, 10V | 336MOHM @ 3,8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Umf4ntr | 0,1189 | ![]() | 2379 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umf4 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 12 V | 100 mA, 500 mA | 500NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 10 mA, 200 mA | 20 @ 20 mA, 5V / 270 @ 10 mA, 2 V | 250 MHz, 260 MHz | 2.2ko | 2.2ko | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1766T100Q | 0,2559 | ![]() | 4016 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD1766 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 32 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 800mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143XCAHZGT116 | 0,2000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 350 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD220N06TL | 0,7569 | ![]() | 1168 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD220 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 22a (ta) | 4 V, 10V | - - - | - - - | ± 20 V | - - - | 20W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||
SH8KC6TB1 | 0,9900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8KC6 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 6,5a (ta) | 32mohm @ 6.5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.6nc @ 10v | 460PF @ 30V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD114ekt146 | 0,4500 | ![]() | 96 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD114 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
RSS065N06FU6TB | - - - | ![]() | 6553 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS065 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 6,5a (ta) | 4 V, 10V | 37mohm @ 6.5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 16 NC @ 5 V | 20V | 900 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA) |
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