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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EMA3T2R | 0,0801 | ![]() | 6851 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | EMA3T2 | 150 MW | EMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD123YCHZGT116 | 0,3700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA043ZBTL | 0,1900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA043 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RCD075N19TL | 1.0900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RCD075 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 190 v | 7.5a (TC) | 4 V, 10V | 336MOHM @ 3,8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 30 NC @ 10 V | ± 30 v | 1100 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RSD200N05TL | 0,4542 | ![]() | 9711 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD200 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 20a (ta) | 4 V, 10V | 28mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 12 NC @ 5 V | ± 20 V | 950 PF @ 10 V | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ120N25TL | 0,9561 | ![]() | 3173 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ120 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 12a (TC) | 10V | 235mohm @ 6a, 10V | 5v @ 1ma | 35 NC @ 10 V | ± 30 v | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 107W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1576ubtlr | 0,2300 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-85 | 2SA1576 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT80TS65DGC11 | 4.6900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGT80 | Standard | 234 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 120 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 79 NC | 34ns/119ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTD113ECHZGT116 | 0,2400 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD113 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 500 mA | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCX300N20 | 1,9000 | ![]() | 305 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX300 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 30a (TC) | 10V | 80MOHM @ 15a, 10V | 5v @ 1ma | 60 nc @ 10 v | ± 30 v | 3200 PF @ 25 V. | - - - | 2,23W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Rd3l08bgntl | 2.6600 | ![]() | 7127 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3L08 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.5MOHM @ 80A, 10V | 2,5 V @ 100 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20 V | 3620 PF @ 30 V | - - - | 119W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XUAT106 | 0,3000 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC124 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 50 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
SP8M3FU6TB | - - - | ![]() | 9317 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M3 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 5a, 4,5a | 51mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5,5nc @ 5v | 230pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
Sh8ka2gzetb | 1.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8KA2 | - - - | 2.8W | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 28mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8nc @ 10v | 330pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RTQ025P02HZGTR | 0,7400 | ![]() | 164 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ025 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 6,4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 580 PF @ 10 V | - - - | 950 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | QS5U23TR | 0,2451 | ![]() | 2702 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QS5U23 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 200mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 4,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 325 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,25W (TA) | ||||||||||||||||||||||
SP8J5FU6TB | - - - | ![]() | 5786 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8J5 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 7a | 28mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 25nc @ 5v | 2600PF @ 10V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta115tetl | 0,0678 | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta115 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
RSS070N05HZGTB | 1.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS070 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RSS070N05HZGTBCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 7a (ta) | 4 V, 10V | 25mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 16,8 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 10 V | - - - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143EEEE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC143 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHP020N06T100 | 0,8000 | ![]() | 130 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | RHP020 | MOSFET (Metalloxid) | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 2a (ta) | 4 V, 10V | 200mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 14 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | QH8KA4TCR | 1.0700 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8KA4 | - - - | 1,5W | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9a | 17mohm @ 7a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 12nc @ 4,5V | 1400PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTD743XETL | 0,4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTD743 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 200 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMH51T2R | 0,3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH51 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HS8K1TB | 0,8800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | HS8K1 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | HSML3030L10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 10a (ta), 11a (ta) | 14,6 MOHM @ 10a, 10 V, 11,8 Mohm @ 11a, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 6nc @ 10v, 7,4nc @ 10v | 348PF @ 15V, 429PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3120ALGC11 | 9.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT3120 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Q12567120 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 21a (TC) | 18V | 156mohm @ 6.7a, 18V | 5,6 V @ 3,33 Ma | 38 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 460 PF @ 500 V | - - - | 103W (TC) | |||||||||||||||||||||
R6520ENZC8 | - - - | ![]() | 9518 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6520 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6520ENZC8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4 V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | QS6M4TR | 0,6000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QS6M4 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30 V, 20V | 1,5a | 230MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 1,6nc @ 4,5 V | 80pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8K51TR | 1.0600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8K51 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W (TA) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 2a (ta) | 325Mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 4.7nc @ 5v | 290pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E300GNTB | - - - | ![]() | 3054 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 39,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2500 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 33W (TC) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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