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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RTU002P02T106 | 0,1579 |  | 5711 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | RTU002 | MOSFET (Metalloxid) | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 250 mA (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 1,5OHM @ 250 mA, 4,5 V. | 2V @ 1ma | ± 12 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||
 | Dta143tetl | 0,3600 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta143 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
 | EMA3T2R | 0,0801 | | 6851 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | EMA3T2 | 150 MW | EMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) (Emitter Gekoppelt) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | ||||||||||||||||
 | SST4403HZGT116 | 0,3400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST4403 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100NA (ICBO) | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | |||||||||||||||||||
 | Rzl025p01tr | 0,6600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | Rzl025 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 12 v | 2,5a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 61Mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 13 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 1350 PF @ 6 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | 2SB1412TLR | 1.0500 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SB1412 | 1 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 20 v | 5 a | 500NA (ICBO) | PNP | 1v @ 100 mA, 4a | 180 @ 500 mA, 2V | 120 MHz | |||||||||||||||||
| DTC123EUAT106 | 0,2600 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||
 | R6020KNZ1C9 | - - - | | 9663 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1550 PF @ 25 V. | - - - | 231W (TC) | ||||||||||||||
 | QS5U23TR | 0,2451 | | 2702 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QS5U23 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 200mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 4,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 325 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,25W (TA) | |||||||||||||
 | 2SA854stpq | - - - | | 4444 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 32 v | 500 mA | 1 µA (ICBO) | PNP | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 200 MHz | ||||||||||||||||||
 | RCX330N25 | 3.5500 | | 474 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX330 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 33a (ta) | 10V | - - - | - - - | ± 30 v | - - - | 2,23W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||
 | 2SC5053T100R | 0,1928 | | 6235 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SC5053 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 500 Ma, 3V | 150 MHz | |||||||||||||||||
| QS5U34TR | 0,5600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QS5U34 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 2,5 NC @ 4,5 V. | 10V | 110 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,25W (TA) | |||||||||||||
 | Sh8ka2gzetb | 1.4500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8KA2 | - - - | 2.8W | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 8a | 28mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8nc @ 10v | 330pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||
 | SH8M24TB1 | 1.6800 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8M24 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 45 V | 4,5a, 3,5a | 46mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 9.6nc @ 5v | 550pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||
 | RTQ025P02HZGTR | 0,7400 | | 164 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ025 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 100MOHM @ 2,5A, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 6,4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 580 PF @ 10 V | - - - | 950 MW (TA) | |||||||||||||
| 2SB1189T100Q | 0,5300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB1189 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 700 Ma | 500NA (ICBO) | PNP | 400 mv @ 50 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| SP8K33FRATB | 1.1700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K33 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5a (ta) | 48mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 12nc @ 5v | 620PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||
 | R6035ENZC17 | 7.8500 | | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6035 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6035ENZC17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 35a (TC) | 10V | 102mohm @ 18.1a, 10V | 4v @ 1ma | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 2720 PF @ 25 V | - - - | 120W (TC) | ||||||||||||
 | RTF015N03TL | 0,6500 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | RTF015 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 240 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 2,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 80 PF @ 10 V | - - - | 320 MW (TA) | |||||||||||||
 | DTA144EKAT146 | 0,2700 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta144 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
| DTA143XEFRATL | 0,2800 | | 6638 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta143 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
| 2SCR512PFRAT100 | 0,2000 | | 6831 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR512 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 320 MHz | |||||||||||||||||
 | RRR030P03HZgtl | 0,6300 | | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RRR030 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5.2 NC @ 5 V | ± 20 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||
| DTC143ZKAT146 | 0,2600 | | 106 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
 | Fms1at148 | 0,1382 | | 6466 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Fms1at148 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SH8K25GZ0TB | 0,7300 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K25 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 40V | 5.2a (TA) | 85mohm @ 5.2a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 1,7nc @ 5v | 100pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||
 | Rp1e090xntcr | - - - | | 8243 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RP1E090 | MOSFET (Metalloxid) | Mpt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 30 v | 9a (ta) | 4 V, 10V | 17mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6,8 NC @ 5 V. | ± 20 V | 440 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
| RUF025N02FRATL | 0,4100 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | RUF025 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 2,5a (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 54mohm @ 2,5a, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 370 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | |||||||||||||
 | US5U2TR | 0,2512 | | 6259 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | US5U2 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1,4a (ta) | 4 V, 10V | 240 MOHM @ 1,4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 2 NC @ 5 V. | ± 20 V | 70 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1W (TA) |
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