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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Emz1t2r | 0,3900 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMZ1T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E120BNTB | 0,6300 | ![]() | 2281 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E120 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 12a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 9,3mohm @ 12a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1500 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR554PHZGT100 | 0,6800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 25 mA, 500 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 340 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E350BNTB | 1.7400 | ![]() | 920 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 35a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 1,7 MOHM @ 35A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 185 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7900 PF @ 15 V | - - - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BU3HZGT106 | 0,3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 210 @ 2MA, 5V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS00TS65DGC13 | 6.4000 | ![]() | 2348 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWS00 | Standard | 245 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWS00TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | 88 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 88 a | 150 a | 2v @ 15V, 50a | 980 µJ (EIN), 910 µJ (AUS) | 108 NC | 46ns/145ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGCL60TS60DGC13 | 6.2500 | ![]() | 9655 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGCL60 | Standard | 111 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGCL60TS60DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 600 V | 48 a | 120 a | 1,8 V @ 15V, 30a | 770 µJ (EIN), 1,11mj (AUS) | 68 NC | 44ns/186ns | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC044TUBTL | 0,0536 | ![]() | 1470 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC044 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 60 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS80TS65GC13 | 5.6000 | ![]() | 9493 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWS80 | Standard | 202 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWS80TS65GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 71 a | 120 a | 2v @ 15V, 40a | 700 µJ (EIN), 660 µJ (AUS) | 83 NC | 40ns/114ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS00TS65GC13 | 6.2100 | ![]() | 7117 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWS00 | Standard | 245 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWS00TS65GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 88 a | 150 a | 2v @ 15V, 50a | 980 µJ (EIN), 910 µJ (AUS) | 108 NC | 46ns/145ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DW7HRTL | 15.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 750 V | 31a (TC) | 18V | 59mohm @ 17a, 18 V. | 4,8 V @ 8.89 Ma | 63 NC @ 18 V | +21V, -4v | 1460 PF @ 500 V | - - - | 93W | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGT30NL65DGTL | 2.7400 | ![]() | 4694 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RGT30 | Standard | 133 w | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 55 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 30 a | 45 a | 2,1 V @ 15V, 15a | - - - | 32 NC | 18ns/64ns | ||||||||||||||||||||||
SP8K52FRATB | 1.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K52 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 3a (ta) | 170Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8,5nc @ 5v | 610pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E300GNTB | - - - | ![]() | 3054 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 30a (TA), 80A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,2 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 39,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2500 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 33W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RRH100P03TB1 | 0,7669 | ![]() | 3569 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RRH100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4 V, 10V | 12,6 MOHM @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 39 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3600 PF @ 10 V | - - - | 650 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | QS6M4TR | 0,6000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QS6M4 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30 V, 20V | 1,5a | 230MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 1,6nc @ 4,5 V | 80pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
R6520ENZC8 | - - - | ![]() | 9518 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6520 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6520ENZC8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4 V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
R8002KND3TL1 | 1.5600 | ![]() | 446 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R8002 | MOSFET (Metalloxid) | To-252ge | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 800 V | 1,6a (ta) | 10V | 4.2ohm @ 800 mA, 10 V. | 4,5 V @ 150 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 20 V | 140 PF @ 100 V | - - - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RD3T100CNTL1 | 1.5900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3T100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 200 v | 10a (TC) | 10V | 182mohm @ 5a, 10V | 5.25V @ 1ma | 25 NC @ 10 V | ± 30 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Fmg5at148 | 0,1107 | ![]() | 9053 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fmg5 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SARA41CT116R | 0,4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2Sara41 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P130SPFRATL | 1.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P130 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 13a (ta) | 4 V, 10V | 200mohm @ 6.5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RD3L140SPTL1 | 1.7200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3L140 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 60 v | 14a (ta) | 4 V, 10V | 84mohm @ 14a, 10V | 3V @ 1ma | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 1900 PF @ 10 V. | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
RSS070N05HZGTB | 1.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS070 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RSS070N05HZGTBCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 7a (ta) | 4 V, 10V | 25mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 16,8 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 10 V | - - - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | QH8K51TR | 1.0600 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8K51 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W (TA) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 2a (ta) | 325Mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 4.7nc @ 5v | 290pf @ 25v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
SH8M41GZETB | 1.4800 | ![]() | 5107 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8M41 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 80V | 3,4a, 2,6a | 130MOHM @ 3.4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 9.2nc @ 5v | 600PF @ 10V | Logikpegel -Tor, 4V Laufwerk | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RTL035N03TR | 0,6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RTL035 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 56mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 6,4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 350 PF @ 10 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | EMD30T2R | 0,1084 | ![]() | 8273 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD30 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50 V, 30 V | 200 ma | 500NA | 1 PNP Voreingensmen, 1 NPN | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v / 140 @ 100 mA, 2 V | 260 MHz | 10kohms, 1kohms | 10kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RT1C060Untr | 0,2213 | ![]() | 7445 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | RT1C060 | MOSFET (Metalloxid) | 8-TSST | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 28mohm @ 6a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 11 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 870 PF @ 10 V | - - - | 650 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EU3T106 | 0,2000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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