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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
R6520ENZC17 | 6.1700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6520 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6520ENZC17 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4 V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SST6839T216 | 0,0487 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST6839 | 200 MW | SST3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 40 v | 200 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DEHRC11 | 15.2900 | ![]() | 460 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4045DEHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 750 V | 34a (TC) | 18V | 59mohm @ 17a, 18 V. | 4,8 V @ 8.89 Ma | 63 NC @ 18 V | +21V, -4v | 1460 PF @ 500 V | - - - | 115W | ||||||||||||||||||||||
R6524enzc8 | - - - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3 Full Pack | R6524 | MOSFET (Metalloxid) | To-3Pf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6524ZC8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 185mohm @ 11.3a, 10V | 4v @ 750 ähm | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1650 PF @ 25 V. | - - - | 74W (TC) | ||||||||||||||||||||||
RSS075P03FU6TB | - - - | ![]() | 9184 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS075 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 7.5a (ta) | 4 V, 10V | 21mohm @ 7.5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 30 NC @ 5 V | ± 20 V | 2900 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RK7002AT116 | - - - | ![]() | 1406 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RK7002 | MOSFET (Metalloxid) | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 4 V, 10V | 1OHM @ 300 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 33 PF @ 10 V. | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4045DW7HRTL | 15.1500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-8, d²pak (7 Leitungen + Tab), to-263ca | Sicfet (Silziumkarbid) | To-263-7l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 750 V | 31a (TC) | 18V | 59mohm @ 17a, 18 V. | 4,8 V @ 8.89 Ma | 63 NC @ 18 V | +21V, -4v | 1460 PF @ 500 V | - - - | 93W | |||||||||||||||||||||||
![]() | RH6R025BHTB1 | 1.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RH6R025 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 150 v | 25a (ta) | 6 V, 10V | 60MOHM @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 16.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1010 PF @ 75 V | - - - | 2W (TA), 59W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ECAT116 | 0,2800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
RXH100N03TB1 | 1.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RXH100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4 V, 10V | 13mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 11 NC @ 5 V | ± 20 V | 800 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR564F3TR | 0,9000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 1 w | Huml2020l3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 v | 4 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 360 mv @ 100 mA, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | 220 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRS100P03TB1 | - - - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | 10a (ta) | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1963T100Q | - - - | ![]() | 7702 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD1963 | 500 MW | Mpt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 846-2SD1963T100qtr | 1.000 | 20 v | 3 a | 500NA (ICBO) | PNP | 300 mV @ 2,5 mA, 25 mA | 180 @ 2ma, 6v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3P100SNFRATL | 1.6300 | ![]() | 617 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 10a (ta) | 4 V, 10V | 133mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 18 NC @ 10 V. | ± 20 V | 700 PF @ 25 V. | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA015TUBTL | 0,0536 | ![]() | 5225 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA015 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 250 MV @ 250 UA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
SP8M9FU6TB | - - - | ![]() | 7434 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M9 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 9a, 5a | 18Mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 21nc @ 5v | 1190pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6520enjtl | 6.2900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6520 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 20A (TC) | 10V | 205mohm @ 9.5a, 10V | 4 V @ 630 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20 V | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 231W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6530ENZ4C13 | 6.8600 | ![]() | 486 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6530 | MOSFET (Metalloxid) | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6530ENZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 30a (TC) | 10V | 140MOHM @ 14.5A, 10V | 4V @ 960 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 305W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RGT30NL65DGTL | 2.7400 | ![]() | 4694 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RGT30 | Standard | 133 w | LPDs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 55 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 30 a | 45 a | 2,1 V @ 15V, 15a | - - - | 32 NC | 18ns/64ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC044TUBTL | 0,0536 | ![]() | 1470 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC044 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 60 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS00TS65GC13 | 6.2100 | ![]() | 7117 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWS00 | Standard | 245 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWS00TS65GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 88 a | 150 a | 2v @ 15V, 50a | 980 µJ (EIN), 910 µJ (AUS) | 108 NC | 46ns/145ns | ||||||||||||||||||||||
SP8K52FRATB | 1.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K52 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 3a (ta) | 170Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8,5nc @ 5v | 610pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS80TS65GC13 | 5.6000 | ![]() | 9493 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWS80 | Standard | 202 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWS80TS65GC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 71 a | 120 a | 2v @ 15V, 40a | 700 µJ (EIN), 660 µJ (AUS) | 83 NC | 40ns/114ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGCL60TS60DGC13 | 6.2500 | ![]() | 9655 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGCL60 | Standard | 111 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGCL60TS60DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 600 V | 48 a | 120 a | 1,8 V @ 15V, 30a | 770 µJ (EIN), 1,11mj (AUS) | 68 NC | 44ns/186ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGWS00TS65DGC13 | 6.4000 | ![]() | 2348 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWS00 | Standard | 245 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWS00TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | 88 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 88 a | 150 a | 2v @ 15V, 50a | 980 µJ (EIN), 910 µJ (AUS) | 108 NC | 46ns/145ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E070BNTCL | 0,7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5E070 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 7a (TC) | 10V | 16.1MOHM @ 7A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 950 PF @ 15 V | - - - | 1W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RX3R05BBHC16 | 3.9700 | ![]() | 9237 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | RX3R05 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RX3R05BBHC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 150 v | 50a (ta) | 6 V, 10V | 29mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2150 PF @ 75 V | - - - | 89W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RSD201N10TL | - - - | ![]() | 2012 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RSD201 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 20A (TC) | 4 V, 10V | 46mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 55 NC @ 10 V | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dta114ecat116 | 0,1049 | ![]() | 2230 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta114 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 50 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5H020SPTL | 0,5900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5H020 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 45 V | 2a (ta) | 4 V, 10V | 190mohm @ 2a, 10V | 3V @ 1ma | 9,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 500 PF @ 10 V. | - - - | 540 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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