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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IMB2AT110 | 0,1277 | ![]() | 1308 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMB2 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Umt1ntn | 0,4000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umt1 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
RSS070N05FRATB | 0,7825 | ![]() | 7586 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS070 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 45 V | 7a (ta) | 4 V, 10V | 25mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 16,8 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 10 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5L030SNTL | 0,6800 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5L030 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 85mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5 NC @ 5 V. | ± 20 V | 380 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH80TS65DGC13 | 6.5100 | ![]() | 1273 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTH80 | Standard | 234 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGTH80TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 236 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 70 a | 160 a | 2,1 V @ 15V, 40a | - - - | 79 NC | 34ns/120ns | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TE3TL | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC143T | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta114EBT2L | - - - | ![]() | 8197 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-923F | Dta114 | 150 MW | Vmn3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTA114EBT2LTR | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Qst8tr | 0,6400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QST8 | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12V | 1,5a | 100NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 200mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 200 Ma, 2V | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMST8598T146 | 0,1119 | ![]() | 9346 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMST8598 | SMT3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 60 v | 200 ma | - - - | PNP | - - - | 100 @ 1ma, 5V | 150 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1E280GNTB | 1.0000 | ![]() | 557 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 28a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,6 MOHM @ 28a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 36 NC @ 10 V | ± 20 V | 2300 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 31W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RX3P07CBHC16 | 5.6500 | ![]() | 9794 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | RX3P07 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RX3P07CBHC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 120a (TA), 70A (TC) | 6 V, 10V | 5.2mohm @ 70a, 10V | 4v @ 1ma | 73 NC @ 10 V | ± 20 V | 4650 PF @ 50 V | - - - | 135W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4102U3T106R | 0,1126 | ![]() | 4822 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC4102 | 200 MW | Umt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SC4102U3T106RTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 Ma, 1a | 390 @ 500 mA, 6V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta124xmfhat2l | 0,0668 | ![]() | 1035 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta124 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124EU3HZGT106 | 0,0683 | ![]() | 5543 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC124 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta143zcahzgt116 | 0,3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2160KEHRC11 | 21.9300 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT2160 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT2160KEHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 22a (TC) | 18V | 208mohm @ 7a, 18V | 4v @ 2,5 mA | 62 NC @ 18 V | +22V, -6 v | 1200 PF @ 800 V | - - - | 165W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RSJ400N10TL | 3.8400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ400 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 v | 40a (TC) | 4 V, 10V | 27mohm @ 40a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 1,35W (TA), 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ160N20TL | 1.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ160 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 200 v | 16a (TC) | 10V | 180mohm @ 8a, 10V | 5.25V @ 1ma | 26 NC @ 10 V | ± 30 v | 1370 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR293P5T100 | 0,3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR293 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 30 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 25ma, 500 mA | 270 @ 100 mA, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6C050BCTCR | 0,8900 | ![]() | 4833 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RQ6C050 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 5a (TC) | 4,5 v | 36mohm @ 5a, 4,5 V. | 1,2 V @ 1ma | 10.4 NC @ 4.5 V. | ± 8 v | 740 PF @ 10 V. | - - - | 1,25W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SH8M3TB1 | 1.0500 | ![]() | 594 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Sh8m3 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 5a, 4,5a | 51mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,9nc @ 5v | 230pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RDD020N50TL | 0,6086 | ![]() | 8105 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | * | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | RDD020 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65DHRC11 | 6.7700 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW60 | Standard | 178 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW60TS65DHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 15a, 10ohm, 15 V. | 87 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 64 a | 120 a | 1,9 V @ 15V, 30a | 84 NC | 36ns/107ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143EKAT246 | - - - | ![]() | 2382 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta143 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta113ze3hzgtl | 0,4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta113 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTA113ze3HZgtlct | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Rs1e170gntb | 0,6300 | ![]() | 6593 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1E | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 17A (TA), 40A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,7 MOHM @ 17A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 12 NC @ 10 V | ± 20 V | 720 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA), 23W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dta124eee3tl | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143x | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
SP8K31TB1 | - - - | ![]() | 1302 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K31 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 3.5a | 120 MOHM @ 3,5A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 5.2nc @ 5v | 250pf @ 10v | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4062KEC11 | 15.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT4062 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-SCT4062KEC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | N-Kanal | 1200 V | 26a (TC) | 18V | 81mohm @ 12a, 18 V. | 4,8 V @ 6,45 mA | 64 NC @ 18 V | +21V, -4v | 1498 PF @ 800 V | - - - | 115W | |||||||||||||||||||||
![]() | Qsz4tr | 0,2459 | ![]() | 9660 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QSZ4 | 500 MW | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30V | 2a | 100NA (ICBO) | NPN, PNP (Emitter Gekoppelt) | 370mv @ 75 mA, 1,5a | 270 @ 200 Ma, 2V | 280 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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