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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SC4617TLS | 0,3000 |  | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2SC4617 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2351T106W | 0,3900 | | 807 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SD2351 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 300NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 5ma, 50 mA | 820 @ 1ma, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | R8005anjgtl | 4.1100 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R8005 | MOSFET (Metalloxid) | To-263s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 800 V | 5a (TC) | 10V | 2,1OHM @ 2,5a, 10 V. | 5v @ 1ma | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 500 PF @ 25 V. | - - - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Dtb113ekt146 | 0,4000 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB113 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | SSTA56T116 | 0,4400 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SSTA56 | 350 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 1 µA | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||
| 2SC5729T106R | 0,1207 | | 7962 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2SC5729 | 200 MW | Umt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 1 µA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | RE1C002ZPTL | 0,4100 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | RE1C002 | MOSFET (Metalloxid) | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 200 Ma (TA) | 4,5 v | 1,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | 1,4 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 115 PF @ 10 V. | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
 | 2SB1243TV2R | - - - | | 2322 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SB1243 | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 1v @ 200 Ma, 2a | 180 @ 500 Ma, 3V | 70 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Fmg4at148 | 0,5200 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fmg4 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | Uma6ntr | 0,0840 | | 1842 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Uma6 | 150 MW | Umt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| Dtc114guat106 | 0,2600 | | 198 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
| R6515Knjtl | 5.5000 | | 80 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6515 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10V | 5 V @ 430 ähm | 27,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1050 PF @ 25 V. | - - - | 184W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | RGT40NS65DGC9 | 3.3100 | | 6883 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | RGT40 | Standard | 161 w | To-262 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 20A, 10OHM, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 40 a | 60 a | 2,1 V @ 15V, 20a | - - - | 40 NC | 22ns/75ns | |||||||||||||||||||||
| 2SD1866TV2 | - - - | | 6271 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 60 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 1ma, 1a | 1000 @ 1a, 2v | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IMH1AT110 | 0,4400 | | 4855 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMH1 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1038stps | - - - | | 5220 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 1ma, 10 mA | 180 @ 2ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | EMH2T2R | 0,3900 | | 88 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH2T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SAR533PT100 | 0,6200 | | 200 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR533 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 1a | 180 @ 50 Ma, 3V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | RQ5E035XNTCL | 0,5600 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5E035 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4 V, 10V | 50 MOHM @ 3,5A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3,3 NC @ 5 V. | ± 20 V | 180 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
| BC848BWT106 | 0,3900 | | 8381 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC848 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Fmc6at148 | 0,1312 | | 8610 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | FMC6 | 300 MW | SMT5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mv @ 5ma, 250 ua | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100kohm | - - - | ||||||||||||||||||||||||
| DTA023JEBBTL | 0,1900 | | 580 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA023 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | RV4E031RPTCR1 | - - - | | 9855 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke | 6-Powerwfdfn | Rv4e031 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1616-6W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RV4E031RPTCR1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 105mohm @ 3.1a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 4,8 NC @ 5 V. | ± 20 V | 460 PF @ 10 V. | - - - | 1,5W | ||||||||||||||||||||
| MMSTA13T146 | 0,1417 | | 8600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMSTA13 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 v | 300 ma | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | Rq3e180gntb | 0,7100 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E180 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 18a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4,3 MOHM @ 18A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 22.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1520 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | DTC143ZUBHZGTL | 0,0415 | | 9953 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTC143 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | RSQ020N03TR | 0,6700 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ020 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 2a (ta) | 4 V, 10V | 134mohm @ 2a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 3.1 NC @ 5 V. | ± 20 V | 110 PF @ 10 V. | - - - | 600 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
| Dtc143zebhzgtl | - - - | | 6835 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC143 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
| RXT2907AT100 | 0,2267 | | 5271 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | RXT2907 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 60 v | 600 mA | 100na | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||||||
| MMSTA14T146 | 0,1417 | | 4594 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | - - - | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | MMSTA14 | 200 MW | SOT-23 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 10ma, 5V | - - - |
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