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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SCT3022AlHRC11 | 73,6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT3022 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 93a (TC) | 18V | 28,6 Mohm @ 36a, 18 V | 5,6 V @ 18,2 Ma | 133 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 2208 PF @ 500 V | - - - | 339W | ||||||||||||||||||||||
![]() | SH8M5TB1 | 1.8500 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Sh8m5 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 6a, 7a | 30mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.2nc @ 5v | 520pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ7G080BGTCR | 1.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | RQ7G080 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 8a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 16,5 Mohm @ 8a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 10.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 530 PF @ 20 V | - - - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UMD4NTR | 0,4400 | ![]() | 870 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umd4 | 150 MW, 120 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA / 300 mV @ 250 µA, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 4.7kohms, 10kohms | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC115GU3HZGT106 | 0,3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC115 | 200 MW | Umt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
SP8K52Hzgtb | 1,8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8K52 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 3a (ta) | 170Mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 8,5nc @ 5v | 610pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC043XEBTL | 0,2300 | ![]() | 41 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC043 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2670TL | 0,2202 | ![]() | 7800 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 2SD2670 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 12 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 30 mA, 1,5a | 270 @ 500 mA, 2V | 360 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS5U27TR | 0,7400 | ![]() | 128 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QS5U27 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 200mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 4,2 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 325 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 1,25W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RDX050N50FU6 | - - - | ![]() | 1179 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RDX050 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 5a (ta) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 4v @ 1ma | 16 NC @ 10 V | ± 30 v | 500 PF @ 25 V. | - - - | 35W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | EML17T2R | 0,1216 | ![]() | 4977 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | EML17 | 120 MW | EMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 30 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RA1C030LDT5CL | 0,4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | MOSFET (Metalloxid) | DSN1006-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-RA1C030LDT5CLCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | N-Kanal | 20 v | 3a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 140 MOHM @ 3A, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 1,5 NC @ 4,5 V. | +7V, -0,2 v | 150 PF @ 10 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RGWS80TS65DGC13 | 6.5200 | ![]() | 7126 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWS80 | Standard | 202 w | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWS80TS65DGC13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40a, 10ohm, 15 V. | 88 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 71 a | 120 a | 2v @ 15V, 40a | 700 µJ (EIN), 660 µJ (AUS) | 83 NC | 40ns/114ns | |||||||||||||||||||||
![]() | R6509knd3tl1 | 1.8500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6509 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 9a (TC) | 10V | 585mohm @ 2,8a, 10V | 5 V @ 230 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 25 V. | - - - | 94W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RMW200N03TB | 0,8400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | RMW200 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Psop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 20a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1780 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | EMH9T2R | 0,4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH9T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 47kohm | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS00TS65HRC11 | 7.5200 | ![]() | 2797 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGS00 | Standard | 326 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGS00TS65HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 50A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 88 a | 150 a | 2,1 V @ 15V, 50a | 1,46MJ (EIN), 1,29 MJ (AUS) | 58 NC | 36ns/115ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6515enjtl | 5.5000 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6515 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 650 V | 15a (TC) | 10V | 315mohm @ 6.5a, 10V | 4v @ 430 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 910 PF @ 25 V. | - - - | 184W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Vt6z1t2r | 0,5000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd | VT6Z1 | 150 MW | VMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 20V | 200 ma | 100 µA (ICBO) | NPN, PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 120 @ 1ma, 2v | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dtd123ect116 | 0,3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 39 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6JC5TCR | 0,8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerudfn | UT6JC5 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-UT6JC5TCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 60 v | 2,5a (TA) | 280 MOHM @ 2,5A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 6.3nc @ 10v | 265PF @ 30V | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | R6011ENX | 3.0700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6011 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390MOHM @ 3,8a, 10V | 4v @ 1ma | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT2280KEC | - - - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | SCT2280 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | SCT2280KECU | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | N-Kanal | 1200 V | 14a (TC) | 18V | 364mohm @ 4a, 18V | 4v @ 1,4 mA | 36 NC @ 18 V | +22V, -6 v | 667 PF @ 800 V | - - - | 108W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | RSQ035P03TR | 0,7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RSQ035 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4 V, 10V | 65mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 9.2 NC @ 5 V. | ± 20 V | 780 PF @ 10 V. | - - - | 1,25W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BCW60CT116 | - - - | ![]() | 8011 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BCW60 | SST3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 v | 200 ma | - - - | Npn | - - - | 260 @ 2MA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS30TSX2HRC11 | 6.9300 | ![]() | 3931 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGS30 | Standard | 267 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGS30TSX2HRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 15a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 1200 V | 30 a | 45 a | 2,1 V @ 15V, 15a | 740 µJ (EIN), 600 µJ (AUS) | 41 NC | 30ns/70ns | ||||||||||||||||||||||
SH8MA3TB1 | 1.0100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8MA3 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 7a (ta), 6a (ta) | 28mohm @ 7a, 10V, 50Mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.2nc @ 10v, 10nc @ 10v | 300pf @ 15V, 480pf @ 15V | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC113ZMT2L | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC113 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6509Knxc7g | 2.7900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6509 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6509Knxc7g | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 9a (ta) | 10V | 585mohm @ 2,8a, 10V | 5 V @ 230 ähm | 16,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 540 PF @ 25 V. | - - - | 48W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1864TV2R | - - - | ![]() | 3502 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SD1864 | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 50 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 200 Ma, 2a | 180 @ 500 Ma, 3V | 90 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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