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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA023EUBTL | 0,0536 | ![]() | 3489 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA023E | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA023 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100 ma | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 20 @ 20 Ma, 10V | 250 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | QS5W1TR | 0,7200 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-5 Dünn, TSOT-23-5 | QS5W1 | 1.25W | Tsmt5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30V | 3a | 1 µA (ICBO) | 2 NPN (Dual) Gemeinsamer -Emitter | 400mv @ 50 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 270 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Dta143xmfhat2l | 0,2400 | ![]() | 272 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta143 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR375P5T100Q | 0,6600 | ![]() | 435 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR375 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 120 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 320 MV @ 80 Ma, 800 mA | 120 @ 200 Ma, 5V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144EU3T106 | 0,2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Dta144 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RX3L07BBGC16 | 3.7200 | ![]() | 345 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Rx3l07 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RX3L07BBGC16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 105A (TA), 70A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4.6mohm @ 70a, 10 V. | 2,5 V @ 1ma | 47 NC @ 10 V | ± 20 V | 2950 PF @ 30 V | - - - | 89W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | Dta124emfhat2l | 0,0668 | ![]() | 9367 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta124 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6530knZ4C13 | 6.8600 | ![]() | 441 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6530 | MOSFET (Metalloxid) | To-247g | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6530knZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 30a (TC) | 10V | 140MOHM @ 14.5A, 10V | 5 V @ 960 ua | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2350 PF @ 25 V. | - - - | 305W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | QH8MA3TCR | 0,7800 | ![]() | 6604 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QH8MA3 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5W | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N und p-kanal | 30V | 7a, 5,5a | 29mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.2nc @ 10v | 300PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | IMH15AT110 | 0,0954 | ![]() | 6754 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMH15 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | QSX1TR | 0,2767 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | QSX1 | 1,25 w | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 12 v | 6 a | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 60 Ma, 3a | 270 @ 500 mA, 2V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RTE002P02TL | 0,1546 | ![]() | 6377 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | RTE002 | MOSFET (Metalloxid) | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 200 Ma (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 1,5OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 2V @ 1ma | ± 12 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RQ1E050RPTR | 0,8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | RQ1E050 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 5a (ta) | 4 V, 10V | 31mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 1300 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RS3E075ATTB | 0,9100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RS3E | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop-J | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 30 v | - - - | 4,5 V, 10 V. | 23,5 MOHM @ 7,5A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 25 NC @ 10 V | ± 20 V | 1250 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
RS3L140GNGZETB | 2.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RS3L | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 14a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 14A, 10V | 2,7 V @ 500 ähm | 58 NC @ 10 V | ± 20 V | 2980 PF @ 30 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | R6507end3tl1 | 1.9500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6507 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 650 V | 7a (TC) | 10V | 665Mohm @ 2,4a, 10V | 4 V @ 200 µA | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | 390 PF @ 25 V. | - - - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTB543ZMT2L | - - - | ![]() | 5503 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTB543Z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTB543 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTB543ZMT2LTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 12 v | 500 mA | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 5ma, 100 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EM6J1T2R | 0,4400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EM6J1 | MOSFET (Metalloxid) | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 200 ma | 1,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | 1,4nc @ 4,5 V | 115PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RDN150N20FU6 | - - - | ![]() | 9865 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RDN150 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 200 v | 15a (ta) | 10V | 160 Mohm @ 7,5a, 10 V | 4v @ 1ma | 64 NC @ 10 V | ± 30 v | 1224 PF @ 10 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR514PHZGT100 | 0,6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 500 MW | SOT-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 80 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 15ma, 300 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT60TS65DGC11 | 2.3755 | ![]() | 7529 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGT60 | Standard | 194 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGT60TS65DGC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | 58 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 55 a | 90 a | 2,1 V @ 15V, 30a | - - - | 58 NC | 29ns/100 ns | |||||||||||||||||||||
![]() | IMD8AT108 | 0,1154 | ![]() | 6766 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | IMD8 | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | - - - | 47kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ5E035BNTCL | 0,4900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5E035 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 37mohm @ 3,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 6 nc @ 10 v | ± 20 V | 250 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR583D3TL1 | 1.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SCR583D3TL1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 50 v | 7 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 150 Ma, 3a | 180 @ 1a, 3v | 280 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
SP8M4HZGTB | 2.4400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SP8M4 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N und p-kanal | 30V | 9a (ta), 7a (ta) | 18mohm @ 9a, 10V, 28mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 15nc @ 5v, 25nc @ 5v | 1190pf @ 10v, 2600pf @ 10v | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ZDS020N60TB | - - - | ![]() | 9383 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZDS020 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 630 Ma (TC) | 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 4v @ 1ma | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 310 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | FMA4AT148 | 0,5200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | Fma4 | 300 MW | SMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E180BNTB | 0,7000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E180 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 39a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 Mohm @ 18a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 37 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3500 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6024enjtl | 3.8100 | ![]() | 843 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6024 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10V | 4v @ 1ma | 70 nc @ 10 v | ± 20 V | 1650 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTB123TCHZGT116 | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 500 mA | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 2.2 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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