Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTC123YEBHZGTL | 0,0658 | ![]() | 6849 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC123 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | DTA023YUBTL | 0,0536 | ![]() | 2935 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta023y | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-85 | DTA023 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | DTC123YE3HZGTL | 0,4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-DTC123YE3HZGTLCT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | EML22T2R | 0,3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 50V | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EML22 | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 8.000 | 150 Ma | NPN + Zener | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM600D12P3G001 | 1.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Modul | BSM600 | Silziumkarbid (sic) | 2450W (TC) | Modul | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-BSM600D12P3G001 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 1200 V (1,2 kV) | 600A (TC) | - - - | 5,6 V @ 182 Ma | - - - | 31000PF @ 10V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | RMW280N03TB | - - - | ![]() | 5240 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | RMW280 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Psop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 28a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 28a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 3130 PF @ 15 V | - - - | 3W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | Dta115emfhat2l | 0,0668 | ![]() | 9384 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Dta115 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||
![]() | BC846BT116 | 0,3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 120 Ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 300 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR552PT100 | 0,6000 | ![]() | 475 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SCR552 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 30 v | 3 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 50 mA, 1a | 200 @ 500 Ma, 2V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | Rd3p08bbdtl | 3.0500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P08 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 80A (TA) | 6 V, 10V | 11.6mohm @ 80a, 10V | 4v @ 1ma | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1940 PF @ 50 V. | - - - | 119W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | R6008fnjtl | 2.0962 | ![]() | 7503 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | R6008 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 8a (TC) | 10V | 950mohm @ 4a, 10V | 4v @ 1ma | 20 nc @ 10 v | ± 30 v | 580 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | RD3H080SPFRATL | 1.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3H080 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 45 V | 8a (ta) | 4 V, 10V | 91mohm @ 8a, 10V | 3V @ 1ma | 9 NC @ 5 V | ± 20 V | 1000 PF @ 10 V | - - - | 15W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | 2SAR553P5T100 | 0,4300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SAR553 | 500 MW | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 50 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 320 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA2029T2LQ | 0,4000 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SA2029 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | RHK005N03FRAT146 | 0,4800 | ![]() | 382 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | RHK005 | MOSFET (Metalloxid) | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 500 mA (TA) | 4 V, 10V | 550MOHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 45 PF @ 10 V. | - - - | 200 MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2SD2318TLU | 1.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SD2318 | 15 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 60 v | 3 a | 100 µA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 Ma, 2a | 560 @ 500 mA, 4V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||
![]() | R8006KND3TL1 | 3.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R8006 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 800 V | 6a (ta) | 10V | 900mohm @ 3a, 10V | 4,5 V @ 4ma | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 650 PF @ 100 V | - - - | 83W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | RCJ331N25TL | 4.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ331 | MOSFET (Metalloxid) | To-263s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 33a (TC) | 10V | 105mohm @ 16.5a, 10V | 5v @ 1ma | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 211W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | RSJ400N06FRATL | 1.7800 | ![]() | 770 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ400 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 60 v | 40a (ta) | 10V | 16mohm @ 40a, 10V | 3V @ 1ma | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2400 PF @ 10 V. | - - - | 50W (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DTC044TBTL | 0,1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC044 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 60 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3541T2L | 0,4700 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SK3541 | MOSFET (Metalloxid) | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 30 v | 100 mA (ta) | 2,5 V, 4 V. | 8ohm @ 10 ma, 4V | 1,5 V @ 100 µA | ± 20 V | 13 PF @ 5 V. | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||
![]() | SCT3080ARC14 | 20.2100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT3080 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 650 V | 30a (TC) | 18V | 104mohm @ 10a, 18V | 5,6 V @ 5ma | 48 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 571 PF @ 500 V | - - - | 134W | ||||||||||||||||
![]() | HP8K22TB | 1.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | HP8K22 | - - - | 25W | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 27a, 57a | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 16.8nc @ 10v | 1080PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||
![]() | DMC2640F0R | - - - | ![]() | 2568 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | DMC2640 | 300 MW | Mini6-g4-b | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-DMC2640F0RTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 250 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 10V | - - - | 4.7kohm | 10kohm | |||||||||||||||||||
![]() | 2SB1443Tv2p | - - - | ![]() | 7848 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SB1443 | 1 w | ATV | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SB1443TV2PTR | 2.500 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 2a | 120 @ 100 mA, 2V | |||||||||||||||||||||||
![]() | RS6L090BGTB1 | 2.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,7mohm @ 90a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 28 NC @ 10 V | ± 20 V | 1950 PF @ 30 V | - - - | 3W (TA), 73W (TC) | |||||||||||||||||||
![]() | RQ5E040RPTL | 0,6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5E040 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 4 V, 10V | 45mohm @ 4a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 10.5 NC @ 5 V. | ± 20 V | 1000 PF @ 10 V | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | 2SCR512RHZgtl | 0,6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 400mv @ 35 mA, 700 mA | 200 @ 100 Ma, 2V | 320 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | R6025FNZ1C9 | - - - | ![]() | 4757 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | R6025 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 25a (TC) | 10V | 180MOHM @ 12.5A, 10V | 5v @ 1ma | 85 NC @ 10 V | ± 30 v | 3500 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | Dta014yebtl | 0,1900 | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTA014 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 70 Ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus