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Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Reverse Recovery Time (TRR) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SD2211T100Q | 0,8500 |  | 991 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD2211 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 2v @ 100 mA, 1a | 120 @ 100 mA, 5V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | DTB113ZSTP | - - - | | 4932 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | DTB113 | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SD2444KT146R | 0,5500 | | 586 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SD2444 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 v | 1 a | 500NA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 20 mA, 400 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | DTC023YEBTL | 0,1900 | | 5315 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC023 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SK3541T2L | 0,4700 | | 92 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SK3541 | MOSFET (Metalloxid) | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 30 v | 100 mA (ta) | 2,5 V, 4 V. | 8ohm @ 10 ma, 4V | 1,5 V @ 100 µA | ± 20 V | 13 PF @ 5 V. | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | HP8K22TB | 1.3600 | | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | HP8K22 | - - - | 25W | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 N-Kanal (Halbe Brücke) | 30V | 27a, 57a | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 16.8nc @ 10v | 1080PF @ 15V | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | RCJ331N25TL | 4.3400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RCJ331 | MOSFET (Metalloxid) | To-263s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 250 V | 33a (TC) | 10V | 105mohm @ 16.5a, 10V | 5v @ 1ma | 80 nc @ 10 v | ± 30 v | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 1,56W (TA), 211W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | R6011ENX | 3.0700 | | 500 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6011 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 390MOHM @ 3,8a, 10V | 4v @ 1ma | 32 NC @ 10 V | ± 20 V | 670 PF @ 25 V. | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
 | RGTH60TS65GC11 | 3.7200 | | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGTH60 | Standard | 197 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 58 a | 120 a | 2,1 V @ 15V, 30a | - - - | 58 NC | 27ns/105ns | |||||||||||||||||||||||
 | QS8K13TCR | 0,5704 | | 3494 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | QS8K13 | MOSFET (Metalloxid) | 550 MW | Tsmt8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 6a | 28mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 20nc @ 10v | 390pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||||||||||||
 | 2SB1239TV2 | - - - | | 4784 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 40 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 1,2 mA, 600 mA | 1000 @ 500 mA, 2V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||
 | RGW00TS65EHRC11 | 8.8900 | | 6866 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGW00 | Standard | 254 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGW00TS65EHRC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400 V, 25a, 10ohm, 15 V. | 90 ns | TRABENFELD STOPP | 650 V | 96 a | 200 a | 1,9 V @ 15V, 50a | 141 NC | 50ns/183ns | ||||||||||||||||||||||
 | SM6K2T110 | 0,4400 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | SM6K2 | MOSFET (Metalloxid) | 300 MW | SMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 200 ma | 2,4OHM @ 200 Ma, 10V | 2,5 V @ 1ma | 4.4nc @ 10v | 15pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
| RYM002N05T2CL | 0,3800 | | 821 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | RYM002 | MOSFET (Metalloxid) | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 0,9 V, 4,5 V. | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 800 mV @ 1ma | ± 8 v | 26 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||
 | SH8J66TB1 | 2.5500 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8J66 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 p-kanal (dual) | 30V | 9a | 18,5 MOHM @ 9A, 10V | 2,5 V @ 1ma | 35nc @ 5v | 3000PF @ 10V | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
| R6027YNX3C16 | 5.3800 | | 2151 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 846-R6027YNX3C16 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 600 V | 27a (TC) | 10V, 12V | 135mohm @ 7a, 12V | 6v @ 2MA | 40 nc @ 10 v | ± 30 v | 1670 PF @ 100 V | - - - | 245W (TC) | ||||||||||||||||||||||||
| 2SC2413KT146p | 0,4100 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SC2413 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 82 @ 1ma, 6v | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | RUF015N02TL | 0,4900 | | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-smd, Flache Leitungen | RUF015 | MOSFET (Metalloxid) | Tumt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 2,5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 110 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | DTA143EUBTL | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-85 | Dta143 | 200 MW | Umt3f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
| 2SD1857TV2R | - - - | | 7791 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | 3-sip | 2SD1857 | 1 w | ATV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 120 v | 2 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 2v @ 100 mA, 1a | 180 @ 100 Ma, 5V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| DTC643TKT146 | 0,4300 | | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC643 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 600 mA | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 820 @ 50 Ma, 5V | 150 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | DTA144TCAT116 | 0,3500 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta144 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | RSS125N03FU6TB | - - - | | 9211 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | RSS125 | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 12,5a (TA) | 4 V, 10V | 8,9mohm @ 12,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 28 NC @ 5 V | 20V | 1670 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | 2SAR544RTL | 0,6500 | | 6916 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 2SAR544 | 1 w | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 v | 2,5 a | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 50 mA, 1a | 120 @ 100 mA, 3V | 280 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | R6004endtl | 1.4600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 10V | 980 MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 1ma | 15 NC @ 10 V | ± 20 V | 250 PF @ 25 V. | - - - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| SH8K4TB1 | 1.9600 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SH8K4 | MOSFET (Metalloxid) | 2W | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 9a | 17mohm @ 9a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 21nc @ 5v | 1190pf @ 10v | Logikpegel -tor | ||||||||||||||||||||||||
| R5009fnx | 2.3862 | | 1889 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R5009 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 500 V | 9a (TC) | 10V | 840MOHM @ 4,5a, 10V | 4v @ 1ma | 18 NC @ 10 V. | ± 30 v | 630 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| R6015anx | 6.2100 | | 189 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6015 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 15a (ta) | 10V | 300MOHM @ 7.5A, 10V | 4,5 V @ 1ma | 50 nc @ 10 v | ± 30 v | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| MMST3906T146 | 0,3500 | | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMST3906 | 300 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 50na | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 250 MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| Dtc124emfhat2l | 0,0668 | | 7982 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SOT-723 | DTC124 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms |
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