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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | DTC143EEBEBTL | 0,2700 | ![]() | 744 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC143 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4505T100P | - - - | ![]() | 6568 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SC4505 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 100 ma | 10 µA (ICBO) | Npn | 500mv @ 1ma, 10 mA | 82 @ 10 mA, 10 V | 20MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114GKAT146 | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC114 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | EMD6T2R | 0,4000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMD6T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | - - - | 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1580T100 | 0,4223 | ![]() | 5047 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SB1580 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 2 a | 10 µA (ICBO) | PNP - Darlington | 1,5 V @ 1ma, 1a | 1000 @ 1a, 2v | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | EMG1T2R | 0,3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | EMG1T2 | 150 MW | EMT5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22kohm | 22kohm | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC024EEBEBTL | 0,1900 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC024 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 60 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EU3HZGT106 | 0,3800 | ![]() | 301 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | ES6U2T2R | - - - | ![]() | 6493 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | ES6U2 | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 180 MOHM @ 1,5A, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 1,8 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 110 PF @ 10 V. | Schottky Diode (Isolier) | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||||||
![]() | R6021ANZC8 | - - - | ![]() | 5420 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 846-R6021ANZC8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Umz8ntr | 0,1049 | ![]() | 6531 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Umz8 | 150 MW | Umt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V, 12 V | 150 mA, 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA / 250mv @ 10 mA, 200 mA | 120 @ 1ma, 6v / 270 @ 10 mA, 2 V. | 180 MHz, 260 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143ZCAT116 | 0,2800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | RGWX5TS65GC11 | 6.7700 | ![]() | 4802 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | RGWX5TS65 | Standard | 348 w | To-247n | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RGWX5TS65GC11 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 75A, 10OHM, 15 V. | TRABENFELD STOPP | 650 V | 132 a | 300 a | 1,9 V @ 15V, 75A | - - - | 213 NC | 64ns/229ns | ||||||||||||||||||||
![]() | LSS050P03FP8TB1 | - - - | ![]() | 1165 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 846-LSS050P03FP8TB1TR | Veraltet | 2.500 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3105KRC14 | 21.7600 | ![]() | 106 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Rohr | Aktiv | 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | SCT3105 | Sicfet (Silziumkarbid) | To-247-4l | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 24a (TC) | 18V | 137mohm @ 7.6a, 18 V. | 5,6 V @ 3,81 Ma | 51 NC @ 18 V | +22V, -4 v | 574 PF @ 800 V | - - - | 134W | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4115stps | - - - | ![]() | 7788 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 2SC4115 | 400 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 20 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 2a | 270 @ 100 mA, 2V | 290 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2211T100Q | 0,8500 | ![]() | 991 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | 2SD2211 | 2 w | Mpt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 160 v | 1,5 a | 1 µA (ICBO) | Npn | 2v @ 100 mA, 1a | 120 @ 100 mA, 5V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1952TLQ | - - - | ![]() | 4527 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SA1952 | 1 w | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 v | 5 a | 10 µA (ICBO) | PNP | 500mv @ 200 Ma, 4a | 120 @ 1a, 2v | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC023YEBTL | 0,1900 | ![]() | 5315 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | DTC023 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 35 @ 5ma, 10 V. | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | RD3S100Aafratl | 2.9600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3S100 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 190 v | 10a (TC) | 4 V, 10V | 182mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | RCD100N19TL | 1.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RCD100 | MOSFET (Metalloxid) | CPT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 190 v | 10a (TC) | 4 V, 10V | 182mohm @ 5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA), 20W (TC) | ||||||||||||||||||||
![]() | DTB113ZSTP | - - - | ![]() | 4932 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | DTB113 | 300 MW | Spt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | Rum002N05T2L | 0,4200 | ![]() | 938 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | Rum002 | MOSFET (Metalloxid) | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 1,2 V, 4,5 V. | 2,2OHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 1v @ 1ma | ± 8 v | 25 PF @ 10 V | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2444KT146R | 0,5500 | ![]() | 586 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2SD2444 | 200 MW | SMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 v | 1 a | 500NA (ICBO) | Npn | 300 mv @ 20 mA, 400 mA | 180 @ 50 Ma, 2V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TUAT106 | 0,2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC114 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 1ma, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123YU3T106 | 0,2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DTC123 | 200 MW | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | - - - | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | US6X6TR | 0,2628 | ![]() | 9789 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | US6X6 | 1 w | Tumt6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 270 @ 100 mA, 2V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RV2C014BCT2CL | 0,4000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | RV2C014 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | P-Kanal | 20 v | 700 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 300 MOHM @ 1,4a, 4,5 V. | 1 V @ 100 µA | ± 8 v | 100 PF @ 10 V | - - - | 400 MW (TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1709TL | 0,1890 | ![]() | 6836 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 2SB1709 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 12 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | PNP | 200mv @ 25ma, 500 mA | 270 @ 200 Ma, 2V | 400 MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR514RHZgtl | 0,7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | 500 MW | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SCR514RHZgtltr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 80 v | 700 Ma | 1 µA (ICBO) | Npn | 300 mV @ 15ma, 300 mA | 120 @ 100 mA, 3V | 320 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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