- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (3592)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SAR586D3FRATL | 1.9400 |  | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 2SAR586 | 10 w | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 v | 5 a | 1 µA (ICBO) | 320mv @ 100 mA, 2a | 120 @ 500 mA, 3V | |||||||||||||||||||
 | HS8MA2TCR1 | 1.0600 | | 750 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | HS8MA2 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | DFN3333-9DC | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N und p-kanal | 30V | 5a (ta), 7a (ta) | 80MOHM @ 5,5A, 10V, 35MOHM @ 7A, 10 V | 2,5 V @ 1ma | 7,8nc @ 10v, 8,4nc @ 10v | 320pf @ 10v, 365PF @ 10v | - - - | |||||||||||||||
 | DTC114EEEE3HZGTL | 0,4100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC114 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
 | RUR040N02HZgtl | 0,8000 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | Rur040 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 4a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 35mohm @ 4a, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 8 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 680 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||
 | RJU003N03FRAT106 | 0,4100 | | 32 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | Rju003 | MOSFET (Metalloxid) | Umt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 300 mA (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 1,1OHM @ 300 mA, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | ± 12 V | 24 PF @ 10 V | - - - | 200 MW (TA) | ||||||||||||||
 | Rw4e045attcl1 | 0,8100 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-Powerufdfn | Rw4e045 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1616-7T | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4,5a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 48mohm @ 4,5a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 485 PF @ 15 V | - - - | 1,5 W (TA) | |||||||||||||
 | Dta144vcat116 | 0,3500 | | 950 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta144 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| R6009end3tl1 | 2.5100 | | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6009 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 9a (TC) | 10V | 535mohm @ 2,8a, 10V | 4v @ 1ma | 23 NC @ 10 V | ± 20 V | 430 PF @ 25 V. | - - - | 94W (TC) | |||||||||||||
 | RW1A020ZPT2R | - - - | | 5174 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Flache Leitungen | RW1A020 | MOSFET (Metalloxid) | 6-wemt | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | P-Kanal | 12 v | 2a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 105mohm @ 2a, 4,5 V. | 1v @ 1ma | 6,5 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 770 PF @ 6 V | - - - | 400 MW (TA) | |||||||||||||
 | RD3P07BBHTL1 | 3.0100 | | 8402 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | RD3P07 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 80A (TA), 70A (TC) | 6 V, 10V | 7.7MOHM @ 70A, 10V | 4v @ 1ma | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 2410 PF @ 50 V | - - - | 89W (TA) | ||||||||||||||
 | RSJ250P10TL | 2.8700 | | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | RSJ250 | MOSFET (Metalloxid) | Lpts | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 100 v | 25a (ta) | 4 V, 10V | 63mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 60 NC @ 5 V | ± 20 V | 8000 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||
| R6004Rnd3tl1 | 1.1900 | | 600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | R6004 | MOSFET (Metalloxid) | To-252 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 600 V | 4a (TC) | 15 v | 1,73ohm @ 2a, 15 V | 7v @ 450 ähm | 10.5 NC @ 15 V | ± 30 v | 230 PF @ 100 V | - - - | 60 W (TC) | |||||||||||||||
| 2SA1038STPR | - - - | | 6789 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | SC-72 Foreded Leads | 2SA1038 | 300 MW | Spt | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SA1038STPRTB | 5.000 | 120 v | 50 ma | 500NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 50 Ma, 1a | 120 @ 500 mA, 2V | ||||||||||||||||||||
 | RF4L070BGTCR | 1.0900 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | RF4L070 | MOSFET (Metalloxid) | DFN2020-8s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 27mohm @ 7a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7.6 NC @ 10 V | ± 20 V | 460 PF @ 30 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
| RQ5E030RPTL | 0,5900 | | 7057 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RQ5E030 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5.2 NC @ 5 V | ± 20 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 700 MW (TA) | |||||||||||||
 | 2SA2029FHAT2LR | 0,3900 | | 22 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-723 | 2SA2029 | 150 MW | VMT3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-2SA2029FHAT2LRTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 140 MHz | ||||||||||||||||
 | RCX510N25 | 3.0468 | | 1817 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | RCX510 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-RCX510N25 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 250 V | 51a (ta) | 10V | - - - | - - - | ± 30 v | - - - | 40W (TC) | ||||||||||||||
| RRR030P03TL | 0,6000 | | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-96 | RRR030 | MOSFET (Metalloxid) | Tsmt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 3a (ta) | 4 V, 10V | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 5.2 NC @ 5 V | ± 20 V | 480 PF @ 10 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
| DTC123JE3TL | 0,3700 | | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Dta143z | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | Emt3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VORGEPANNT + DIODE | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
| DTB723YETL | 0,1049 | | 3457 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | DTB723 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 200 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 140 @ 100 mA, 2V | 260 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
 | EMZ2T2R | 0,1084 | | 9358 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMZ2T2 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | 50V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | NPN, PNP | 400mv @ 5 mA, 50 mA / 500mv @ 5 mA, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 180 MHz, 140 MHz | |||||||||||||||||
 | RQ3E100GNTB | 0,4500 | | 1727 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | RQ3E100 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HSMT (3,2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 10a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11,7mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 7,9 NC @ 10 V | ± 20 V | 420 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA), 15W (TC) | |||||||||||||
 | RTQ035P02TR | 0,2482 | | 9555 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | RTQ035 | MOSFET (Metalloxid) | TSMT6 (SC-95) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 65mohm @ 3,5a, 4,5 V. | 2V @ 1ma | 10,5 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 1200 PF @ 10 V | - - - | 1,25W (TA) | |||||||||||||
 | RS1G300GNTB | 2.1000 | | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | RS1G | MOSFET (Metalloxid) | 8-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 30a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,5 MOHM @ 30a, 10V | 2,5 V @ 1ma | 56,8 NC @ 10 V | ± 20 V | 4230 PF @ 20 V | - - - | 3W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||
| Rf4e110gntr | 0,5600 | | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerudfn | RF4E110 | MOSFET (Metalloxid) | Huml2020l8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 11.3mohm @ 11a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 7.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 504 PF @ 15 V | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
| DTA124EEBEBTL | 0,2600 | | 781 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Dta124 | 150 MW | Emt3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 30 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500NA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
 | BC847BHZGT116 | 0,1900 | | 10 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC847 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 200 MHz | |||||||||||||||||
| R6015fnx | 4.2704 | | 2546 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack | R6015 | MOSFET (Metalloxid) | To-220fm | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 846-R6015FNX | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-Kanal | 600 V | 15a (ta) | 10V | 350MOHM @ 7.5A, 10V | 5v @ 1ma | 42 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1660 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||||||||
| DTC115TCAT116 | 0,3500 | | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DTC115 | 200 MW | SST3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||
| EMH59T2R | 0,0801 | | 1426 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | EMH59 | 150 MW | EMT6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 5 mA | 80 @ 5ma, 10V | 250 MHz | 10kohm | 47kohm |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)