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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | BC847BS-7-F | 0,2400 | ![]() | 673 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BC847 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 20na (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
DSS5160U-7 | 0,3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DSS5160 | 400 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 1 a | 100na | PNP | 340mv @ 100ma, 1a | 150 @ 500 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMWSH120H90SM4Q | 19.6800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-4 | Sic (Silicon Carbid Junction Transistor) | To-247-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMWSH120H90SM4Q | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 40a (TC) | 15 v | 97,5 MOHM @ 20A, 15 V | 3,5 V @ 5ma | 47,6 NC @ 15 V | +19V, -8 v | 1112 PF @ 1000 V | - - - | 235W (TC) | |||||||||||||
ZVP2120GTA | 0,7100 | ![]() | 704 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZVP2120 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 200 v | 200 Ma (TA) | 10V | 25ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | - - - | 100 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||
ZXTN4240F-7 | 0,3800 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTN4240 | 730 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 320mv @ 200ma, 2a | 300 @ 1a, 2v | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMTH4007LK3Q-13 | 1.0000 | ![]() | 6962 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMTH4007 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 16,8a (TA), 70A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 7.3mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 29.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1895 PF @ 30 V. | - - - | 2.6W (TA) | |||||||||||||
ZX5T869GTA | - - - | ![]() | 1283 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZX5T869 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 25 v | 7 a | 20na (ICBO) | Npn | 220 MV @ 150 Ma, 6,5a | 300 @ 1a, 1V | 150 MHz | |||||||||||||||||||
DMN3026LVTQ-7 | 0,1628 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMN3026 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 6.6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 6.5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 12,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 643 PF @ 15 V | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMP4011SPSQ-13 | 1.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMP4011 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 11,7a (TA), 76A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 11mohm @ 9.8a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2747 PF @ 20 V | - - - | 1,3W (TA) | |||||||||||||
FZT1149ATPDW | - - - | ![]() | 6008 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | 1,6 w | SOT-223-3 | - - - | 31-FZT1149ATPDW | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 v | 4 a | 20na | PNP | 350 mv @ 140 mA, 4a | 270 @ 10ma, 2v | 135 MHz | |||||||||||||||||||||
![]() | ZXMP10A18KTC | 1.4100 | ![]() | 1074 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ZXMP10 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 v | 3.8a (TA) | 6 V, 10V | 150 MOHM @ 2,8a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1055 PF @ 50 V | - - - | 2.17W (TA) | |||||||||||||
![]() | DMN4025LSD-13 | - - - | ![]() | 5381 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | - - - | DMN4025 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN4025LSD-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 7.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 25mo @ 7.4a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 37,6 NC @ 10 V | ± 20 V | 1790 PF @ 20 V | - - - | - - - | ||||||||||||
![]() | DMN6040SSDQ-13 | 0,6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN6040 | MOSFET (Metalloxid) | 1.3W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 5a (ta) | 40mohm @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 22.4nc @ 10v | 1287Pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||
ADTA143XUAQ-13 | 0,0320 | ![]() | 8151 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ADTA143 | 330 MW | SOT-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 100 ma | - - - | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | DMT3003LFG-13 | 0,3045 | ![]() | 5529 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT3003 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 22A (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,2 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 44 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2370 PF @ 15 V | - - - | 2,4 W (TA), 62W (TC) | |||||||||||||
![]() | ZXTDCM832TA | - - - | ![]() | 3370 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | ZXTDCM832 | 1.7W | 8-mlp (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 50V | 4a | 25na | 2 NPN (Dual) | 320mv @ 200ma, 4a | 100 @ 2a, 2v | 165 MHz | |||||||||||||||||
ZXTN25100BFHTA | 0,5700 | ![]() | 7821 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTN25100 | 1,25 w | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 100 v | 3 a | 50na (ICBO) | Npn | 250 mV @ 300 mA, 3a | 100 @ 10ma, 2v | 160 MHz | ||||||||||||||||||
DDA144EH-7 | 0,4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDA144 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 47kohm | 47kohm | |||||||||||||||||
DMN3065LW-13 | 0,4500 | ![]() | 122 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN3065 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 4a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 52mohm @ 4a, 10V | 1,5 V @ 250 ähm | 11.7 NC @ 10 V | ± 12 V | 465 PF @ 15 V | - - - | 770 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | ZXMN10A09KTC | 1.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ZXMN10 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 5a (ta) | 6 V, 10V | 85mohm @ 4,6a, 10V | 4v @ 250 ähm | 26 NC @ 10 V | ± 20 V | 1313 PF @ 50 V | - - - | 2.15W (TA) | |||||||||||||
DMP2045U-7 | 0,4500 | ![]() | 139 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP2045 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 4.3a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 45mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,8 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 634 PF @ 10 V. | - - - | 800 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | Bst52ta | 0,4600 | ![]() | 1354 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BST52 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 80 v | 500 mA | 10 µA | NPN - Darlington | 1,3 V @ 500 µA, 500 mA | 1000 @ 150 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||
![]() | DMN33D8LDWQ-13 | 0,0670 | ![]() | 6997 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN33 | MOSFET (Metalloxid) | 350 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN33D8LDWQ-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 250 mA (TA) | 2,4OHM @ 250 mA, 10V | 1,5 V @ 100 µA | 1.23nc @ 10v | 48pf @ 5v | - - - | ||||||||||||||||
![]() | ZXTN620MATA | 0,5300 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn | ZXTN620 | 3 w | DFN2020B-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 80 v | 3.5 a | 25na | Npn | 325mv @ 300 mA, 3,5a | 300 @ 200 Ma, 2V | 160 MHz | |||||||||||||||||
![]() | ZTX788BSTZ | 0,4494 | ![]() | 3003 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Aktiv | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX788 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 15 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450 mV @ 10ma, 2a | 500 @ 10 mA, 2V | 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMT6009LCT | 0,8700 | ![]() | 995 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | DMT6009 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMT6009LCTDI-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 37,2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 13.5a, 10V | 2v @ 250 ähm | 33,5 NC @ 10 V. | ± 16 v | 1925 PF @ 30 V | - - - | 2,2 W (TA), 25 W (TC) | ||||||||||||
![]() | DDTC115EE-7 | 0,3500 | ![]() | 652 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTC115 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
MMSTA56Q-7-F | 0,3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMSTA56 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 80 v | 500 mA | 100na | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||||||||||||
FZT1149ATC | - - - | ![]() | 4446 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT1149A | 2,5 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25 v | 4 a | 100na | PNP | 350 mv @ 140 mA, 4a | 250 @ 500 mA, 2V | 135 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ZDT651TC | - - - | ![]() | 6437 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-223-8 | ZDT651 | 2.75W | Sm8 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 60 v | 2a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 500mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 500 mA, 2V | 175MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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