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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
APT13005DTF-G1 Diodes Incorporated APT13005DTF-G1 - - -
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 ECAD 2712 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Kasten Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack APT13005 28 w To-220f-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 450 V 4 a - - - Npn 900mv @ 1a, 4a 8 @ 2a, 5V 4MHz
DMP2900UWQ-7 Diodes Incorporated DMP2900UWQ-7 0,0676
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DMP2900UWQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 600 mA (TA) 1,8 V, 4,5 V. 750 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,7 PC @ 4,5 V ± 6 V 49 PF @ 16 V - - - 300 MW
ZXMN3A14FQTA Diodes Incorporated ZXMN3A14FQTA 0,7400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXMN3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 3.9a (TA) 4,5 V, 10 V. 65mohm @ 3,2a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 8.6 NC @ 10 V ± 20 V 448 PF @ 15 V - - - 1,5 W (TA)
ZXMN6A09GQTA Diodes Incorporated ZXMN6A09GQTA 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMN6 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 60 v 5.4a (TA) 4,5 V, 10 V. 40mohm @ 8.2a, 10V 3v @ 250 ähm 24.2 NC @ 10 V. ± 20 V 1407 PF @ 40 V - - - 2W (TA)
DMN3055LFDBQ-13 Diodes Incorporated DMN3055LFDBQ-13 0,1137
RFQ
 ECAD 2158 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN3055 - - - 810 MW (TA) U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3055LFDBQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 2 n-kanal (dual) 30V 5a (ta) 40mohm @ 3a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 11.2nc @ 10v 458PF @ 15V - - -
DDTC125TE-7 Diodes Incorporated DDTC125TE-7 0,3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DDTC125 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
ZTX957STZ Diodes Incorporated Ztx957stz 0,4970
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Box (TB) Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX957 1,2 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 2.000 300 V 1 a 50na (ICBO) PNP 200mv @ 300 mA, 1a 100 @ 500 mA, 10V 85 MHz
2DD2679-13 Diodes Incorporated 2DD2679-13 0,4600
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 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 2dd2679 2 w SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.500 30 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 370mv @ 75 mA, 1,5a 270 @ 200 Ma, 2V 240 MHz
DMP3018SFV-13 Diodes Incorporated DMP3018SFV-13 0,5200
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3018 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 11A (TA), 35A (TC) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 51 NC @ 10 V ± 25 V 2147 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
BFS17NTA Diodes Incorporated BFS17NTA 0,3900
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BFS17 330 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 - - - 11V 50 ma Npn 56 @ 5MA, 10 V. 3,2 GHz - - -
ZDT6790TC Diodes Incorporated ZDT6790TC - - -
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZDT6790 2.75W Sm8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 4.000 45 V, 40 V. 2a 100NA (ICBO) NPN, PNP 500mv @ 5ma, 1a / 750 mV @ 50 mA, 2a 400 @ 1a, 2v / 300 @ 10 mA, 2 V. 150 MHz, 100 MHz
ZTX618STOB Diodes Incorporated Ztx618Stob - - -
RFQ
 ECAD 2702 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads ZTX618 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 20 v 3.5 a 100na Npn 255mv @ 50 Ma, 3,5a 300 @ 200 Ma, 2V 140 MHz
DMTH45M5SFVW-13 Diodes Incorporated DMTH45M5SFVW-13 0,2842
RFQ
 ECAD 7106 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-DMTH45M5SFVW-13TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 40 v 18a (TA), 71a (TC) 10V 5,5 MOHM @ 25a, 10V 3,5 V @ 250 ähm 13.2 NC @ 10 V ± 20 V 1083 PF @ 20 V - - - 3,5 W (TA), 51W (TC)
DDTA124XKA-7-F Diodes Incorporated DDTA124XKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA124 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 68 @ 10ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
DDTC123ECAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC123ECAQ-7-F 0,0375
RFQ
 ECAD 7466 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC123 200 MW SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DDTC123ecaq-7-Ftr Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 20 @ 20 Ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
MMBT3906-13 Diodes Incorporated MMBT3906-13 - - -
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000 40 v 200 ma 50na PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
ZTX758 Diodes Incorporated ZTX758 0,3682
RFQ
 ECAD 8723 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3 1 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000 400 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 mA, 100 mA 50 @ 100 mA, 5V 50 MHz
ZXMP6A18KQTC Diodes Incorporated ZXMP6A18KQTC 0,5488
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMP6A18 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) - - - UnberÜHrt Ereichen 31-Zxmp6A18KQTCTR Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 6.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 55mohm @ 3,5a, 10V 1V @ 250 ähm 44 NC @ 10 V. ± 20 V 1580 PF @ 30 V - - - 2.15W (TA)
DDTA124ECA-7 Diodes Incorporated DDTA124eca-7 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA124 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5ma, 5V 250 MHz 22 Kohms 22 Kohms
ZTX849STOA Diodes Incorporated Ztx849stoa - - -
RFQ
 ECAD 3098 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch E-Line-3, Gebildete Leads Ztx849 1,2 w E-line (bis 92 kompatibel) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 2.000 30 v 5 a 50na (ICBO) Npn 220 mV @ 200 Ma, 5a 100 @ 1a, 1V 100 MHz
ZXMP2120G4TA Diodes Incorporated ZXMP2120G4TA - - -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMP2120 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 200 v 200 Ma (TA) 10V 25ohm @ 150 mA, 10V 3,5 V @ 1ma ± 20 V 100 PF @ 25 V. - - - 2W (TA)
DMT3006LFVQ-7 Diodes Incorporated DMT3006LFVQ-7 0,7500
RFQ
 ECAD 7484 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT3006 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 7mohm @ 9a, 10V 3v @ 250 ähm 16.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1155 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
DXTN07100BP5Q-13 Diodes Incorporated DXTN07100BP5Q-13 0,8500
RFQ
 ECAD 1555 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 DXTN07100 3.2 w PowerDi ™ 5 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 5.000 100 v 2 a 100NA (ICBO) Npn 500mv @ 200 Ma, 2a 100 @ 500 mA, 2V 175MHz
ZXTP23015CFHTA Diodes Incorporated ZXTP23015CFHTA 0,7900
RFQ
 ECAD 103 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXTP23015 1,25 w SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 15 v 5 a 20na PNP 190mv @ 240 Ma, 6a 200 @ 500 Ma, 2V 270 MHz
DMT6007LFGQ-7 Diodes Incorporated DMT6007LFGQ-7 1.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT6007 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 60 v 15a (TA), 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 6mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 41,3 NC @ 10 V. ± 20 V 2090 PF @ 30 V - - - 2,2 W (TA), 62,5 W (TC)
ZXM41N10FTC Diodes Incorporated ZXM41N10ftC - - -
RFQ
 ECAD 4707 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 100 v 170 mA (ta) 3 V, 4,5 V. 8OHM @ 150 mA, 4,5 V. 1,5 V @ 1ma ± 40 V 25 PF @ 25 V. - - - 360 MW (TA)
DMN30H14DLY-13 Diodes Incorporated DMN30H14DLY-13 0,2761
RFQ
 ECAD 5343 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa DMN30 MOSFET (Metalloxid) SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 N-Kanal 300 V 210 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 14ohm @ 300 mA, 10V 3v @ 250 ähm 4 NC @ 10 V. ± 20 V 96 PF @ 25 V. - - - 900 MW (TA)
DMP2110UVT-7 Diodes Incorporated DMP2110uvt-7 0,0949
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP2110 MOSFET (Metalloxid) 740 MW (TA) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 p-kanal (dual) 20V 1,8a (ta) 150 MOHM @ 2,8a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 6nc @ 4,5 V 443PF @ 6v - - -
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated DMN3018SSS-13 0,4000
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMN3018 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 7.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 21mohm @ 10a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 13.2 NC @ 10 V ± 25 V 697 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
DMN2056U-7-50 Diodes Incorporated DMN2056U-7-50 0,0840
RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Masse Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2056 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen 31-DMN2056U-7-50 Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 4a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 38mohm @ 3,6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 4,3 NC @ 4,5 V. ± 8 v 339 PF @ 10 V. - - - 660 MW
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