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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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Fmmt718ta-50 | 0,0852 | ![]() | 9862 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt718 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | 31-FMMT718ta-50 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 v | 1,5 a | 100na | PNP | 220 MV @ 50 Ma, 1,5a | 300 @ 100 mA, 2 V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||
DMN2058UW-7 | 0,3800 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DMN2058 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3,5a (TA) | 1,8 V, 10 V. | 42mohm @ 3a, 10V | 1,2 V @ 250 ähm | 7,7 NC @ 10 V | ± 12 V | 281 PF @ 10 V. | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMJ70H1D4SV3 | - - - | ![]() | 5183 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | DMJ70 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 700 V | 5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 342 PF @ 50 V | - - - | 78W (TC) | |||||||||||||
BC807-16-7 | - - - | ![]() | 3319 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMP2104LP-7 | 0,4300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn | DMP2104 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1411-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,5a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 150 MOHM @ 950 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 12 V | 320 PF @ 16 V | - - - | 500 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | APT27XZTR-G1 | - - - | ![]() | 2947 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | Apt27 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-APT27XZTR-G1TB | Veraltet | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN10A08DN8TA | 0,8300 | ![]() | 7029 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZXMN10 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n-kanal (dual) | 100V | 1.6a | 250 MOHM @ 3.2a, 10 V | 2V @ 250 ähm (min) | 7.7nc @ 10v | 405PF @ 50V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
![]() | DDTA115eca-7 | 0,3900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA115 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-ddta115eca-7dkr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN2024UFX-7 | 0,1962 | ![]() | 3850 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-vfdfn exponiert pad | DMN2024 | MOSFET (Metalloxid) | 920 MW | V-DFN2050-4 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2024UFX-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 8a (TC) | 22mohm @ 4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 14.8nc @ 10v | 647PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||
ZXTN25100DGQTA | 0,8200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXTN25100 | 1,2 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 100 v | 3 a | 50na (ICBO) | Npn | 500mv @ 600 mA, 3a | 300 @ 10ma, 2v | 175MHz | ||||||||||||||||||
FZT1147ATC | - - - | ![]() | 8153 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | FZT1147A | 2,5 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 12 v | 5 a | 100na | PNP | 400mv @ 50 Ma, 5a | 250 @ 500 mA, 2V | 115 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ZXMN6A09KTC | - - - | ![]() | 5613 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 7.7a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 7.3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 29 NC @ 10 V | ± 20 V | 1426 PF @ 30 V | - - - | 2.15W (TA) | |||||||||||||
![]() | DMN16M9UCA6-7 | 0,3560 | ![]() | 7231 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | DMN16 | MOSFET (Metalloxid) | 2.4W | X3-DSN2718-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | - - - | - - - | - - - | 1,3 V @ 1ma | 35,2nc @ 4,5 V | 2360pf @ 6v | - - - | |||||||||||||||
![]() | ZXMP2120ffta | 0,7500 | ![]() | 9376 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-3 Flache Leitungen | ZXMP2120 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23F | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 200 v | 137 mA (ta) | 10V | 28ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | ||||||||||||||
![]() | Ztx601Stob | - - - | ![]() | 8810 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX601 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 160 v | 1 a | 10 µA | NPN - Darlington | 1,2 V @ 10ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | 250 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMT10H025SK3-13 | 0,2361 | ![]() | 8840 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | To-252, (d-pak) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 41,2a (TC) | 6 V, 10V | 23mohm @ 20a, 10V | 4v @ 250 ähm | 21.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 1544 PF @ 50 V | - - - | 1.4W (TA) | |||||||||||||
ZXT12N50DXTC | 0,6300 | ![]() | 9586 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | ZXT12N50 | 1.04W | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 50V | 3a | 100na | 2 NPN (Dual) | 250mv @ 50 Ma, 3a | 300 @ 1a, 2v | 132 MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DMN601DWKQ-7 | 0,3800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN601 | MOSFET (Metalloxid) | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 305 Ma (TA) | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | 0,304 NC @ 4,5 V. | 50pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||
BCP5616TTA | 0,4000 | ![]() | 950 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BCP5616 | 2,5 w | SOT-223-3 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 150 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | ZXTP03200BZTA | 0,8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | ZXTP03200 | 1,1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 200 v | 2 a | 50na (ICBO) | PNP | 260 mv @ 400 mA, 2a | 100 @ 1a, 5V | 105 MHz | |||||||||||||||||
DDTA114YCA-7 | - - - | ![]() | 2443 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 68 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
ZXTP2012GTA | 0,8200 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZXTP2012 | 3 w | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 v | 5.5 a | 20na (ICBO) | PNP | 250mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 2a, 1V | 120 MHz | ||||||||||||||||||
DDTB113ZC-7-F | 0,2500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTB113 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 56 @ 50 Ma, 5V | 200 MHz | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DDTC114WE-7 | 0,3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | DDTC114 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMP6110SVTQ-7 | 0,7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | DMP6110 | MOSFET (Metalloxid) | TSOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 7.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 105mohm @ 4,5a, 10V | 3v @ 250 ähm | 17.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 969 PF @ 30 V | - - - | 1,8W (TA) | |||||||||||||
![]() | DMP22D4UFO-7B | 0,4400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP22 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0604-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 530 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 1,9OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,4 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 28.7 PF @ 15 V | - - - | 820 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | ZVN0124ZSTOB | - - - | ![]() | 5680 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 240 V | 160 mA (ta) | 10V | 16ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||||||||||||
![]() | DXT696BK-13 | 0,6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DXT696 | 3,9 w | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 180 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 250mv @ 5ma, 200 mA | 150 @ 200 Ma, 5V | 70 MHz | |||||||||||||||||
DMN2500UFB4-7B | - - - | ![]() | 7480 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN2500 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN2500UFB4-7BDI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 810 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,737 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 60.67 PF @ 16 V | - - - | 460 MW (TA) | |||||||||||||
ZXTP5240F-7 | 0,4000 | ![]() | 104 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ZXTP5240 | 730 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 2 a | 100NA (ICBO) | PNP | 350 MV @ 200 Ma, 2a | 300 @ 100 mA, 2 V | 100 MHz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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