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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMN6066SSS-13 Diodes Incorporated DMN6066SSS-13 0,7900
RFQ
 ECAD 2720 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMN6066 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 3.7a (ta) 4,5 V, 10 V. 66mohm @ 4,5a, 10V 3v @ 250 ähm 10.3 NC @ 10 V ± 20 V 502 PF @ 30 V - - - 1,56W (TA)
ADTB113ZCQ-13 Diodes Incorporated ADTB113ZCQ-13 - - -
RFQ
 ECAD 2793 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ADTB113 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-attb113zcq-13tr Veraltet 10.000
ZTD09N50DE6QTA-52 Diodes Incorporated ZTD09N50DE6QTA-52 0,2337
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZTD09N50 700 MW SOT-26 Herunterladen 31-CKTD09N50DE6QTA-52 Ear99 8541.29.0075 3.000 50V 1a 10na 2 NPN (Dual) 270mv @ 50 Ma, 1a 300 @ 100 mA, 2 V 215 MHz
DMG2302UK-13 Diodes Incorporated DMG2302UK-13 0,0507
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG2302 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 2.8a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 90 MOHM @ 3,6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 2,8 nc @ 10 v ± 12 V 130 PF @ 10 V. - - - 660 MW (TA)
DDTA143XKA-7-F Diodes Incorporated DDTA143XKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA143 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 10ma, 5v 250 MHz 4.7 Kohms 10 Kohms
DMC31D5UDJ-7 Diodes Incorporated DMC31D5UDJ-7 0,4100
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-963 DMC31 MOSFET (Metalloxid) 350 MW SOT-963 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N und p-kanal 30V 220 Ma, 200 Ma 1,5OHM @ 100 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,38nc @ 4,5 V 22.6PF @ 15V Logikpegel -tor
DDTC114WUA-7 Diodes Incorporated DDTC114WUA-7 - - -
RFQ
 ECAD 4122 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC114 200 MW SOT-323 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 24 @ 10ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
ZXMHC6A07T8TA Diodes Incorporated ZXMHC6A07T8TA 1.7000
RFQ
 ECAD 1377 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZXMHC6 MOSFET (Metalloxid) 1.3W Sm8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 2 n und 2 p-kanal (Halbe Brücke) 60 v 1,6a, 1,3a 300 MOHM @ 1,8a, 10V 3v @ 250 ähm 3.2nc @ 10v 166PF @ 40V Logikpegel -tor
DMPH4029LFG-7 Diodes Incorporated DMPH4029LFG-7 0,2558
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMPH4029 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen DMPH4029LFG-7DI Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 v 8a (ta), 22a (TC) 4,5 V, 10 V. 29mohm @ 3a, 10V 3v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1626 PF @ 20 V - - - 1.2W (TA)
FMMT458W Diodes Incorporated Fmmt458w - - -
RFQ
 ECAD 8049 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 500 MW SOT-23-3 - - - 31-FMMT458W Ear99 8541.21.0095 1 400 V 225 Ma 100na Npn 500mv @ 6ma, 50 mA 100 @ 50 Ma, 10 V 50 MHz
DDTC143TKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143TKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC143 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 4.7 Kohms
BCP5610QTA Diodes Incorporated BCP5610qta 0,1197
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BCP5610 2 w SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen BCP5610QTADI Ear99 8541.29.0075 1.000 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 150 MHz
DDTA115TCA-7-F Diodes Incorporated DDTA115TCA-7-F 0,0386
RFQ
 ECAD 1421 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddta (r1-nur-serie) ca Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA115 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 300 mV @ 100 µA, 1 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 100 Kohms
DMPH4029LFGQ-7 Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ-7 0,7000
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMPH4029 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 v 8a (ta), 22a (TC) 4,5 V, 10 V. 29mohm @ 3a, 10V 3v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1626 PF @ 20 V - - - 1.2W (TA)
ZDT690TA Diodes Incorporated Zdt690ta - - -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-223-8 ZDT690 2.75W Sm8 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1.000 45 V 2a 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 500mv @ 5ma, 1a 400 @ 1a, 2v 150 MHz
FMMT459QTA Diodes Incorporated Fmmt459qta 0,5800
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 Fmmt459 806 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 450 V 150 Ma 100na Npn 90 mv @ 6ma, 50 mA 50 @ 30 mA, 10V 50 MHz
DXTP03200BP5-13 Diodes Incorporated DXTP03200BP5-13 0,7500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung PowerDi ™ 5 DXTP03200 3.2 w PowerDi ™ 5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 5.000 200 v 2 a 50na (ICBO) PNP 275mv @ 400 mA, 2a 100 @ 1a, 5V 105 MHz
DMT5012LFVW-7 Diodes Incorporated DMT5012LFVW-7 0,2006
RFQ
 ECAD 2834 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT5012LFVW-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 50 v 11,7a (TA), 51,4a (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 10a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 17.6 NC @ 10 V. ± 20 V 738 PF @ 30 V - - - 2,7W (TA), 51,4W (TC)
MMBT3904T-7-F-79 Diodes Incorporated MMBT3904T-7-F-79 - - -
RFQ
 ECAD 4506 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet MMBT3904 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-MMBT3904T-7-F-79TR Veraltet 3.000
DMN1045UFR4-7 Diodes Incorporated DMN1045UFR4-7 0,4500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN1045 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN1010-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 12 v 3.2a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 45mohm @ 3,2a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 4,8 NC @ 4,5 V. ± 8 v 375 PF @ 10 V. - - - 500 MW (TA)
DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated DDTD113ZU-7-F 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTD113 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 56 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 1 Kohms 10 Kohms
DDTD142TC-7 Diodes Incorporated DDTD142TC-7 0,3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv DDTD142 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
2N7002T-13-G Diodes Incorporated 2N7002T-13-G - - -
RFQ
 ECAD 4516 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Veraltet 2N7002 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 2N7002T-13-GDI Ear99 8541.21.0095 10.000
DDTC115GUA-7-F Diodes Incorporated DDTC115GUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC115 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 82 @ 5MA, 5V 250 MHz 100 Kohms
BC847CT-7-F Diodes Incorporated BC847CT-7-F 0,2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 BC847 150 MW SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
DMN3061LCA3-7 Diodes Incorporated DMN3061LCA3-7 0,1238
RFQ
 ECAD 8811 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN3061 MOSFET (Metalloxid) X4-DSN1006-3 (Typ C) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3061LCA3-7TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 30 v 4.6a (TA) 1,8 V, 8 V. 58mohm @ 500 mA, 8v 1,1 V @ 250 ähm 1,4 NC @ 4,5 V. 12V 126 PF @ 15 V - - - 1.12W
DMN61D9UDWQ-7 Diodes Incorporated DMN61D9UDWQ-7 0,0515
RFQ
 ECAD 5537 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN61 MOSFET (Metalloxid) 370 MW (TA) SOT-363 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN61D9UDWQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 60 v 318 mA (ta) 2OHM @ 50 Ma, 5V 1V @ 250 ähm 0,6nc @ 4,5 V 39PF @ 30V - - -
ZXMP6A13FTA Diodes Incorporated ZXMP6A13FTA 0,5500
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ZXMP6A13 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 60 v 900 mA (TA) 4,5 V, 10 V. 400mohm @ 900 mA, 10 V. 3v @ 250 ähm 5,9 NC @ 10 V. ± 20 V 219 PF @ 30 V - - - 625 MW (TA)
DDTA144WUA-7 Diodes Incorporated DDTA144WUA-7 0,2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DDTA144 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
ZXTP25020CFFTA Diodes Incorporated ZXTP25020CFFTA 0,5600
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-3 Flache Leitungen ZXTP25020 1,5 w SOT-23F Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 20 v 4.5 a 50na (ICBO) PNP 260 MV @ 225 Ma, 4,5a 200 @ 10ma, 2v 285 MHz
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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    2800+

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