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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
DMP3011SPDW-13 Diodes Incorporated DMP3011SPDW-13 0.4003
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMP3011 MOSFET (Metalloxid) 1.4W (TA) PowerDI5060-8 (Typ UXD) Herunterladen 31-DMP3011SPDW-13 Ear99 8541.29.0095 2.500 2 P-Kanal 30V 12,1a (TA), 38,2a (TC) 13mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 46nc @ 10v 2380PF @ 15V Standard
DMN3053L-7 Diodes Incorporated DMN3053L-7 0,3900
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3053 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 4a (ta) 2,5 V, 10 V. 45mohm @ 4a, 10V 1,4 V @ 250 ähm 17.2 NC @ 10 V. ± 12 V 676 PF @ 15 V - - - 760 MW (TA)
DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ-13 0,6100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMTH4008 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (SWP) (Typ F) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 40 v 11.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 11,5 MOHM @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 14.2 NC @ 10 V. ± 20 V 1030 PF @ 20 V - - - 990 MW (TA)
DMS3012SFG-7 Diodes Incorporated DMS3012SFG-7 - - -
RFQ
 ECAD 3902 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 30 v 12a (ta) 4,5 V, 10 V. 10MOHM @ 13.5a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 14.7 NC @ 10 V. ± 20 V 4310 PF @ 15 V Schottky Diode (Körper) 890 MW (TA)
DMPH4029LFGQ-7-52 Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ-7-52 0,2139
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen 31-DMPH4029LFGQ-7-52 Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 v 8a (ta), 22a (TC) 4,5 V, 10 V. 29mohm @ 3a, 10V 3v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1626 PF @ 20 V - - - 1.2W (TA)
DMPH6250SQ-13 Diodes Incorporated DMPH6250SQ-13 0,4200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMPH6250 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 60 v 2.4a (TA) 4,5 V, 10 V. 155mohm @ 2a, 10V 3v @ 250 ähm 8.3 NC @ 10 V ± 20 V 512 PF @ 30 V - - - 920 MW
DMTH8008SFG-7 Diodes Incorporated DMTH8008SFG-7 0,4417
RFQ
 ECAD 3414 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH8008SFG-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 80 v 17a (Ta), 68a (TC) 6 V, 10V 7mohm @ 14a, 10V 4v @ 1ma 31.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1945 PF @ 40 V. - - - 1,2 W (TA), 50 W (TC)
DMP4006SPSWQ-13 Diodes Incorporated DMP4006SPSWQ-13 1.9100
RFQ
 ECAD 8604 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn DMP4006 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 115a (TC) 6 V, 10V 5.2mohm @ 9.8a, 10V 3v @ 250 ähm 162 NC @ 10 V ± 20 V 6855 PF @ 20 V - - - 3.4W (TA), 104W (TC)
DMP3028LFDEQ-13 Diodes Incorporated DMP3028LFDEQ-13 0,1109
RFQ
 ECAD 9035 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMP3028 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP3028lfdeq-13tr Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 30 v 6.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 7a, 10V 2,4 V @ 250 ähm 33 NC @ 10 V. ± 20 V 1860 PF @ 15 V - - - 660 MW (TA)
DMN67D8LDW-13 Diodes Incorporated DMN67D8LDW-13 0,0605
RFQ
 ECAD 2969 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN67 MOSFET (Metalloxid) 320 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 2 n-kanal (dual) 60 v 230 Ma 5ohm @ 500 mA, 10V 2,5 V @ 250 ähm 0,82nc @ 10v 22pf @ 25v - - -
DMTH4004LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH4004LK3Q-13 1.3900
RFQ
 ECAD 3302 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMTH4004 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 3mohm @ 50a, 10V 3v @ 250 ähm 83 NC @ 10 V ± 20 V 4450 PF @ 25 V. - - - 3,9W (TA), 180 W (TC)
DMN2005K-7 Diodes Incorporated DMN2005K-7 0,3800
RFQ
 ECAD 872 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2005 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 300 mA (TA) 1,8 V, 2,7 V. 1,7OHM @ 200 Ma, 2,7 V. 900 mV @ 100 µA ± 10 V - - - 350 MW (TA)
FZT749AT3DW Diodes Incorporated FZT749AT3DW - - -
RFQ
 ECAD 4154 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,2 w SOT-223-3 - - - 31-FZT749AT3DW Ear99 8541.29.0095 1 25 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 300 mA, 3a 100 @ 1a, 2v 160 MHz
DMT10H009LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H009LK3-13 1.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMT10 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 90a (TC) 4,5 V, 10 V. 9mohm @ 20a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 20 NC @ 4,5 V. ± 20 V 2309 PF @ 50 V - - - 1.7W (TA)
DMN24H11DS-7 Diodes Incorporated DMN24H11DS-7 0,4300
RFQ
 ECAD 8424 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN24 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 240 V 270 Ma (TA) 4,5 V, 10 V. 11OHM @ 300 mA, 10V 3v @ 250 ähm 3,7 NC @ 10 V. ± 20 V 76,8 PF @ 25 V. - - - 750 MW (TA)
DMN2026UVT-7 Diodes Incorporated DMN2026UVT-7 0,1335
RFQ
 ECAD 3823 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN2026 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 6.2a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 24MOHM @ 6.2a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 18,4 NC @ 8 V. ± 10 V 887 PF @ 10 V. - - - 1.15W (TA)
DMTH4004SCTB-13 Diodes Incorporated DMTH4004SCTB-13 1.5900
RFQ
 ECAD 8059 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab DMTH4004 MOSFET (Metalloxid) To-263 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 100a (TC) 10V 3mohm @ 100a, 10V 4v @ 250 ähm 68,6 NC @ 10 V ± 20 V 4305 PF @ 25 V. - - - 4,7W (TA), 136W (TC)
DMP2170U-13 Diodes Incorporated DMP2170U-13 0,0733
RFQ
 ECAD 4479 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP2170 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 20 v 3.1a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 90 MOHM @ 3,5A, 4,5 V. 1,25 V @ 250 ähm 7,8 NC @ 10 V ± 12 V 303 PF @ 10 V. - - - 780 MW (TA)
DMTH4005SCT Diodes Incorporated DMTH4005SCT 1.3124
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 DMTH4005 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 100a (TC) 10V 4.7mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 49.1 NC @ 10 V. ± 20 V 3062 PF @ 20 V - - - 2,8 W (TA), 125W (TC)
DMN3009SSS-13 Diodes Incorporated DMN3009SSS-13 0,5700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMN3009 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 15a (ta) 4,5 V, 10 V. 5,5 MOHM @ 15a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 42 NC @ 10 V. ± 20 V 2000 PF @ 15 V - - - 1.4W (TA)
DMTH6016LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH6016LK3Q-13 0,2946
RFQ
 ECAD 9953 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMTH6016 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 10,8a (TA), 46,9a (TC) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 864 PF @ 30 V - - - 3.2W (TA)
DMN2710UT-7 Diodes Incorporated DMN2710ut-7 0,0748
RFQ
 ECAD 7673 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN2710 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2710UT-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 870 mA (TA) 1,8 V, 4,5 V. 450MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,6 NC @ 4,5 V. ± 6 V 42 PF @ 16 V. - - - 320 MW (TA)
DMC2710UVT-13 Diodes Incorporated DMC2710uvt-13 0,0887
RFQ
 ECAD 9017 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMC2710 MOSFET (Metalloxid) 500 MW (TA) TSOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMC2710UVT-13DI Ear99 8541.21.0095 10.000 N-und p-kanal-krementär 20V 1,2a (TA), 900 Ma (TA) 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V, 700 MOHM @ 430 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,6nc @ 4,5 V, 0,7nc @ 4,5 V. 42pf @ 16V, 49PF @ 16V - - -
DMN2400UFB4-7R Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7R - - -
RFQ
 ECAD 1176 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN2400 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN1006-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN2400UFB4-7RDI Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 750 Ma (TA) 1,8 V, 4,5 V. 550MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 0,5 NC @ 4,5 V ± 12 V 36 PF @ 16 V - - - 470 MW (TA)
DMT10H010SPS-13 Diodes Incorporated DMT10H010SPS-13 0,4998
RFQ
 ECAD 2540 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMT10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 100 v 10.7a (ta), 113a (TC) 6 V, 10V 8,8 MOHM @ 13A, 10V 4v @ 250 ähm 56,4 NC @ 10 V. ± 20 V 4468 PF @ 50 V - - - 1.2W (TA)
ZXMD63N03XTC Diodes Incorporated ZXMD63N03XTC - - -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) ZXMD63 MOSFET (Metalloxid) 1.04W 8-msop Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 4.000 2 n-kanal (dual) 30V 2.3a 135mohm @ 1,7a, 10V 1 V @ 250 um (min) 8nc @ 10v 290pf @ 25v Logikpegel -tor
DMT69M8LSS-13 Diodes Incorporated DMT69M8LSS-13 - - -
RFQ
 ECAD 3588 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 9,8a (ta) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 13.5a, 10V 2v @ 250 ähm 33,5 NC @ 10 V. ± 16 v 1925 PF @ 30 V - - - 1,25W (TA)
DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated DMG7408SFG-7 0,4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMG7408 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 7a (ta) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 10a, 10V 2,4 V @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 20 V 478.9 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
DMT6012LPS-13 Diodes Incorporated DMT6012LPS-13 - - -
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Band & Rollen (TR) Aktiv DMT6012 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500
DMP6185SK3-13 Diodes Incorporated DMP6185SK3-13 0,6100
RFQ
 ECAD 8880 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMP6185 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 9,4a (TC) 4,5 V, 10 V. 150 MOHM @ 12A, 10V 3v @ 250 ähm 14 NC @ 10 V ± 20 V 708 PF @ 30 V - - - 1.6W (TA)
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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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