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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DMC10H220LSD-13 Diodes Incorporated DMC10H220LSD-13 0,3103
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMC10 MOSFET (Metalloxid) 1W (TA) 8-so Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMC10H220LSD-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-und p-kanal-krementär 100V 1.7a (ta) 220MOHM @ 1,6a, 10 V, 250 MOHM @ 1A, 10 V 3v @ 250 ähm 8.3nc @ 10v, 17.5nc @ 10v 340pf @ 50V, 1030pf @ 50V - - -
DMN1001UCA10-7 Diodes Incorporated DMN1001UCA10-7 0,3222
RFQ
 ECAD 4340 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 10-SMD, Keine Frotung DMN1001 MOSFET (Metalloxid) 1W X2-TSN1820-10 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN1001UCA10-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 12V 20a (ta) 3,55 MOHM @ 5A, 4,5 V. 1,4 V @ 870 ähm 29nc @ 4v 2865PF @ 6v - - -
DMN3061SWQ-13 Diodes Incorporated DMN3061SWQ-13 0,4400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN3061 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 30 v 2.7a (TA) 3,3 V, 10 V. 60MOHM @ 3.1a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 3,5 NC @ 4,5 V. ± 20 V 278 PF @ 15 V - - - 490 MW (TA)
DMN2451UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN2451UFB4Q-7B 0,2600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN2451 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN1006-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 20 v 1,3a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 6.4 NC @ 10 V ± 12 V 32 PF @ 16 V. - - - 660 MW (TA)
DMTH4002SCTB-13 Diodes Incorporated DMTH4002SCTB-13 0,8985
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab (d²pak) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH4002SCTB-13TR Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 192a (TC) 10V 3mohm @ 90a, 10V 4v @ 250 ähm 77,5 NC @ 10 V ± 20 V 7180 PF @ 20 V - - - 6W (TA), 166,7W (TC)
DDTA114WCAQ-7-F Diodes Incorporated DDTA114WCAQ-7-F 0,0552
RFQ
 ECAD 5408 0.00000000 Dioden Eingenbaut Ddta (r1 ≠ r2 -serie) ca. Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTA114 200 MW SOT-23-3 - - - UnberÜHrt Ereichen 31-DDTA114WCAQ-7-FTR Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 500 µA, 10 mA 24 @ 10ma, 5V 250 MHz 10 Kohms 4.7 Kohms
DMN4040SK3Q-13 Diodes Incorporated DMN4040SK3Q-13 0,1871
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMN4040 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) - - - UnberÜHrt Ereichen 31-DMN4040SK3Q-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 6a (ta) 4,5 V, 10 V. 30mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 18,6 NC @ 10 V. ± 20 V 945 PF @ 20 V - - - 1.71W
DMN1008UFDFQ-7 Diodes Incorporated DMN1008UFDFQ-7 0,1223
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN1008 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN1008UFDFQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 12 v 12.2a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 8mohm @ 5a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 23.4 NC @ 8 V. ± 8 v 995 PF @ 6 V. - - - 700 MW
DMN3060LWQ-7 Diodes Incorporated DMN3060LWQ-7 0,0824
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DMN3060 MOSFET (Metalloxid) SOT-323 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3060LWQ-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 2.6a (TA) 4,5 V, 10 V. 60MOHM @ 3.1a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 5.6 NC @ 4.5 V ± 12 V 395 PF @ 15 V - - - 500 MW (TA)
MMBT5551Q-7 Diodes Incorporated MMBT5551Q-7 0,3400
RFQ
 ECAD 9986 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 160 v 600 mA 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 80 @ 10ma, 5V 300 MHz
DMP3028LPSW-13 Diodes Incorporated DMP3028LPSW-13 0,2032
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powertdfn DMP3028 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ UX) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP3028LPSW-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 21a (TC) 4,5 V, 10 V. 28mohm @ 7a, 10V 2,4 V @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 20 V 1421 PF @ 15 V - - - 1,28W (TA), 2,1W (TC)
DMTH61M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH61M8SPSQ-13 1.0002
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 (Typ K) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH61M8SPSQ-13TR Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 215a (TC) 10V 1,6 MOHM @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 130,6 NC @ 10 V ± 20 V 8306 PF @ 30 V - - - 3.2W (TA), 167W (TC)
DMTH6015LDVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH6015LDVWQ-7 0,3410
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMTH6015 MOSFET (Metalloxid) 1.46W (TA) PowerDI3333-8 (Typ UXD) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH6015LDVWQ-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 2 n-kanal (dual) 60 v 9,2a (TA), 24,5a (TC) 20,5 MOHM @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 14.3nc @ 10v 825PF @ 30V - - -
DMP31D7LT-7 Diodes Incorporated DMP31D7LT-7 0,0734
RFQ
 ECAD 7573 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMP31 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP31D7LT-7TR Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 360 Ma (TA) 4,5 V, 10 V. 900mohm @ 420 mA, 10V 2,6 V @ 250 ähm 0,36 NC @ 4,5 V. ± 20 V 19 PF @ 15 V - - - 260 MW (TA)
FCX619QTA Diodes Incorporated Fcx619qta 0,7200
RFQ
 ECAD 1593 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 700 MW SOT-89-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 50 v 3 a 100na Npn 320 MV @ 100 Ma, 2.75a 300 @ 200 Ma, 2V 165 MHz
DMN29M9UFDF-7 Diodes Incorporated DMN29M9UFDF-7 0,1598
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN29 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN29M9UFDF-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 11a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 13,5 MOHM @ 5A, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 14.6 NC @ 10 V. ± 12 V 655 PF @ 8 V. - - - 1.2W (TA)
DMP65H9D0HSS-13 Diodes Incorporated DMP65H9D0HSS-13 0,5720
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP65H9D0HSS-13TR Ear99 8541.29.0095 4.000 P-Kanal 600 V 300 mA (TA) 10V 9OHM @ 300 mA, 10V 4v @ 250 ähm 17 NC @ 10 V ± 30 v 740 PF @ 25 V. - - - 1,25W (TA)
DMN6075SQ-13 Diodes Incorporated DMN6075SQ-13 0,1038
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN6075 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN6075SQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 60 v 2a (ta) 4,5 V, 10 V. 85mohm @ 3.2a, 10 V. 3v @ 250 ähm 12.3 NC @ 10 V. ± 20 V 606 PF @ 20 V - - - 800 MW (TA)
DMN3009LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMN3009LFVWQ-7 0,3836
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMN3009 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3009LFVWQ-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 5mohm @ 30a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 42 NC @ 10 V. ± 20 V 2000 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
DMT3020UFDB-7 Diodes Incorporated DMT3020UFDB-7 0,1815
RFQ
 ECAD 3821 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT3020 MOSFET (Metalloxid) 860 MW U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMT3020UFDB-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N und p-kanal 30V 6,5a (ta) 21mohm @ 6a, 10V 1,7 V @ 250 ähm 8.8nc @ 10v 383PF @ 15V - - -
DMN2991UFO-7B Diodes Incorporated DMN2991UFO-7B 0,0367
RFQ
 ECAD 3767 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-xfdfn DMN2991 MOSFET (Metalloxid) X2-DFN0604-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN2991UFO-7BTR Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 20 v 540 mA (TA) 1,5 V, 4,5 V. 990MOHM @ 100 mA, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 0,35 NC @ 4,5 V. ± 8 v 21.5 PF @ 15 V - - - 440 MW (TA)
DMTH10H1M7STLW-13 Diodes Incorporated DMTH10H1M7STLW-13 2.7342
RFQ
 ECAD 4956 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powerfn DMTH10 MOSFET (Metalloxid) PowerDI1012-8 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMTH10H1M7STLW-13TR Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 100 v 250a (TC) 10V 2mohm @ 30a, 10V 4v @ 250 ähm 147 NC @ 10 V ± 20 V 9871 PF @ 50 V - - - 6W (TA), 250W (TC)
DMT69M5LH3 Diodes Incorporated DMT69M5LH3 0,6107
RFQ
 ECAD 7616 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-251-3 Stub Leads, ipak MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-DMT69M5LH3 Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 60 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 10,5 MOHM @ 20A, 10V 2,5 V @ 250 ähm 28.4 NC @ 10 V. ± 20 V 1406 PF @ 30 V - - - 3.3W (TA), 96W (TC)
DMN3300UQ-7 Diodes Incorporated DMN3300UQ-7 0,1084
RFQ
 ECAD 8051 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3300 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3300UQ-7TR Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 1,5a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 150 MOHM @ 4,5A, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 12 V 193 PF @ 10 V. - - - 700 MW
DMN3009LFVQ-7 Diodes Incorporated DMN3009LFVQ-7 0,2771
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung, Benetzbare Flanke 8-Powervdfn DMN3009 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (SWP) Typ UX Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN3009LFVQ-7TR Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 60a (TC) 4,5 V, 10 V. 5,5 MOHM @ 30a, 10V 3v @ 250 ähm 42 NC @ 10 V. ± 20 V 2000 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
DMP2110UFDBQ-13 Diodes Incorporated DMP2110UFDBQ-13 0,1148
RFQ
 ECAD 2287 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMP2110 MOSFET (Metalloxid) 820 MW (TA) U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMP2110UFDBQ-13TR Ear99 8541.29.0095 10.000 2 p-kanal (dual) 20V 3.2a (ta) 75mohm @ 2,8a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 12.7nc @ 8v 443PF @ 10V - - -
DDC114EUQ-13-F Diodes Incorporated DDC114EUQ-13-F 0,0589
RFQ
 ECAD 1104 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101, DDC (XXXX) U. Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC114 200 MW SOT-363 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DDC114EUQ-13-FTR Ear99 8541.21.0075 10.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 2 NPN - Voresingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10kohm 10kohm
DMN33D9LV-7A Diodes Incorporated DMN33D9LV-7A 0,1017
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN33 MOSFET (Metalloxid) 430 MW (TA) SOT-563 Herunterladen UnberÜHrt Ereichen 31-DMN33D9LV-7ATR Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 350 Ma (TA) 2,4OHM @ 250 mA, 10V 1,4 V @ 100 µA 1.23nc @ 10v 48pf @ 5v - - -
DMMT3906Q-7-F Diodes Incorporated DMMT3906Q-7-F 0,5100
RFQ
 ECAD 6205 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DMMT3906 225 MW SOT-26 - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 40V 200 ma 50na 2 PNP (Dual) Matchieres Paar 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 250 MHz
ZXMP4A57E6QTA Diodes Incorporated ZXMP4A57E6QTA 0,2771
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 ZXMP4A57 MOSFET (Metalloxid) SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 31-Zxmp4a57e6qtatr Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 40 v 2,9a (ta) 4,5 V, 10 V. 80Mohm @ 4a, 10V 3v @ 250 ähm 15,8 NC @ 10 V. ± 20 V 833 PF @ 20 V - - - 1.1W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    2800+

    Weltweite Hersteller

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