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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DSS5320T-7 Diodes Incorporated DSS5320T-7 0,3600
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DSS5320 600 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 20 v 2 a 100na PNP 300mv @ 300 mA, 3a 200 @ 1a, 2v 180 MHz
DMT6013LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6013LFDF-13 0,3763
RFQ
 ECAD 9109 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMT6013 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 10a (ta) 4,5 V, 10 V. 15mohm @ 8.5a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 1081 PF @ 30 V - - - 900 MW (TA)
ZXMP6A17N8TC Diodes Incorporated ZXMP6A17N8TC - - -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMP6A17 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 60 v 2.7a (TA) 4,5 V, 10 V. 125mohm @ 2,3a, 10 V 1V @ 250 ähm 17.7 NC @ 10 V. ± 20 V 637 PF @ 30 V - - - 1,56W (TA)
ZVN4525E6TC Diodes Incorporated ZVN4525E6TC - - -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 250 V 230 Ma (TA) 2,4 V, 10 V. 8,5OHM @ 500 mA, 10V 1,8 V @ 1ma 3,65 NC @ 10 V. ± 40 V 72 PF @ 25 V. - - - 1.1W (TA)
DMN3730U-7 Diodes Incorporated DMN3730U-7 0,4600
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3730 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 750 Ma (TA) 1,8 V, 4,5 V. 460MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 1,6 NC @ 4,5 V. ± 8 v 64.3 PF @ 25 V. - - - 450 MW (TA)
DMP4025LSD-13 Diodes Incorporated DMP4025LSD-13 0,9400
RFQ
 ECAD 284 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP4025 MOSFET (Metalloxid) 1,8W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 40V 6.9a 25mohm @ 3a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 33.7nc @ 10v 1640PF @ 20V Logikpegel -tor
DDTC114GUA-7-F Diodes Incorporated DDTC114GUA-7-F 0,0435
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 Dioden Eingenbaut DDTC (R2-Seery) ua Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 DDTC114 200 MW SOT-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ddtc114gua-fditr Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 250 MHz 10 Kohms
ZXMP4A16KTC Diodes Incorporated ZXMP4A16KTC 1.2500
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMP4A16 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 6.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 60MOHM @ 3,8a, 10V 1V @ 250 ähm 29.6 NC @ 10 V. ± 20 V 965 PF @ 20 V - - - 2.15W (TA)
DCX124EK-7-F-50 Diodes Incorporated DCX124EK-7-F-50 0,0465
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Dioden Eingenbaut DCX (xxxx) k Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 DCX124 300 MW SC-74R Herunterladen 31-DCX124EK-7-F-50 Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 5V 250 MHz 22kohm 22kohm
DMN3061S-7 Diodes Incorporated DMN3061S-7 0,4200
RFQ
 ECAD 2338 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN3061 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 2.3a (TA) 3,3 V, 10 V. 59mohm @ 3.1a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 5,5 NC @ 10 V. ± 20 V 233 PF @ 15 V - - - 770 MW (TA)
DMJ70H900HJ3 Diodes Incorporated DMJ70H900HJ3 - - -
RFQ
 ECAD 9650 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa DMJ70 MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 700 V 7a (TC) 10V 900MOHM @ 1,5A, 10V 4v @ 250 ähm 18,4 NC @ 10 V. ± 30 v 603 PF @ 50 V - - - 68W (TC)
DMP3017SFV-7 Diodes Incorporated DMP3017SFV-7 - - -
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP3017 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 30 v 40a (TC) 4,5 V, 10 V. 10Mohm @ 11.5a, 10V 3v @ 250 ähm 41 nc @ 10 v ± 25 V 2246 PF @ 15 V - - - 31W (TA)
ZXTP07060BGQTC Diodes Incorporated ZXTP07060BGQTC 0,1109
RFQ
 ECAD 9500 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Schüttgut Aktiv - - - 31-ZXTP07060BGQTC 4.000
DMC3028LSD-13 Diodes Incorporated DMC3028LSD-13 0,5500
RFQ
 ECAD 5233 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMC3028 MOSFET (Metalloxid) 1,8W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N und p-kanal 30V 6.6a, 6.8a 28mohm @ 6a, 10V 3v @ 250 ähm 10.5nc @ 10v 472pf @ 15V Logikpegel -tor
ZXTEM322TA Diodes Incorporated Zxtem322ta - - -
RFQ
 ECAD 5366 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Powermd, Flache Leitungen ZXTEM322 3 w 3-mlp/dfn (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 80 v 3.5 a 25na Npn 325mv @ 300 mA, 3,5a 300 @ 200 Ma, 2V 160 MHz
FZT953-7 Diodes Incorporated FZT953-7 - - -
RFQ
 ECAD 7451 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) 31-FZT953-7tr Veraltet 3.000
DMN6040SK3Q-13 Diodes Incorporated DMN6040SK3Q-13 0,3145
RFQ
 ECAD 7972 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMN6040 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 20A (TC) 4,5 V, 10 V. 40mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 22.4 NC @ 10 V. ± 20 V 1287 PF @ 25 V. - - - 42W (TC)
ZXMC3A17DN8TA Diodes Incorporated ZXMC3A17DN8TA 0,9700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMC3 MOSFET (Metalloxid) 1.25W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 500 N und p-kanal 30V 4,1a, 3,4a 50mohm @ 7.8a, 10V 1 V @ 250 um (min) 12.2nc @ 10v 600PF @ 25V Logikpegel -tor
DMN5L06VA-7 Diodes Incorporated DMN5L06VA-7 - - -
RFQ
 ECAD 9416 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 DMN5L06 MOSFET (Metalloxid) 150 MW SOT-563 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 50V 280 Ma 3OHM @ 200 Ma, 2,7 V. 1,2 V @ 250 ähm - - - 50pf @ 25v Logikpegel -tor
DMG8880LK3-13 Diodes Incorporated DMG8880LK3-13 - - -
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMG8880 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 11a (ta) 4,5 V, 10 V. 7,5 MOHM @ 11,6A, 10V 2,3 V @ 250 ähm 27.6 NC @ 10 V. ± 20 V 1289 PF @ 15 V - - - 1,68W (TA)
ZXMN20B28KTC Diodes Incorporated ZXMN20B28KTC 0,7500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMN20 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 200 v 1,5a (ta) 5v, 10V 750MOHM @ 2.75a, 10 V 2,5 V @ 250 ähm 8.1 NC @ 5 V ± 20 V 358 PF @ 25 V. - - - 2.2W (TA)
ADTC113TCAQ-13 Diodes Incorporated ADTC113TCAQ-13 - - -
RFQ
 ECAD 1065 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 ADTC113 310 MW SOT-23-3 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ADTC113TCAQ-13DI Ear99 8541.21.0075 10.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 1ma, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 1 Kohms
DMS3014SFG-13 Diodes Incorporated DMS3014SFG-13 - - -
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMS3014 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMS3014SFG-13DI Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 9,5a (TA) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 10.4a, 10V 2,2 V @ 250 ähm 45,7 NC @ 10 V. ± 12 V 4310 PF @ 15 V Schottky Diode (Körper) 1W (TA)
DMP1022UFDEQ-7 Diodes Incorporated DMP1022UFDEQ-7 0,2568
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMP1022 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 12 v 9.1a (ta) 1,2 V, 4,5 V. 16mohm @ 8.2a, 4,5 V. 800 MV @ 250 ähm 42,6 NC @ 5 V. ± 8 v 2953 PF @ 4 V. - - - 660 MW (TA)
DMP2075UVT-13 Diodes Incorporated DMP2075uvt-13 0,0792
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP2075 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 20 v 3.8a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 75mohm @ 4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 8,8 NC @ 4,5 V. ± 8 v 642 PF @ 10 V - - - 1.2W (TA)
DMT615MLFV-13 Diodes Incorporated DMT615MLFV-13 0,2258
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT615 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 8,5a (TA), 38a (TC) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 15,5 NC @ 10 V. ± 20 V 1039 PF @ 30 V - - - 1.76W (TA)
DMN2024U-7 Diodes Incorporated DMN2024U-7 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2024 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 6.8a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 25mo @ 6,5a, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 7.1 NC @ 4.5 V. ± 10 V 647 PF @ 10 V. - - - 800 MW
DGTD65T40S1PT Diodes Incorporated DGTD65T40S1PT - - -
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 DGTD65 Standard 341 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 450 400 V, 40a, 7,9ohm, 15 V. 145 ns Feldstopp 650 V 80 a 160 a 2,4 V @ 15V, 40a 1,15 MJ (EIN), 350 µJ (AUS) 219 NC 58ns/245ns
DGTD65T50S1PT Diodes Incorporated DGTD65T50S1PT - - -
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 DGTD65 Standard 375 w To-247 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 450 400 V, 50a, 7,9ohm, 15 V. 80 ns Feldstopp 650 V 100 a 200 a 2,4 V @ 15V, 50a 770 µJ (EIN), 550 µJ (AUS) 287 NC 58ns/328ns
ZXPD4000DH-7 Diodes Incorporated ZXPD4000DH-7 0,1934
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 120 v Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 8-vdfn ZXPD4000 V-DFN3030-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen ZXPD4000DH-7di Ear99 8541.21.0095 3.000 2a NPN - Darlington
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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