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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN2004K-7 | 0,3700 | ![]() | 44 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN2004 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 630 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 550MOHM @ 540 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | ± 8 v | 150 PF @ 16 V | - - - | 350 MW (TA) | |||||||||||||||
![]() | DDC143ZU-7-F | 0,3700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DDC143 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 47kohm | ||||||||||||||||
![]() | DCX142th-13 | - - - | ![]() | 2686 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | DCX142 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DCX142th-13tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMN6A09DN8TA | 1.8600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ZXMN6 | MOSFET (Metalloxid) | 1.25W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 4.3a | 40mohm @ 8.2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24.2nc @ 5v | 1407PF @ 40V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
DMG2301LK-13 | 0,0814 | ![]() | 3832 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMG2301 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 2.4a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 160 MOHM @ 1A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 3.4 NC @ 10 V | ± 12 V | 156 PF @ 6 V | - - - | 840 MW (TA) | ||||||||||||||
DDC114EH-7 | 0,3500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDC114 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | |||||||||||||||||
![]() | ADC114EUQ-13 | 0,0481 | ![]() | 1971 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | ADC114 | 270 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50V | 100 ma | 500NA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10kohm | 10kohm | ||||||||||||||||
![]() | DMTH10H015LPS-13 | 0,3969 | ![]() | 7896 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | DMTH10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI5060-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 7.3a (TA), 44a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 16mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 33.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1871 PF @ 50 V | - - - | 1,3W (TA), 46W (TC) | |||||||||||||
![]() | DMP2035UFCL-7 | 0,5900 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | DMP2035 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN1616-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 6.6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 44 NC @ 8 V | ± 8 v | 2200 PF @ 10 V. | - - - | 740 MW (TA) | |||||||||||||
![]() | DMN2009LSS-13 | 0,7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | DMN2009 | MOSFET (Metalloxid) | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 12a (ta) | 2,5 V, 10 V. | 8mohm @ 12a, 10V | 1,2 V @ 250 ähm | 58,3 NC @ 10 V. | ± 12 V | 2555 PF @ 10 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||
DDA143EH-7 | 0,0945 | ![]() | 1454 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDA143 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | - - - | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 20 @ 10ma, 5V | 250 MHz | 4.7kohm | 4.7kohm | |||||||||||||||||
![]() | DMN2300UFL4-7 | 0,5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-xfdfn exponiert Pad | DMN2300 | MOSFET (Metalloxid) | 1.39W | X2-DFN1310-6 (Typ B) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 2.11a (TA) | 195mohm @ 300 Ma, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 3.2nc @ 4.5V | 128.6PF @ 25v | - - - | |||||||||||||||
DMN10H220L-13 | 0,1285 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN10 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 100 v | 1,4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 220MOHM @ 1,6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 8.3 NC @ 10 V | ± 16 v | 401 PF @ 25 V. | - - - | 1,3W (TA) | ||||||||||||||
![]() | DMPH6050SFGQ-13 | 0,9000 | ![]() | 8079 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMPH6050 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 6.1a (ta), 18a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 50mohm @ 7a, 10V | 3v @ 250 ähm | 24.1 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1293 PF @ 30 V | - - - | 1.2W (TA) | |||||||||||||
![]() | ZVN4306ASTOB | - - - | ![]() | 1736 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 60 v | 1.1a (ta) | 5v, 10V | 330mohm @ 3a, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 850 MW (TA) | ||||||||||||||||
![]() | DMN1033UCB4-7 | - - - | ![]() | 1971 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-UFBGA, WLBGA | DMN1033 | MOSFET (Metalloxid) | 1.45W | U-WLB1818-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | - - - | - - - | - - - | - - - | 37nc @ 4,5V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||||||||
![]() | MMDT2907AQ-7-F | 0,4500 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT2907 | 200 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | 2 PNP (Dual) | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||
![]() | DMN3071LFR4-7R | 0,0810 | ![]() | 6170 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN3071 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN1010-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DMN3071LFR4-7RDI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 65mohm @ 3,2a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 4,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 190 PF @ 15 V | - - - | 500 MW | ||||||||||||
![]() | DMT10H015LFG-13 | 0,4410 | ![]() | 1331 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMT10 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | DMT10H015LFG-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 10A (TA), 42A (TC) | 6 V, 10V | 13,5 MOHM @ 20A, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 33.3 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1871 PF @ 50 V | - - - | 2W (TA), 35W (TC) | ||||||||||||
![]() | DMN6068LK3-13 | 0,5500 | ![]() | 58 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | DMN6068 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 60 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 68mohm @ 12a, 10V | 3v @ 250 ähm | 10.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 502 PF @ 30 V | - - - | 2.12W (TA) | |||||||||||||
DMN63D1L-7 | - - - | ![]() | 9910 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN63 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 380 Ma (TA) | 5v, 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | 0,3 NC @ 4,5 V | ± 20 V | 30 PF @ 25 V. | - - - | 370 MW (TA) | ||||||||||||||
DMN3404L-7 | 0,4000 | ![]() | 262 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMN3404 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5.8a (ta) | 3 V, 10V | 28mohm @ 5.8a, 10V | 2v @ 250 ähm | 9.2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 386 PF @ 15 V | - - - | 720 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | BS170p | 0,8000 | ![]() | 4498 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | BS170 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N-Kanal | 60 v | 270 Ma (TA) | 10V | 5ohm @ 200 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 60 PF @ 10 V | - - - | 625 MW (TA) | ||||||||||||||
ZVP2106GTA | 1.0400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | ZVP2106 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | P-Kanal | 60 v | 450 Ma (TA) | 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 18 V. | - - - | 2W (TA) | |||||||||||||||
![]() | DMN3029LFG-13 | 0,1514 | ![]() | 5998 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | DMN3029 | MOSFET (Metalloxid) | PowerDI3333-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 5.3a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 18,6 MOHM @ 10a, 10V | 1,8 V @ 250 ähm | 11.3 NC @ 10 V | ± 25 V | 580 PF @ 15 V | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||
![]() | Zvn2120astoa | - - - | ![]() | 2529 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3 | MOSFET (Metalloxid) | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-Kanal | 200 v | 180 ma (ta) | 10V | 10ohm @ 250 mA, 10V | 3V @ 1ma | ± 20 V | 85 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||||
ZXM64N02XTC | - - - | ![]() | 9639 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 20 v | 5.4a (TA) | 2,7 V, 4,5 V. | 40mohm @ 3,8a, 4,5 V. | 700 MV @ 250 um (min) | 16 NC @ 4,5 V | ± 12 V | 1100 PF @ 15 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||||||||||||
![]() | ZVP2120A | - - - | ![]() | 9122 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | ZVP2120 | MOSFET (Metalloxid) | To-92 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | ZVP2120A-NDR | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | P-Kanal | 200 v | 120 Ma (TA) | 10V | 25ohm @ 150 mA, 10V | 3,5 V @ 1ma | ± 20 V | 100 PF @ 25 V. | - - - | 700 MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | HTMN5130SSD-13 | 0,8479 | ![]() | 7142 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | HTMN5130 | MOSFET (Metalloxid) | 1.7W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-kanal (dual) | 55 v | 2.6a | 130Mohm @ 3a, 10V | 3v @ 250 ähm | 8.9nc @ 10v | 218.7pf @ 25v | - - - | |||||||||||||||
DMP10H4D2S-7 | 0,4000 | ![]() | 4990 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DMP10 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 100 v | 270 Ma (TA) | 4 V, 10V | 4.2ohm @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 87 PF @ 25 V. | - - - | 380 MW (TA) |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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