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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
DMP4013LFGQ-7 Diodes Incorporated DMP4013LFGQ-7 0,9100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMP4013 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 P-Kanal 40 v 10.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 68,6 NC @ 10 V ± 20 V 3426 PF @ 20 V - - - 1W (TA)
DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPDQ-13 1.5200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH6010 MOSFET (Metalloxid) 2.8W PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 60 v 13,1a (TA), 47,6a (TC) 11Mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 40.2nc @ 10v 2615PF @ 30V - - -
DMT6015LSS-13 Diodes Incorporated DMT6015LSS-13 0,7100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMT6015 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 9.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 10a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 18.9 NC @ 30 V. ± 16 v 1103 PF @ 30 V - - - 1,5 W (TA)
DMTH6010SCT Diodes Incorporated DMTH6010SCT 1.5600
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 DMTH6010 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 100a (TC) 10V 7.2Mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 36.3 NC @ 10 V. ± 20 V 1940 PF @ 30 V - - - 2,8 W (TA), 125W (TC)
ZXMN3A02N8TC Diodes Incorporated ZXMN3A02N8TC - - -
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) ZXMN3 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 7.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 12a, 10V 1V @ 250 ähm 26.8 NC @ 10 V. ± 20 V 1400 PF @ 25 V. - - - 1,56W (TA)
DMPH4015SPS-13 Diodes Incorporated DMPH4015SPS-13 0,5145
RFQ
 ECAD 6202 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMPH4015 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 11mohm @ 9.8a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 91 nc @ 10 v ± 25 V 4234 PF @ 20 V - - - 2.6W (TA)
DMG10N60SCT Diodes Incorporated DMG10N60SCT - - -
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 DMG10 MOSFET (Metalloxid) To-220ab - - - ROHS3 -KONFORM Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 12a (TC) 10V 750Mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 35 NC @ 10 V ± 30 v 1587 PF @ 16 V - - - 178W (TC)
DMN3016LFDF-13 Diodes Incorporated DMN3016LFDF-13 0,1409
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN3016 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 30 v 12a (ta) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 11a, 10V 2v @ 250 ähm 25.1 NC @ 10 V. ± 20 V 1415 PF @ 15 V - - - 2.02W (TA)
DMP3026SFDE-7 Diodes Incorporated DMP3026SFDE-7 0,4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMP3026 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 30 v 10.4a (ta) 4 V, 10V 19Mohm @ 4,5a, 10V 3v @ 250 ähm 19,6 NC @ 10 V. ± 25 V 1204 PF @ 15 V - - - 2W (TA)
DMN2040LTS-13 Diodes Incorporated DMN2040LTS-13 0,4600
RFQ
 ECAD 2327 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) DMN2040 MOSFET (Metalloxid) 890 MW 8-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss 20V 6.7a (ta) 26mohm @ 6a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 5.2nc @ 4.5V 570PF @ 10V - - -
DMP2033UVT-7 Diodes Incorporated DMP2033uvt-7 0,1425
RFQ
 ECAD 5976 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP2033 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4.2a (TA) 1,8 V, 4,5 V. 65mohm @ 4,2a, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 10.4 NC @ 4.5 V. ± 8 v 845 PF @ 15 V - - - 1.2W (TA)
DMP2066LVT-7 Diodes Incorporated DMP2066LVT-7 - - -
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DMP2066 MOSFET (Metalloxid) SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4,5a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 45mohm @ 4,5a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 25 NC @ 10 V ± 8 v 2990 PF @ 15 V - - - 1.2W (TA)
CTA2N1P-7-F Diodes Incorporated CTA2N1P-7-F - - -
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 40 V NPN, 50 V P-Kanal Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 CTA2N1 SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 600 Ma npn, 130 mA p-kanal NPN, P-Kanal
BC846ASQ-7-F Diodes Incorporated BC846ASQ-7-F 0,3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 65 V 100 ma 15na 2 NPN (Dual) 600mv @ 5ma, 100 mA 110 @ 2MA, 5V 100 MHz
DMS3017SSD-13 Diodes Incorporated DMS3017SSD-13 - - -
RFQ
 ECAD 1902 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMS3017 MOSFET (Metalloxid) 1.19W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 8a, 6a 12mohm @ 9.5a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 30.6nc @ 10v 1276PF @ 15V Logikpegel -tor
CTA2P1N-7 Diodes Incorporated CTA2P1N-7 0,5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut * Klebeband (CT) Schneiden Aktiv Cta2p1n Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
DMN2027LK3-13 Diodes Incorporated DMN2027LK3-13 - - -
RFQ
 ECAD 2734 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMN2027 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 20 v 11.6a (ta) 2,5 V, 10 V. 21mohm @ 20a, 10V 2v @ 250 ähm 9.1 NC @ 4,5 V. ± 12 V 857 PF @ 10 V. - - - 2.14W (TA)
DMP3025LK3-13 Diodes Incorporated DMP3025LK3-13 - - -
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMP3025 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 10.6a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mo @ 7.1a, 10V 3v @ 250 ähm 31.6 NC @ 10 V. ± 20 V 1678 PF @ 15 V - - - 2.15W (TA)
DGTD65T40S1PT Diodes Incorporated DGTD65T40S1PT - - -
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 DGTD65 Standard 341 w To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 450 400 V, 40a, 7,9ohm, 15 V. 145 ns Feldstopp 650 V 80 a 160 a 2,4 V @ 15V, 40a 1,15 MJ (EIN), 350 µJ (AUS) 219 NC 58ns/245ns
DGTD65T50S1PT Diodes Incorporated DGTD65T50S1PT - - -
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 DGTD65 Standard 375 w To-247 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 450 400 V, 50a, 7,9ohm, 15 V. 80 ns Feldstopp 650 V 100 a 200 a 2,4 V @ 15V, 50a 770 µJ (EIN), 550 µJ (AUS) 287 NC 58ns/328ns
DMN2024U-7 Diodes Incorporated DMN2024U-7 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN2024 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 20 v 6.8a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 25mo @ 6,5a, 4,5 V. 900 MV @ 250 ähm 7.1 NC @ 4.5 V. ± 10 V 647 PF @ 10 V. - - - 800 MW
DMP1022UFDEQ-7 Diodes Incorporated DMP1022UFDEQ-7 0,2568
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-Powerudfn DMP1022 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (Typ E) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 12 v 9.1a (ta) 1,2 V, 4,5 V. 16mohm @ 8.2a, 4,5 V. 800 MV @ 250 ähm 42,6 NC @ 5 V. ± 8 v 2953 PF @ 4 V. - - - 660 MW (TA)
DMP2075UVT-13 Diodes Incorporated DMP2075uvt-13 0,0792
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMP2075 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 20 v 3.8a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 75mohm @ 4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 8,8 NC @ 4,5 V. ± 8 v 642 PF @ 10 V - - - 1.2W (TA)
DMT615MLFV-13 Diodes Incorporated DMT615MLFV-13 0,2258
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMT615 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 (Typ UX) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 8,5a (TA), 38a (TC) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 10a, 10V 3v @ 250 ähm 15,5 NC @ 10 V. ± 20 V 1039 PF @ 30 V - - - 1.76W (TA)
DMN3018SFG-7 Diodes Incorporated DMN3018SFG-7 0,1434
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN3018 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 30 v 8.5a (TA) 4,5 V, 10 V. 21mohm @ 10a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 13.2 NC @ 10 V ± 25 V 697 PF @ 15 V - - - 1W (TA)
DMP4025LK3-13 Diodes Incorporated DMP4025LK3-13 0,2855
RFQ
 ECAD 3687 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMP4025 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 40 v 6.7a (ta) 4,5 V, 10 V. 25mohm @ 3a, 10V 1,8 V @ 250 ähm 33.7 NC @ 10 V. ± 20 V 1643 PF @ 20 V - - - 1.7W (TA)
DMP3098LSD-13 Diodes Incorporated DMP3098LSD-13 0,6800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP3098 MOSFET (Metalloxid) 1,8W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 30V 4.4a 65mohm @ 5a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 7.8nc @ 10v 336PF @ 25V Logikpegel -tor
DMG4710SSS-13 Diodes Incorporated DMG4710SSS-13 - - -
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMG4710 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 8.8a (ta) 4,5 V, 10 V. 12,5 MOHM @ 11.7a, 10V 2,3 V @ 250 ähm 43 NC @ 10 V ± 12 V 1849 PF @ 15 V Schottky Diode (Körper) 1,54W (TA)
ZXMP10A18K Diodes Incorporated ZXMP10A18K - - -
RFQ
 ECAD 8653 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 ZXMP10 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 100 v 3.8a (TA) 6 V, 10V 150 MOHM @ 2,8a, 10V 4v @ 250 ähm 26.9 NC @ 10 V. ± 20 V 1055 PF @ 50 V - - - 2.17W (TA)
DMNH6042SPD-13 Diodes Incorporated DMNH6042SPD-13 0,3410
RFQ
 ECAD 4721 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMNH6042 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 5.7A (TA), 24A (TC) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 5.1a, 10V 3v @ 250 ähm 8.8 NC @ 10 V ± 20 V 584 PF @ 25 V. - - - 1.2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    Lagerhaus

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