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Transistoren (6028)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2)
ZXMP7A17GQTA Diodes Incorporated ZXMP7A17GQTA 0,8700
RFQ
 ECAD 509 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa ZXMP7A17 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1.000 P-Kanal 70 V 2.6a (TA) 4,5 V, 10 V. 160 MOHM @ 2,1a, 10V 1V @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V 635 PF @ 40 V - - - 2W (TA)
DMN2005UFG-7 Diodes Incorporated DMN2005UFG-7 0,5700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powervdfn DMN2005 MOSFET (Metalloxid) PowerDI3333-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.000 N-Kanal 20 v 18.1a (TC) 2,5 V, 4,5 V. 4,6 MOHM @ 13,5a, 4,5 V. 1,2 V @ 250 ähm 164 NC @ 10 V. ± 12 V 6495 PF @ 10 V - - - 1.05W (TA)
DMN2100UDM-7 Diodes Incorporated DMN2100UDM-7 0,5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 DMN2100 MOSFET (Metalloxid) SOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 20 v 3.3a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 55mohm @ 6a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm ± 8 v 555 PF @ 10 V - - - 1W (TA)
DMG3415U-7 Diodes Incorporated DMG3415U-7 0,4300
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG3415 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 20 v 4a (ta) 1,8 V, 4,5 V. 39mohm @ 4a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 9.1 NC @ 4,5 V. ± 8 v 294 PF @ 10 V. - - - 900 MW (TA)
DCX122LU-7-F Diodes Incorporated DCX122LU-7-F - - -
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX122 200 MW SOT-363 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50V 100 ma - - - 1 NPN, 1 PNP - Voreingenben (Dual) 300 mV @ 250 ua, 5 mA 56 @ 10ma, 5V 200 MHz 220 Ohm 10kohm
DDTC123TKA-7-F Diodes Incorporated DDTC123TKA-7-F - - -
RFQ
 ECAD 3783 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTC123 200 MW SC-59-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 100 ma 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 500 µA, 5 mA 100 @ 1ma, 5V 250 MHz 2.2 Kohms
DDTD123TC-7-F Diodes Incorporated DDTD123TC-7-F 0,3000
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DDTD123 200 MW SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 50 v 500 mA 500NA (ICBO) NPN - VORGEPANNT 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 100 @ 50 Ma, 5V 200 MHz 2.2 Kohms
DMP3035LSS-13 Diodes Incorporated DMP3035LSS-13 0,2217
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP3035 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 P-Kanal 30 v 11a (ta) 4,5 V, 20V 16mohm @ 8a, 10V 2v @ 250 ähm 30.7 NC @ 10 V. ± 25 V 1655 PF @ 20 V - - - 2W (TA)
ZXTD720MCTA Diodes Incorporated ZXTD720MCTA 0,8200
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad ZXTD720 1.7W DFN3020B-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 3.000 40V 3a 100na 2 PNP (Dual) 370mv @ 250 mA, 2,5a 60 @ 1,5a, 2V 190 MHz
BSS127S-7 Diodes Incorporated BSS127S-7 0,4300
RFQ
 ECAD 220 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BSS127 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 600 V 50 mA (ta) 5v, 10V 160OHM @ 16MA, 10V 4,5 V @ 250 ähm 1,08 NC @ 10 V ± 20 V 21.8 PF @ 25 V. - - - 610 MW (TA)
DMN15H310SE-13 Diodes Incorporated DMN15H310SE-13 1.1400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa DMN15 MOSFET (Metalloxid) SOT-223-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 150 v 2a (ta), 7.1a (TC) 5v, 10V 310mohm @ 1,5a, 10 V. 3v @ 250 ähm 8.7 NC @ 10 V. ± 20 V 405 PF @ 25 V - - - 1,9W (TA)
DMP3036SSD-13 Diodes Incorporated DMP3036SSD-13 0,7900
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMP3036 MOSFET (Metalloxid) 1.2W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 2 p-kanal (dual) 30V 18.0a (TC) 20mohm @ 9a, 10V 3v @ 250 ähm 16.5nc @ 10v 1931pf @ 15V Logikpegel -tor
DMP3056L-13 Diodes Incorporated DMP3056L-13 0,1005
RFQ
 ECAD 6562 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMP3056 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMP3056L-13DI Ear99 8541.29.0095 10.000 P-Kanal 30 v 4.3a (TA) 4,5 V, 10 V. 50mohm @ 6a, 10V 2,1 V @ 250 ähm 11.8 NC @ 10 V. ± 25 V 642 PF @ 25 V. - - - 1,38W (TA)
DMN10H220LVT-13 Diodes Incorporated DMN10H220LVT-13 0,1701
RFQ
 ECAD 3499 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN10 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN10H220LVT-13DI Ear99 8541.29.0095 10.000 N-Kanal 100 v 1,87a (TA) 4,5 V, 10 V. 220MOHM @ 1,6a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 8.3 NC @ 10 V ± 16 v 401 PF @ 25 V. - - - 1,67W (TA)
DMN6075S-7 Diodes Incorporated DMN6075S-7 0,3800
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN6075 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 60 v 2a (ta) 4,5 V, 10 V. 85mohm @ 3.2a, 10 V. 3v @ 250 ähm 12.3 NC @ 10 V. ± 20 V 606 PF @ 20 V - - - 800 MW (TA)
DMG301NU-7 Diodes Incorporated DMG301NU-7 0,4500
RFQ
 ECAD 4024 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMG301 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 25 v 260 Ma (TA) 2,7 V, 4,5 V. 4OHM @ 400 mA, 4,5 V. 1,1 V @ 250 ähm 0,36 NC @ 4,5 V. 8v 42 PF @ 10 V. - - - 320 MW (TA)
DMP2021UFDF-13 Diodes Incorporated DMP2021UFDF-13 0,2539
RFQ
 ECAD 1725 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMP2021 MOSFET (Metalloxid) U-DFN2020-6 (typ f) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMP2021UFDF-13DI Ear99 8541.21.0095 10.000 P-Kanal 20 v 9a (ta) 1,5 V, 4,5 V. 16mohm @ 7a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 59 NC @ 8 V. ± 8 v 2760 PF @ 15 V - - - 730 MW (TA)
DMN1029UFDB-13 Diodes Incorporated DMN1029UFDB-13 0,1143
RFQ
 ECAD 7731 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN1029 MOSFET (Metalloxid) 1.4W U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN1029UFDB-13DI Ear99 8541.29.0095 10.000 2 n-kanal (dual) 12V 5.6a 29mohm @ 5a, 4,5 V. 1V @ 250 ähm 19.6nc @ 8v 914PF @ 6v - - -
DMN2041UFDB-13 Diodes Incorporated DMN2041UFDB-13 0,2867
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad DMN2041 MOSFET (Metalloxid) 1.4W U-DFN2020-6 (Typ B) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen DMN2041UFDB-13DI Ear99 8541.29.0095 10.000 2 n-kanal (dual) 20V 4.7a 40mohm @ 4,2a, 4,5 V. 1,4 V @ 250 ähm 15nc @ 8v 713PF @ 10V - - -
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated DMN3016LSS-13 0,5200
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) DMN3016 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 30 v 10.3a (ta) 4,5 V, 10 V. 12mohm @ 12a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 25.1 NC @ 10 V. ± 20 V 1415 PF @ 15 V - - - 1,5 W (TA)
DMT8012LK3-13 Diodes Incorporated DMT8012LK3-13 0,9000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMT8012 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 80 v 44a (TC) 4,5 V, 10 V. 17mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 34 NC @ 10 V. ± 20 V 1949 PF @ 40 V. - - - 2.7W (TA)
DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPSQ-13 1.4200
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH6010 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 60 v 13,5a (TA), 100A (TC) 4,5 V, 10 V. 8mohm @ 20a, 10V 3v @ 250 ähm 41,3 NC @ 10 V. ± 20 V 2090 PF @ 30 V - - - 2,6 W (TA), 136 W (TC)
DMTH4007SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPSQ-13 0,5145
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMTH4007 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 15,7a (TA), 100A (TC) 10V 7.6mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 41,9 NC @ 10 V. ± 20 V 2082 PF @ 25 V. - - - 2,8 W (TA), 136 W (TC)
DMN6040SVTQ-7 Diodes Incorporated DMN6040SVTQ-7 0,6300
RFQ
 ECAD 3150 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 DMN6040 MOSFET (Metalloxid) TSOT-26 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 5a (ta) 4,5 V, 10 V. 44mohm @ 4.3a, 10V 3v @ 250 ähm 22.4 NC @ 10 V. ± 20 V 1287 PF @ 25 V. - - - 1.2W (TA)
DMJ70H1D3SJ3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3 - - -
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa DMJ70 MOSFET (Metalloxid) To-251 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 700 V 4.6a (TC) 10V 1,3OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 13.9 NC @ 10 V. ± 30 v 351 PF @ 50 V - - - 41W (TC)
DMN63D8L-7 Diodes Incorporated DMN63D8L-7 0,2400
RFQ
 ECAD 521 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 DMN63 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 30 v 350 Ma (TA) 2,5 V, 10 V. 2,8OHM @ 250 mA, 10V 1,5 V @ 250 ähm 0,9 NC @ 10 V. ± 20 V 23.2 PF @ 25 V. - - - 350 MW (TA)
DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated DMN62D0UT-7 0,3900
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 Dioden Eingenbaut - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-523 DMN62 MOSFET (Metalloxid) SOT-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 60 v 320 Ma (TA) 1,8 V, 2,5 V, 4,5 V. 2OHM @ 50 Ma, 4,5 V. 1v @ 250a 0,5 NC @ 4,5 V ± 20 V 32 PF @ 30 V - - - 230 MW (TA)
2N7002AQ-13 Diodes Incorporated 2N7002AQ-13 0,3000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (Metalloxid) SOT-23-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 60 v 180 ma (ta) 5v 5ohm @ 115 mA, 10V 2v @ 250 ähm ± 20 V 23 PF @ 25 V. - - - 370 MW (TA)
DMTH8012LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH8012LK3Q-13 1.1300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 DMTH8012 MOSFET (Metalloxid) To-252-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 80 v 50a (TC) 4,5 V, 10 V. 16mohm @ 12a, 10V 3v @ 250 ähm 46,8 NC @ 10 V. ± 20 V 2051 PF @ 40 V - - - 2.6W (TA)
DMNH4006SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH4006SPSQ-13 1.3900
RFQ
 ECAD 930 0.00000000 Dioden Eingenbaut Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn DMNH4006 MOSFET (Metalloxid) PowerDI5060-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 110a (TC) 10V 7mohm @ 50a, 10V 4v @ 250 ähm 50,9 NC @ 10 V. 20V 2280 PF @ 25 V. - - - 1.6W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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