- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (6028)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DDTA144ECA-7 | 0,3900 |  | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDTA144 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-ddta144eca-7dkr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DMS2220LFW-7 | - - - | | 8252 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN3020 (3x2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 2,9a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 95mohm @ 2,8a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | ± 12 V | 632 PF @ 10 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,5 W (TA) | |||||||||||||||
 | Ztx788astz | - - - | | 2880 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX788 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 15 v | 3 a | 100NA (ICBO) | PNP | 330mv @ 200ma, 3a | 300 @ 10 mA, 1V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | DDA114YU-7 | 0,4200 | | 637 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | * | Klebeband (CT) Schneiden | Aktiv | DDA114 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1034-DDA114YU-7DKR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DDTC124ECA-7-F | 0,2200 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTC124 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
 | BC857BLP-7B | 0,4000 | | 606 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | BC857 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | Fcx1051ata | 0,7100 | | 18 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX1051 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 3 a | 10na | Npn | 340mv @ 100ma, 5a | 290 @ 10ma, 2v | 155 MHz | |||||||||||||||||
 | DMN5L06T-7 | - - - | | 1303 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN5L06 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 280 Ma (TA) | 1,8 V, 2,7 V. | 3OHM @ 200 Ma, 2,7 V. | 1,2 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 150 MW (TA) | |||||||||||||||
| DDTA144TE-7-F | 0,0605 | | 4803 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Ddta (r1-nur-serie) e | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DDTA144 | 150 MW | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | DDTA144TE-FDITR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 MV @ 250 UA, 2,5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||
| DMN601TK-7 | 0,3700 | | 67 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN601 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 300 mA (TA) | 5v, 10V | 2OHM @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | ± 20 V | 50 PF @ 25 V. | - - - | 150 MW (TA) | ||||||||||||||
 | DMN1260UFA-7B | 0,3700 | | 65 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMN1260 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0806-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 12 v | 500 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 366mohm @ 200 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,96 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 60 PF @ 10 V | - - - | 360 MW (TA) | |||||||||||||
| Ztx451stoa | - - - | | 7676 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | E-Line-3, Gebildete Leads | ZTX451 | 1 w | E-line (bis 92 kompatibel) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.000 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 350 MV @ 15ma, 150 mA | 50 @ 150 mA, 10V | 150 MHz | ||||||||||||||||||
 | DMP2090UFDB-13 | 0,0805 | | 6424 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMP2090 | MOSFET (Metalloxid) | 790 MW (TA) | U-DFN2020-6 (Typ B) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP2090UFDB-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 2 p-kanal (dual) Gemeinsame Quelle | 20V | 3.2a (ta) | 90 MOHM @ 4A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 6,8nc @ 4,5V | 634PF @ 10V | - - - | ||||||||||||||||
 | MMST2222A-7 | - - - | | 5339 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | MMST2222A | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||
| Fmmt625ta | 0,5600 | | 66 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt625 | 625 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 150 v | 1 a | 100na | Npn | 300 mV @ 50 Ma, 1a | 300 @ 200 Ma, 10V | 135 MHz | |||||||||||||||||
| ADTC144ECAQ-7 | 0,3500 | | 7603 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTC144 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 31-ATTC144ECAQ-7CT | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||
 | DMN16M8UCA6-7 | 0,2928 | | 3873 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | X3-DSN2718-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 31-DMN16M8UCA6-7TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 12V | 15,5a (TA) | 5,6 MOHM @ 3a, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 45,4nc @ 6v | 2333pf @ 6v | Standard | ||||||||||||||||
| DMG1012T-13 | 0,0393 | | 3523 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMG1012 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 630 Ma (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 400 MOHM @ 600 Ma, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,74 NC @ 4,5 V. | ± 6 V | 60.67 PF @ 16 V | - - - | 280 MW (TA) | |||||||||||||
 | DXT5551P5-13 | 0,4800 | | 407 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | PowerDi ™ 5 | DXT5551 | 2,25 w | PowerDi ™ 5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | 160 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 130 MHz | |||||||||||||||||
| 2DC4617qlp-7b | 0,2100 | | 6 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Ufdfn | 2DC4617 | 250 MW | X1-DFN1006-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | DMJ70H1D4SV3 | - - - | | 5183 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-251-3 Stub Leads, ipak | DMJ70 | MOSFET (Metalloxid) | To-251 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 700 V | 5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 1a, 10 V. | 4v @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 30 v | 342 PF @ 50 V | - - - | 78W (TC) | |||||||||||||
 | DDC144TH-7-F | 0,1266 | | 9598 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | DDC144 | 150 MW | SOT-563 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50V | 100 ma | 500NA (ICBO) | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 300 mV @ 100 µA, 1 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 47kohm | - - - | ||||||||||||||||
| DMN29M9UFDF-13 | 0,1392 | | 6870 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-udfn exponiert pad | DMN29 | MOSFET (Metalloxid) | U-DFN2020-6 (typ f) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN29M9UFDF-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 11a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 13,5 MOHM @ 5A, 4,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 14.6 NC @ 10 V. | ± 12 V | 655 PF @ 8 V. | - - - | 1.2W (TA) | ||||||||||||||
| Fcx458ta | 0,4600 | | 660 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | FCX458 | 1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 400 V | 225 Ma | 100na | Npn | 500mv @ 6ma, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 10 V | 50 MHz | |||||||||||||||||
 | DMP22D5UFO-7B | 0,0367 | | 3198 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | DMP22 | MOSFET (Metalloxid) | X2-DFN0604-3 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMP22D5UFO-7BTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | P-Kanal | 20 v | 530 Ma (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 1,9OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,3 NC @ 4,5 V | ± 8 v | 17 PF @ 16 V | - - - | 340 MW (TA) | ||||||||||||||
| DDTC123YUA-7-F | 0,2500 | | 3 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | DDTC123 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| DMN2991UT-13 | 0,0544 | | 8611 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-523 | DMN2991 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-523 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 31-DMN2991UT-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 20 v | 300 mA (TA) | 1,5 V, 4,5 V. | 3OHM @ 100 mA, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 0,35 NC @ 4,5 V. | ± 10 V | 21.5 PF @ 15 V | - - - | 280 MW (TA) | ||||||||||||||
| BSR33QTA | 0,4800 | | 1 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BSR33 | 2.1 w | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 Ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| DDTA123TCA-7-F | 0,2200 | | 8 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | DDTA123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 250 MHz | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||
| BC807-16-7-F | 0,2100 | | 220 | 0.00000000 | Dioden Eingenbaut | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC807 | 310 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)